Development of BGaN semiconductor devices for neutron semiconductor detector

中子半导体探测器用BGaN半导体器件的研制

基本信息

  • 批准号:
    16H03899
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.07万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
MOVPE 法を用いた厚膜BGaN 結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製
MOVPE法厚膜BGaN晶体生长研究及垂直中子探测装置的制作
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    丸山 貴之;高橋 祐吏;山田 夏暉;江原 一司;望月 健;中川 央也;宇佐美 茂佳;本田 善央;天野 浩;小島 一信;秩父 重英; 井上 翼;青木 徹;中野 貴之
  • 通讯作者:
    中野 貴之
静岡大学工学部電子物質科学科中野研究室HP
静冈大学工学部电子材料科学系中野实验室HP
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法
中子半导体探测结构、中子半导体探测器以及中子半导体探测结构的制造方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
MOVPE 法を用いた厚膜 BGaN 成長および縦型中性子検出デバイスの作製
MOVPE法厚膜BGaN生长及垂直中子探测装置的制作
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高橋祐吏;丸山貴之;山田夏暉;江原一司;望月健;中川央也;宇佐美茂佳;本田善央;天野浩;小島一信;秩父重英;井上翼;青木徹;中野貴之
  • 通讯作者:
    中野貴之
Characterization of pin-GaN diodes radiation detection for alpha-ray
pin-GaN 二极管 α 射线辐射检测的表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Arikawa;K. Mochizuki;M. Sugiura;H. Nakagawa;S. Usami;M. Kushimoto;Y. Honda;H. Amano;S. Schütt;A. Vogt;M. Fiederle;H. Mimura;Y. Inoue;T. Aoki;T. Nakano
  • 通讯作者:
    T. Nakano
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    Mimura Hidenori
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  • DOI:
    10.1186/s40623-020-01239-6
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Fujiwara Satoshi;Nakano Takayuki;Morishita Yu
  • 通讯作者:
    Morishita Yu
災害経験の伝承による被災リスク軽減の可能性
通过传递灾害经验来减少灾害风险的可能性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Fujiwara Satoshi;Nakano Takayuki;Morishita Yu;瀬戸真之
  • 通讯作者:
    瀬戸真之

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  • 通讯作者:
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  • 资助金额:
    $ 11.07万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 资助金额:
    $ 11.07万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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知道了