Research on tunnel FET using IV/III-V heterojunction toward circuit application
Research on tunnel FET using IV/III-V heterojunction toward circuit application
批准号:
16H06080
负责人:
Tomioka Katsuhiro
金额:
$15.97万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31
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Heterogeneous Integration of InGaAs Nanowires on Si(111) for Si Photonics
用于硅光子学的 Si(111) 上 InGaAs 纳米线的异质集成
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Chiba, K. Tomioka, F. Ishizaka, A. Yoshida, J. Motohisa]
通讯作者:
J. Motohisa
Si基板上InGaAsナノワイヤアレイフォトダイオードに関する研究
Si衬底上InGaAs纳米线阵列光电二极管的研究
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[千葉 康平, 吉田 旭伸, 冨岡 克広, 本久 順一]
通讯作者:
本久 順一
Heterogeneous integration of vertical InGaAs nanowires on Ge (111) substrates by selective-area growth
通过选择性区域生长在Ge(111)衬底上异质集成垂直InGaAs纳米线
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[A. Yoshida, Y. Minami, K. Tomioka, J. Motohisa]
通讯作者:
J. Motohisa
Integration of InGaAs nanowires on Si(111) for optical devices
用于光学器件的 Si(111) 上 InGaAs 纳米线的集成
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Chiba, K. Tomioka, A. Yoshida, J. Motohisa]
通讯作者:
J. Motohisa
(Invited) Transistor application using vertical III-V nanowires on Si platform
(特邀)Si平台上垂直III-V纳米线的晶体管应用
DOI:
10.1149/08001.0043ecst
发表时间:
2017
期刊:
ECS Transaction
影响因子:
--
作者:
[W. Zhang, S. Netsu, T. Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto, Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui]
通讯作者:
Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
共 91 条
Inverstigation on vertical tunnel FET using Si/III-V heterojunction and their three-dimensional integrated circuit applications
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批准号:19H02184
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.32万
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财政年份:2019
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负责人:Tomioka Katsuhiro
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依托单位:
Demonstration of ultrafast resonant tunneling transistor
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批准号:19K21951
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2019
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负责人:Tomioka Katsuhiro
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依托单位:
海外基金