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Research on tunnel FET using IV/III-V heterojunction toward circuit application

IV/III-V异质结隧道FET面向电路应用的研究

基本信息

批准号：
16H06080
负责人：
Tomioka Katsuhiro
金额：
$ 15.97万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Heterogeneous Integration of InGaAs Nanowires on Si(111) for Si Photonics

用于硅光子学的 Si(111) 上 InGaAs 纳米线的异质集成

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Chiba;K. Tomioka;F. Ishizaka;A. Yoshida;J. Motohisa
通讯作者：
J. Motohisa

Si基板上InGaAsナノワイヤアレイフォトダイオードに関する研究

Si衬底上InGaAs纳米线阵列光电二极管的研究

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
千葉康平;吉田旭伸;冨岡克広;本久順一
通讯作者：
本久順一

Heterogeneous integration of vertical InGaAs nanowires on Ge (111) substrates by selective-area growth

通过选择性区域生长在Ge（111）衬底上异质集成垂直InGaAs纳米线

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
A. Yoshida;Y. Minami;K. Tomioka;J. Motohisa
通讯作者：
J. Motohisa

Integration of InGaAs nanowires on Si(111) for optical devices

用于光学器件的 Si(111) 上 InGaAs 纳米线的集成

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Chiba;K. Tomioka;A. Yoshida;J. Motohisa
通讯作者：
J. Motohisa

(Invited) Transistor application using vertical III-V nanowires on Si platform

（特邀）Si平台上垂直III-V纳米线的晶体管应用

DOI：
10.1149/08001.0043ecst
发表时间：
2017
期刊：
ECS Transaction
影响因子：
0
作者：
W. Zhang;S. Netsu;T. Kanazawa;T. Amemiya;Y. Miyamoto;Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
通讯作者：
Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui

DOI：
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作者：
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Current injection and luminescence properties of wurtzite InP nanowires with crystal phase transition

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DOI：
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发表时间：
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期刊：
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影响因子：
1.5
作者：
Azuma Yuki;Kimura Shun;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Tomioka Katsuhiro
通讯作者：
Tomioka Katsuhiro

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基于成核过程的纳米线原子薄量子结构的合理合成

DOI：
10.1038/s41598-020-67625-y
发表时间：
2020
期刊：
Scientific Reports
影响因子：
4.6
作者：
Tomioka Katsuhiro;Motohisa Junichi;Fukui Takashi
通讯作者：
Fukui Takashi

Selective-Area Growth of AlInAs Nanowires

AlInAs 纳米线的选择性区域生长

DOI：
10.1149/09806.0149ecst
发表时间：
2020
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Tai Yoshiki;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Tomioka Katsuhiro
通讯作者：
Tomioka Katsuhiro

Demonstration of InP/InAsP/InP axial heterostructure nanowire array vertical LEDs

InP/InAsP/InP 轴向异质结构纳米线阵列垂直 LED 演示

DOI：
10.1088/1361-6528/ab9bd2
发表时间：
2020
期刊：
Nanotechnology
影响因子：
3.5
作者：
Akamatsu Tomoya;Tomioka Katsuhiro;Motohisa Junichi
通讯作者：
Motohisa Junichi

確率外乱下におけるUAVの有限時間整定制御の検討

随机扰动下无人机有限时间稳定控制研究

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Akamatsu Tomoya;Tomioka Katsuhiro;Motohisa Junichi;星野健太
通讯作者：
星野健太

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DOI：
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期刊：
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作者：
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