Development of BGaN semiconductor devices for neutron semiconductor detector

中子半导体探测器用BGaN半导体器件的研制

基本信息

  • 批准号：
    16H03899
  • 负责人：
    Nakano Takayuki
  • 金额：
    $ 11.07万
  • 依托单位：
    Shizuoka University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
静岡大学工学部電子物質科学科中野研究室HP
静冈大学工学部电子材料科学系中野实验室HP
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法
中子半导体探测结构、中子半导体探测器以及中子半导体探测结构的制造方法
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
MOVPE 法を用いた厚膜BGaN 結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製
MOVPE法厚膜BGaN晶体生长研究及垂直中子探测装置的制作
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    丸山 貴之;高橋 祐吏;山田 夏暉;江原 一司;望月 健;中川 央也;宇佐美 茂佳;本田 善央;天野 浩;小島 一信;秩父 重英; 井上 翼;青木 徹;中野 貴之
  • 通讯作者：
    中野 貴之
Kinetics analysis of desorption process in BGaN MOVPE
BGaN MOVPE 解吸过程的动力学分析
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kazushi Ebara;Ken Mochizuki;Yoku Inoue;Toru Aoki;Kazunobu Kojima;Shigefusa F. Chichibu;and Takayuki Nakano
  • 通讯作者：
    and Takayuki Nakano
Radiation detection characteristics of BGaN semiconductor detectors
BGaN半导体探测器的辐射探测特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    N. Yamada;K. Mochizuki;T. Maruyama;K. Ebara;Y. Takahashi;H. Nakagawa;S. Usami;Y. Honda;H. Amano;K. Kojima;S. F. Chichibu;Y. Inoue;T. Aoki;T. Nakano
  • 通讯作者：
    T. Nakano
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  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Miyake Taku;Nakagawa Hisaya;Masuzawa Tomoaki;Yamada Takatoshi;Nakano Takayuki;Takagi Katsuyuki;Aoki Toru;Mimura Hidenori
  • 通讯作者：
    Mimura Hidenori
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  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Earth, Planets and Space
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Fujiwara Satoshi;Nakano Takayuki;Morishita Yu
  • 通讯作者：
    Morishita Yu
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Fujiwara Satoshi;Nakano Takayuki;Morishita Yu;瀬戸真之
  • 通讯作者：
    瀬戸真之

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    $ 11.07万
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