Improvement of Vacuum Ultraviolet Field Emission Lamp using Neodymium Ion Doped Lutetium Fluoride

掺钕氟化镥真空紫外场发射灯的改进

基本信息

批准号：
16K04961
负责人：
ONO SHINGO
金额：
$ 3.16万
依托单位：
Nagoya Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

YF3薄膜を用いた真空紫外センサの粒子径制御及び応答速度評価

YF3薄膜真空紫外传感器的粒径控制及响应速度评估

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
鈴木健太郎;山崎亮;大谷潤;小野　晋吾;加瀬征彦
通讯作者：
加瀬征彦

パルスレーザー堆積法によるLaF3薄膜を用いた真空紫外検出器の開発

脉冲激光沉积法LaF3薄膜真空紫外探测器的研制

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
鈴木健太郎;山崎亮;大谷潤;小野　晋吾;加瀬征彦
通讯作者：
加瀬征彦

Evaluation of Ce3+: LiCaAlF6 single crystal by Multi-Photon Luminescence Measurement

通过多光子发光测量评价 Ce3 : LiCaAlF6 单晶

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
Optical Materials
影响因子：
3.9
作者：
X. Yu;M. Tanaka;K. Toyama;S. Terakawa;S. Ono;M. Sudo;K. Fukuda;Y. Makino;T. Hirata
通讯作者：
T. Hirata

真空紫外線照射時のCaF2-金属界面における電気的特性

真空紫外辐照下CaF2-金属界面的电学特性

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
鈴木健太郎;大谷潤;小野晋吾;加瀬征彦
通讯作者：
加瀬征彦

CeF3薄膜を用いた紫外光センサの真空中アニール処理による欠陥制御

使用CeF3薄膜的紫外光传感器的真空退火缺陷控制

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
加藤誠也;鈴木健太郎;大谷潤;加瀬征彦;小野晋吾
通讯作者：
小野晋吾

DOI：
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作者：
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ONO SHINGO其他文献

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{{ truncateString('ONO SHINGO', 18)}}的其他基金

VUV Light Emitting Device based on Fluorides Thin Films

基于氟化物薄膜的VUV发光器件

批准号：
23560038
财政年份：
2011
资助金额：
$ 3.16万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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エピタキシャルフッ化物薄膜電池のモデル界面を活用したフッ素の輸送機構解明

利用外延氟化物薄膜电池模型界面阐明氟传输机制

批准号：
23K23221
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资助金额：
$ 3.16万
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$ 3.16万
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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