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Development of new radiation tolerant materials by controlling nano-defects
通过控制纳米缺陷开发新型耐辐射材料
基本信息
- 批准号：16H04518
- 负责人：
- 金额：$ 11.56万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Large-scale molecular-dynamics simulations of solid phase epitaxy in Si
硅固相外延的大规模分子动力学模拟
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Higashiyama;M. Ishimaru;M. Okugawa;and R. Nakamura;K. Kohno and M. Ishimaru;K. Kohno and M. Ishimaru
- 通讯作者：K. Kohno and M. Ishimaru
University of Tennessee/Oak Ridge National Laboratory/North Carolina State University(米国)
田纳西大学/橡树岭国家实验室/北卡罗来纳州立大学（美国）
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
- 通讯作者：
Compositional effects on radiation tolerance of amorphous silicon oxycarbide
- DOI：10.1016/j.jnucmat.2019.03.012
- 发表时间：2019-05
- 期刊：
- 影响因子：3.1
- 作者：Shoki Mizuguchi;Shinsuke Inoue;M. Ishimaru;Qing Su;M. Nastasi
- 通讯作者：Shoki Mizuguchi;Shinsuke Inoue;M. Ishimaru;Qing Su;M. Nastasi
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$ 11.56万 - 项目类别：
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