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Demonstration of high sensitive ultrasonic detection by the integration of piezoelectric MEMS and ferroelectric gate FET

压电MEMS与铁电栅极FET集成的高灵敏度超声波检测演示

基本信息

批准号：
16H04353
负责人：
Yoshimura Takeshi
金额：
$ 10.57万
依托单位：
Osaka Prefecture University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Effects of (Bi1/2,Na1/2)TiO3 on the electrical properties of BiFeO3-based thin films

DOI：
10.7567/jjap.55.10ta17
发表时间：
2016-09
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
J. Choi;T. Yoshimura;N. Fujimura
通讯作者：
J. Choi;T. Yoshimura;N. Fujimura

Fabrication of μm-thick P(VDF-TrFE) Films and the electrical properties

μm厚P(VDF-TrFE)薄膜的制备及其电性能

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuji Matsushita;Takeshi Yoshimura and Norifumi Fujimura
通讯作者：
Takeshi Yoshimura and Norifumi Fujimura

Piezoelectric Properties of vinylidene fluoride-trifluoroethylene copolymer [P(VDF-TrFE)] films

偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物[P(VDF-TrFE)]薄膜的压电性能

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Izuru Kanagawa;Yuji Matsushita;Takeshi Yoshimura;and Norifumi Fujimura
通讯作者：
and Norifumi Fujimura

スパッタ法を用いたSi基板上へのPZTエピタキシャル薄膜の作製

溅射法在Si衬底上制备PZT外延薄膜

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
村瀬　幹生;和泉　享兵;吉村　武;藤村　紀文
通讯作者：
藤村　紀文

"Microscopic characterization of direct piezoelectric response "

“直接压电响应的微观表征”

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Yoshimura;K. Kariya;and N . Fujimura
通讯作者：
and N . Fujimura

DOI：
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作者：
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Yoshimura Takeshi其他文献

Unusual selective monitoring of N,N-dimethylformamide in a two-dimensional layered field-effect transistor

二维层状场效应晶体管中 N,N-二甲基甲酰胺的异常选择性监测

DOI：
10.26434/chemrxiv-2023-l8440
发表时间：
2023
期刊：
ChemRxiv
影响因子：
0
作者：
Fukui Akito;Matsuyama Keigo;Onoe Hiroaki;Itai Shun;Ikeno Hidekazu;Hiraoka Shunsuke;Hiura Kousei;Hijikata Yuh;Pirillo Jenny;Nagata Takahiro;Takei Kuniharu;Yoshimura Takeshi;Fujimura Norifumi;Kiriya Daisuke
通讯作者：
Kiriya Daisuke

Myoclonus: Hperkineitc movement disorders.

肌阵挛：运动障碍。

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tsunomori Yuiko;Higashinaka Ryuichiro;Yoshimura Takeshi;Isoda Yoshinori;Ugawa Y
通讯作者：
Ugawa Y

One of the Key Issues in Fabrication Process toward Large-scale Superconducting Digital Circuits

大规模超导数字电路制作工艺的关键问题之一

DOI：
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
0
作者：
Matsuyama Keigo;Aoki Ryuya;Miura Kohei;Fukui Akito;Togawa Yoshihiko;Yoshimura Takeshi;Fujimura Norifumi;Kiriya Daisuke;Mutsuo Hidaka (Invited)
通讯作者：
Mutsuo Hidaka (Invited)

Crystal structure and piezoelectric properties of lead-free epitaxial (K,Na)NbO<sub>3</sub> thin films grown on Si substrates

Si衬底上无铅外延(K,Na)NbO<sub>3</sub>薄膜的晶体结构和压电性能

DOI：
10.1063/5.0110135
发表时间：
2022
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Tanaka Kiyotaka;Kawata Yoshiyuki;Kweon Sang Hyo;Tan Goon;Yoshimura Takeshi;Kanno Isaku
通讯作者：
Kanno Isaku

非平衡大気圧N 2 /O 2 プラズマを使って蒸着したZnO膜の配向制御

非平衡大气压N 2 /O 2 等离子体沉积ZnO薄膜的取向控制

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Nose Yukinori;Nakamura Tatsuru;Yoshimura Takeshi;Ashida Atsushi;Uehara Tsuyoshi;Fujimura Norifumi
通讯作者：
Fujimura Norifumi