Research on tunnel FET using IV/III-V heterojunction toward circuit application

IV/III-V异质结隧道FET面向电路应用的研究

基本信息

  • 批准号:
    16H06080
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 15.97万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
(Invited) Transistor application using vertical III-V nanowires on Si platform
(特邀)Si平台上垂直III-V纳米线的晶体管应用
  • DOI:
    10.1149/08001.0043ecst
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    W. Zhang;S. Netsu;T. Kanazawa;T. Amemiya;Y. Miyamoto;Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
  • 通讯作者:
    Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
Si基板上InGaAsナノワイヤアレイフォトダイオードに関する研究
Si衬底上InGaAs纳米线阵列光电二极管的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    千葉 康平;吉田 旭伸;冨岡 克広;本久 順一
  • 通讯作者:
    本久 順一
Ge上InGaAsナノワイヤの組成評価と縦型素子応用
InGaAs 纳米线在 Ge 和垂直器件应用中的成分评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吉田 旭伸;冨岡 克広;千葉 康平;本久 順一
  • 通讯作者:
    本久 順一
InPナノワイヤLEDにおける発光効率の温度依存性
InP 纳米线 LED 发光效率的温度依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    本久 順一;亀田 滉貴;佐々木 正尋;冨岡 克広
  • 通讯作者:
    冨岡 克広
Heterogeneous integration of vertical InGaAs nanowires on Ge (111) substrates by selective-area growth
通过选择性区域生长在Ge(111)衬底上异质集成垂直InGaAs纳米线
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Yoshida;Y. Minami;K. Tomioka;J. Motohisa
  • 通讯作者:
    J. Motohisa
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Current injection and luminescence properties of wurtzite InP nanowires with crystal phase transition
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    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Azuma Yuki;Kimura Shun;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Tomioka Katsuhiro
  • 通讯作者:
    Tomioka Katsuhiro
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  • DOI:
    10.1038/s41598-020-67625-y
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Tomioka Katsuhiro;Motohisa Junichi;Fukui Takashi
  • 通讯作者:
    Fukui Takashi
Selective-Area Growth of AlInAs Nanowires
AlInAs 纳米线的选择性区域生长
  • DOI:
    10.1149/09806.0149ecst
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tai Yoshiki;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Tomioka Katsuhiro
  • 通讯作者:
    Tomioka Katsuhiro
Demonstration of InP/InAsP/InP axial heterostructure nanowire array vertical LEDs
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  • DOI:
    10.1088/1361-6528/ab9bd2
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.5
  • 作者:
    Akamatsu Tomoya;Tomioka Katsuhiro;Motohisa Junichi
  • 通讯作者:
    Motohisa Junichi
Robust Vibration Control of Two-Mass Resonant Systems in State Space
状态空间中两质量谐振系统的鲁棒振动控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Motohisa Junichi;Kameda Hiroki;Sasaki Masahiro;Tomioka Katsuhiro;Emre Sariyildiz
  • 通讯作者:
    Emre Sariyildiz

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    $ 15.97万
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