Development of BGaN semiconductor devices for neutron semiconductor detector
中子半导体探测器用BGaN半导体器件的研制
基本信息
- 批准号:16H03899
- 负责人:
- 金额:$ 11.07万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
MOVPE 法を用いた厚膜BGaN 結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製
MOVPE法厚膜BGaN晶体生长研究及垂直中子探测装置的制作
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:丸山 貴之;高橋 祐吏;山田 夏暉;江原 一司;望月 健;中川 央也;宇佐美 茂佳;本田 善央;天野 浩;小島 一信;秩父 重英; 井上 翼;青木 徹;中野 貴之
- 通讯作者:中野 貴之
中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法
中子半导体探测结构、中子半导体探测器以及中子半导体探测结构的制造方法
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
MOVPE 法を用いた厚膜 BGaN 成長および縦型中性子検出デバイスの作製
MOVPE法厚膜BGaN生长及垂直中子探测装置的制作
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:高橋祐吏;丸山貴之;山田夏暉;江原一司;望月健;中川央也;宇佐美茂佳;本田善央;天野浩;小島一信;秩父重英;井上翼;青木徹;中野貴之
- 通讯作者:中野貴之
Characterization of pin-GaN diodes radiation detection for alpha-ray
pin-GaN 二极管 α 射线辐射检测的表征
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Arikawa;K. Mochizuki;M. Sugiura;H. Nakagawa;S. Usami;M. Kushimoto;Y. Honda;H. Amano;S. Schütt;A. Vogt;M. Fiederle;H. Mimura;Y. Inoue;T. Aoki;T. Nakano
- 通讯作者:T. Nakano
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Nakano Takayuki其他文献
Changes in Serum 25 Hydroxyvitamin D Concentrations in Male University Long-Distance Runners Following Vitamin D3 Supplementation During Winter: A Randomized Controlled Trial
冬季补充维生素 D3 后男性大学长跑运动员血清 25 羟基维生素 D 浓度的变化:随机对照试验
- DOI:
10.21203/rs.3.rs-138947/v1 - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
T. Mami;Kasai Mayumi;Nakano Takayuki;Sasahara Jun - 通讯作者:
Sasahara Jun
Diamond Radiation Detector with Built‐In Boron‐Doped Neutron Converter Layer
具有内置掺硼中子转换器层的金刚石辐射探测器
- DOI:
10.1002/pssa.202100315 - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Miyake Taku;Nakagawa Hisaya;Masuzawa Tomoaki;Yamada Takatoshi;Nakano Takayuki;Takagi Katsuyuki;Aoki Toru;Mimura Hidenori - 通讯作者:
Mimura Hidenori
Outcomes of vitamin D3 supplementation on serum 25-hydroxy vitamin D in male runners: a randomized controlled trial
补充维生素 D3 对男性跑步者血清 25-羟基维生素 D 的影响:一项随机对照试验
- DOI:
10.23736/s0393-3660.22.04781-7 - 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:0.1
- 作者:
T. Mami;Kasai Mayumi;Nakano Takayuki;Sasahara Jun - 通讯作者:
Sasahara Jun
Detection of triggered shallow slips caused by large earthquakes using L-band SAR interferometry
利用 L 波段 SAR 干涉技术检测大地震引发的浅层滑动
- DOI:
10.1186/s40623-020-01239-6 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Fujiwara Satoshi;Nakano Takayuki;Morishita Yu - 通讯作者:
Morishita Yu
災害経験の伝承による被災リスク軽減の可能性
通过传递灾害经验来减少灾害风险的可能性
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Fujiwara Satoshi;Nakano Takayuki;Morishita Yu;瀬戸真之 - 通讯作者:
瀬戸真之
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Development of thermal neutron imaging sensor using BGaN semiconductor detector
使用BGaN半导体探测器开发热中子成像传感器
- 批准号:
19H04394 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
International comparative study on the effectiveness of management approach
管理方法有效性的国际比较研究
- 批准号:
16K04009 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Parameter analysis for practical application of earthquake safety evaluation of residential fill and development of generation method of topography data
住宅填土地震安全评价实际应用参数分析及地形数据生成方法开发
- 批准号:
15K16288 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
III族窒化物半導体/金属量子多層構造による高温域熱電変換素子の開発
采用III族氮化物半导体/金属量子多层结构的高温范围热电转换器件的开发
- 批准号:
24560816 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
III族窒化物半導体電子デバイスに関する研究
III族氮化物半导体电子器件的研究
- 批准号:
11J09146 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
MOCVD法によるIII族窒化物半導体ナノ構造形成と単一光子発生器の実現
MOCVD法III族氮化物半导体纳米结构的形成及单光子发生器的实现
- 批准号:
10J09067 - 财政年份:2010
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
非極性面III族窒化物半導体を用いた高効率緑色発光素子実現のための研究
利用非极性III族氮化物半导体实现高效绿光发光器件的研究
- 批准号:
09J07654 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
III族窒化物半導体混晶の欠陥準位・表面準位の評価と制御
III族氮化物半导体混晶的缺陷能级和表面能级的评估和控制
- 批准号:
19032001 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
高効率可視・紫外光源を目指した非極性 III 族窒化物半導体量子構造の形成
用于高效可见/紫外光源的非极性III族氮化物半导体量子结构的形成
- 批准号:
06F06385 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
III族窒化物半導体を用いた紫外発光デバイスの研究
使用III族氮化物半导体的紫外发光器件的研究
- 批准号:
06J51092 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
III族窒化物半導体ショットキー接合の制御とそのデバイス応用
III族氮化物半导体肖特基结的控制及其器件应用
- 批准号:
05J09083 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
III族窒化物半導体及び酸化亜鉛単結晶を接合した高輝度発光素子の開発
III族氮化物半导体与氧化锌单晶组合的高亮度发光器件的开发
- 批准号:
05J11748 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
III族窒化物半導体中の希土類元素の原子レベル制御とその物性に関する研究
III族氮化物半导体稀土元素原子能级控制及其物理性质研究
- 批准号:
16760251 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 11.07万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)














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