Development of thermal neutron imaging sensor using BGaN semiconductor detector
Development of thermal neutron imaging sensor using BGaN semiconductor detector
批准号:
19H04394
负责人:
Nakano Takayuki
金额:
$11.23万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2022-03-31
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BGaN中性子検出器における結晶品質およびデバイス構造が検出特性に与える影響
晶体质量和器件结构对 BGaN 中子探测器探测特性的影响
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[太田 悠斗, 高橋 祐吏, 山田 夏暉, 宮澤 篤也, 中川 央也, 川崎 晟也, 本田 善央, 天野 浩, 嶋 紘平, 小島 一信, 秩父 重英, 井上 翼, 青木 徹, 中野 貴之]
通讯作者:
中野 貴之
厚膜BGaN結晶成長におけるGaN中間層の影響およびデバイス特性評価
GaN中间层对厚膜BGaN晶体生长的影响及器件特性评估
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[松川 真也, 太田 悠斗, 宮澤 篤也, 中川 央也, 川崎 晟也, 安藤 悠人, 本田 善央, 天野 浩, 井上 翼, 青木 徹, 中野 貴之]
通讯作者:
中野 貴之
H2キャリアガスを用いたBGaN結晶成長メカニズムの解析
使用 H2 载气分析 BGaN 晶体生长机理
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[清水 勇希, 江原 一司, 新宅 秀矢, 井上 翼, 青木 徹, 嶋 紘平, 小島 一信, 秩父 重英, 中野 貴之]
通讯作者:
中野 貴之
耐高温中性子半導体検出器に向けた新規BGaNデバイスの作製
用于高温中子半导体探测器的新型 BGaN 器件的制造
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[中村大輔, 西川瞬, 小関凌也, 林幸佑, 川崎晟也, 權熊, 若林源一郎, 本田善央, 天野浩, 井上翼, 青木徹, 中野貴之]
通讯作者:
中野貴之
Improvement of neutron detection efficiency for BGaN semiconductor detectors
提高BGaN半导体探测器的中子探测效率
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Nakano, Y. Takahashi, Y. Ohta, N. Yamada, H. Nakagawa, Y. Honda, H. Amano, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, Y. Inoue, T. Aoki]
通讯作者:
T. Aoki
共 22 条
International comparative study on the effectiveness of management approach
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批准号:16K04009
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2016
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负责人:Nakano Takayuki
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依托单位:
Development of BGaN semiconductor devices for neutron semiconductor detector
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批准号:16H03899
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.07万
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财政年份:2016
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负责人:Nakano Takayuki
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依托单位:
Parameter analysis for practical application of earthquake safety evaluation of residential fill and development of generation method of topography data
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批准号:15K16288
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.25万
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财政年份:2015
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负责人:Nakano Takayuki
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依托单位:
海外基金