权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

超短パルス軟Ｘ線分光法によるディラックフェルミオンの超高速ダイナミクスの研究

利用超短脉冲软 X 射线光谱研究狄拉克费米子的超快动力学

基本信息

批准号：
15J11895
负责人：
染谷隆史
金额：
$ 1.79万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-24 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

グラフェンはわずか炭素原子一層からなる究極のナノ材料であり、優れた電子・光特性を有することから、次世代の光電子デバイス材料として有望視されている。我々はこれまでデバイス動作の基礎となるグラフェンの光応答の研究を行い、フェムト秒（千兆分の一秒）という極めて短い時間スケールでの超高速キャリアダイナミクスを明らかにした。本年度はその延長として、グラフェンと半導体の接合系での電荷移動ダイナミクスの追跡を行い、フェムト秒からマイクロ秒（百万分の一秒）に渡る包括的なキャリアダイナミクス研究を試みた。SiC（シリコンカーバイド）熱分解法はSiCの加熱というシンプルなプロセスで大面積・高品質なグラフェンシートを作成できることから、工業利用に適した手法である。グラフェンの成長基板となるSiCの最表面には、Siで終端されたSi面とCで終端されたC面の二種類が存在し、それぞれで異なった界面状態を持つグラフェンが得られることが知られている。そこで我々はSi終端面上グラフェン（Si面グラフェン）とC終端面上グラフェン（C面グラフェン）のキャリアダイナミクスを調べ、その時間構造および界面状態がダイナミクスに及ぼす影響を時間分解光電子分光法により調べた。その結果、グラフェンとSiC基板は共通であるのに関わらず、Si面グラフェンとC面グラフェンでキャリアダイナミクスの緩和時間が大きく異なり、界面状態での緩和が示唆される結果が得られた。Si面およびC面グラフェンにおける界面状態密度とグラフェンの状態密度を見積もったところ、Si面グラフェンでは界面状態でのキャリア再結合、C面グラフェンではグラフェン内でのキャリア再結合が緩和時間を決めていることを明らかにした。

As soon as carbon atoms are used, there are significant differences in the optical properties of materials and electrons, and it is expected that the next generation of photoelectrons will improve the optical properties of materials. We are responsible for the operation of the ultra-high-speed train. We do research in the field of optical response, and we need to change the number of seconds (gigabytes per second). We need to reduce the time limit for ultra-high-speed transmission. This year, the equipment is used to extend the performance of the railway. This year, the semi-rigid joint system is used to monitor the operation of the electric charge transfer equipment, and every ten millions of seconds (millions of minutes to one second) is included in the ferry, which includes the research attempt of the equipment. The decomposition method of SiC (computer aided instruction) decomposition method, which is called SiC method, is used to improve the quality of the noodles, the quality of the noodles, the quality of the products and the industry. For the growth of the substrate, the most surface of the SiC, the end of the Si, the end of the Si, the interface of the interface exists, the interface is sensitive, the interface is sensitive. On the end of the Si (Si), the C-side (the C-side), the interface status and the photoelectron spectrometer of the interface were created. The results show that the SiC substrates share the same performance results, and that the results of the interface status test and the instigation of the test results are satisfactory. On the Si, the density of the interface, the density, the interface, the interface, the interface

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

軟X線時間分解光電子分光法によるグラフェン/SiC界面の電荷移動ダイナミクスの研究

使用软X射线时间分辨光电子能谱研究石墨烯/SiC界面的电荷转移动力学

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
染谷隆史;吹留博一;山本達;遠藤則史;松田巌
通讯作者：
松田巌

フェムト秒域時間分解光電子分光法と三温度モデル解析によるグラフェンの超高速キャリアダイナミクスの研究

利用飞秒时间分辨光电子能谱和三温模型分析研究石墨烯中的超快载流子动力学

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
染谷隆史;吹留博一;渡邊浩;山本貴士;岡田大;鈴木博人;飯盛拓嗣; 石井順久;金井輝人;田島圭佑;Baojie Feng;山本達;板谷治郎;小森文夫;岡崎浩三;辛埴;松田巌
通讯作者：
松田巌

Determination of the element-specific complex permittivity using a soft x-ray phase modulator

使用软 X 射线相位调制器测定元素特定的复介电常数

DOI：
10.1103/physrevb.96.214417
发表时间：
2017
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
Kubota Y.;Hirata Y.;Miyawaki J.;Yamamoto S.;Akai H.;Hobara R.;Yamamoto Sh.;Yamamoto K.;Someya T.;Takubo K.;Yokoyama Y.;Araki M.;Taguchi M.;Harada Y.;Wadati H.;Tsunoda M.;Kinjo R.;Kagamihata A.;Seike T.;Takeuchi M.;Tanaka T.;Shin S.;Matsuda I.
通讯作者：
Matsuda I.

Resonant magneto-optical Kerr effect measurement system with polarization analysis using a high harmonic generation laser

使用高次谐波发生激光器进行偏振分析的谐振磁光克尔效应测量系统

DOI：
10.1016/j.elspec.2017.09.001
发表时间：
2018
期刊：
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena
影响因子：
1.9
作者：
Yamamoto Sh.;Oumbarek D.;Fujisawa M.;Someya T.;Takahashi Y.;Yamamoto T.;Ishii N.;Yaji K.;Yamamoto S.;Kanai T.;Okazaki K.;Kotsugi M.;Itatani J.;Shin S.;Matsuda I.
通讯作者：
Matsuda I.

軟 X 線時間分解光電子分光法によるグラフェン/SiC界面の電荷移動ダイナミクスの研究

使用软X射线时间分辨光电子能谱研究石墨烯/SiC界面的电荷转移动力学