Experimental investigation on crystallization of In2O3 based amorphous transparent conductive oxide films
In2O3基非晶透明导电氧化物薄膜晶化实验研究
基本信息
- 批准号:16K04966
- 负责人:
- 金额:$ 3.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-10-21 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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Experimental investigation on crystallization of In2O3 based amorphous transparent conductive oxide films
In2O3基非晶透明导电氧化物薄膜晶化实验研究
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Yamamoto;J. Jia;T. Okajima;S. Nakamura;Y. Shigesato
- 通讯作者:Y. Shigesato
アモルファスITOおよびIGZO薄膜の結晶化に関する研究
非晶ITO和IGZO薄膜的结晶化研究
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:岩﨑慎平;山本新吾;賈 軍軍;岡島敏浩;重里有三
- 通讯作者:重里有三
Reactive sputter depositions of various TCO films with the low resistivity
各种低电阻率TCO薄膜的反应溅射沉积
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yuzo Shigesato;Junjun Jia and Nobuto Oka
- 通讯作者:Junjun Jia and Nobuto Oka
アモルファスIGZOトランジスタにおける欠陥構造と電子構造の関係性の解明
阐明非晶IGZO晶体管中缺陷结构与电子结构之间的关系
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:賈軍軍;重里有三
- 通讯作者:重里有三
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