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Development of BGaN semiconductor devices for neutron semiconductor detector

Development of BGaN semiconductor devices for neutron semiconductor detector
中子半导体探测器用BGaN半导体器件的研制
批准号：
16H03899
负责人：
Nakano Takayuki
金额：
$11.07万
依托单位：
Shizuoka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16H03899/
关键词：
中性子検出III族窒化物半導体中性子半導体検出器BGaNMOVPE結晶成長III族窒化物半導体検出器中性子検出半導体α線飛程エピタキシャル放射線先端機能デバイス

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MOVPE 法を用いた厚膜BGaN 結晶成長の検討および縦型中性子検出デバイスの作製
MOVPE法厚膜BGaN晶体生长研究及垂直中子探测装置的制作
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [丸山 貴之, 高橋 祐吏, 山田 夏暉, 江原 一司, 望月 健, 中川 央也, 宇佐美 茂佳, 本田 善央, 天野 浩, 小島 一信, 秩父 重英, 井上 翼, 青木 徹, 中野 貴之]
通讯作者： 中野 貴之
静岡大学工学部電子物質科学科中野研究室HP
静冈大学工学部电子材料科学系中野实验室HP
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
中性子半導体検出構造、中性子半導体検出器、及び中性子半導体検出構造の製造方法
中子半导体探测结构、中子半导体探测器以及中子半导体探测结构的制造方法
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
MOVPE 法を用いた厚膜 BGaN 成長および縦型中性子検出デバイスの作製
MOVPE法厚膜BGaN生长及垂直中子探测装置的制作
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [高橋祐吏, 丸山貴之, 山田夏暉, 江原一司, 望月健, 中川央也, 宇佐美茂佳, 本田善央, 天野浩, 小島一信, 秩父重英, 井上翼, 青木徹, 中野貴之]
通讯作者： 中野貴之
共 42 条
    Development of thermal neutron imaging sensor using BGaN semiconductor detector
    • 批准号：
      19H04394
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.23万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Nakano Takayuki
    • 依托单位：
      Shizuoka University
    International comparative study on the effectiveness of management approach
    • 批准号：
      16K04009
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Nakano Takayuki
    • 依托单位：
      Hosei University
    Parameter analysis for practical application of earthquake safety evaluation of residential fill and development of generation method of topography data
    海外基金