Development of new radiation tolerant materials by controlling nano-defects

通过控制纳米缺陷开发新型耐辐射材料

基本信息

  • 批准号：
    16H04518
  • 负责人：
    ISHIMARU MANABU
  • 金额：
    $ 11.56万
  • 依托单位：
    Kyushu Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
Large-scale molecular-dynamics simulations of solid phase epitaxy in Si
硅固相外延的大规模分子动力学模拟
University of Nebraska - Lincoln(米国)
内布拉斯加大学林肯分校（美国）
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
University of Tennessee/Oak Ridge National Laboratory/North Carolina State University(米国)
田纳西大学/橡树岭国家实验室/北卡罗来纳州立大学（美国）
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Molecular-dynamics simulations of solid phase epitaxy in silicon: Effects of system size, simulation time, and ensemble
硅固相外延的分子动力学模拟：系统尺寸、模拟时间和整体的影响
  • DOI：
    10.7567/jjap.57.095503
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    M. Higashiyama;M. Ishimaru;M. Okugawa;and R. Nakamura;K. Kohno and M. Ishimaru
  • 通讯作者：
    K. Kohno and M. Ishimaru
Compositional effects on radiation tolerance of amorphous silicon oxycarbide
  • DOI：
    10.1016/j.jnucmat.2019.03.012
  • 发表时间：
    2019-05
  • 期刊：
    Journal of Nuclear Materials
  • 影响因子：
    3.1
  • 作者：
    Shoki Mizuguchi;Shinsuke Inoue;M. Ishimaru;Qing Su;M. Nastasi
  • 通讯作者：
    Shoki Mizuguchi;Shinsuke Inoue;M. Ishimaru;Qing Su;M. Nastasi
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    2021
  • 资助金额：
    $ 11.56万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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