Electrochemical etching approarch to ultrathin films
Electrochemical etching approarch to ultrathin films
超薄膜的电化学蚀刻方法
批准号：
16H05981
负责人：
Shiogai Junichi
金额：
$17.06万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
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DOI：
10.1088/1361-6668/aab4ea
发表时间：
2018-05
期刊：
Superconductor Science and Technology
影响因子：
3.6
作者：
[T. Harada;J. Shiogai;T. Miyakawa;Tsutomu Nojima;Atsushi Tsukazaki]
通讯作者：
T. Harada;J. Shiogai;T. Miyakawa;Tsutomu Nojima;Atsushi Tsukazaki
電気化学エッチングを用いたFeSe薄膜高温超伝導
利用电化学刻蚀实现 FeSe 薄膜高温超导
利用电化学刻蚀实现 FeSe 薄膜高温超导
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[塩貝純一, 宮川智樹, 伊藤恭太, 野島勉, 塚﨑敦]
通讯作者：
塚﨑敦
DOI：
10.1380/jsssj.37.541
发表时间：
2016
期刊：
Hyomen Kagaku
影响因子：
--
作者：
[J. Shiogai;T. Nojima;A. Tsukazaki]
通讯作者：
J. Shiogai;T. Nojima;A. Tsukazaki
Electrochemical etching approach to ultrathin FeSe films using electric double layer transistor
使用双电层晶体管电化学蚀刻超薄 FeSe 薄膜
使用双电层晶体管电化学蚀刻超薄 FeSe 薄膜
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J. Shiogai, T. Miyakawa, Y. Ito, T. Nojima and A. Tsukazaki]
通讯作者：
T. Nojima and A. Tsukazaki
High-temperature superconductivity in ion-gated ultrathin FeSe films
离子门控超薄 FeSe 薄膜的高温超导性
离子门控超薄 FeSe 薄膜的高温超导性
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J. Shiogai, T. Miyakawa, Y. Ito, T. Nojima, and A. Tsukazaki]
通讯作者：
and A. Tsukazaki
共 14 条
Development of thermoelectric mateterial using van der Waals epitaxy
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批准号：21K18889
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$4.16万
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财政年份：2021
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负责人：Shiogai Junichi
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依托单位：
Exploration of physical properties of monochalcogenide in ultra-thin film form
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批准号：18H01865
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.56万
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财政年份：2018
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负责人：Shiogai Junichi
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依托单位：
Mechanism of the High-Tc superconductivity in iron chalcogenide ultrathin films
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批准号：15K13354
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.5万
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财政年份：2015
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负责人：Shiogai Junichi
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依托单位：
海外基金