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Exploration of physical properties of monochalcogenide in ultra-thin film form

Exploration of physical properties of monochalcogenide in ultra-thin film form
超薄膜形式单硫属化物物理性质的探索
批准号：
18H01865
负责人：
Shiogai Junichi
金额：
$11.56万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18H01865/
关键词：
モノカルコゲナイド超伝導半導体薄膜2次元物質薄膜成長ヘテロ構造エッチング

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DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [塩貝 純一, 野島 勉, 塚﨑 敦]
通讯作者： 塚﨑 敦
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脉冲激光沉积生长的层状 InSe 薄膜中厚度相关的光学带隙和电传输特性
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [D. Zheng, J. Shiogai, K. Fujiwara, A. Tsukazaki]
通讯作者： A. Tsukazaki
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DOI： --
发表时间： 2019
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通讯作者： A. Tsukazaki
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脉冲激光沉积层状 InSe 薄膜，用于研究厚度依赖性带隙修改
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [D. Zheng, J. Shiogai, K. Fujiwara, and A. Tsukazaki]
通讯作者： and A. Tsukazaki
共 6 条
    Development of thermoelectric mateterial using van der Waals epitaxy
    • 批准号：
      21K18889
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.16万
    • 财政年份：
      2021
    • 负责人：
      Shiogai Junichi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Electrochemical etching approarch to ultrathin films
    • 批准号：
      16H05981
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $17.06万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Shiogai Junichi
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Mechanism of the High-Tc superconductivity in iron chalcogenide ultrathin films
    • 批准号：
      15K13354
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Shiogai Junichi
    • 依托单位：
      Tohoku University
    海外基金