Research on tunnel FET using IV/III-V heterojunction toward circuit application
IV/III-V异质结隧道FET面向电路应用的研究
基本信息
- 批准号:16H06080
- 负责人:
- 金额:$ 15.97万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
(Invited) Transistor application using vertical III-V nanowires on Si platform
(特邀)Si平台上垂直III-V纳米线的晶体管应用
- DOI:10.1149/08001.0043ecst
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:W. Zhang;S. Netsu;T. Kanazawa;T. Amemiya;Y. Miyamoto;Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
- 通讯作者:Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
Si基板上InGaAsナノワイヤアレイフォトダイオードに関する研究
Si衬底上InGaAs纳米线阵列光电二极管的研究
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:千葉 康平;吉田 旭伸;冨岡 克広;本久 順一
- 通讯作者:本久 順一
Ge上InGaAsナノワイヤの組成評価と縦型素子応用
InGaAs 纳米线在 Ge 和垂直器件应用中的成分评估
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:吉田 旭伸;冨岡 克広;千葉 康平;本久 順一
- 通讯作者:本久 順一
InPナノワイヤLEDにおける発光効率の温度依存性
InP 纳米线 LED 发光效率的温度依赖性
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:本久 順一;亀田 滉貴;佐々木 正尋;冨岡 克広
- 通讯作者:冨岡 克広
Heterogeneous integration of vertical InGaAs nanowires on Ge (111) substrates by selective-area growth
通过选择性区域生长在Ge(111)衬底上异质集成垂直InGaAs纳米线
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. Yoshida;Y. Minami;K. Tomioka;J. Motohisa
- 通讯作者:J. Motohisa
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Current injection and luminescence properties of wurtzite InP nanowires with crystal phase transition
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- 影响因子:1.5
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- 影响因子:4.6
- 作者:
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- 影响因子:0
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- 影响因子:3.5
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状态空间中两质量谐振系统的鲁棒振动控制
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- 资助金额:
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23K23214 - 财政年份:2024
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24K08259 - 财政年份:2024
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- 批准号:
23K21143 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 15.97万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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23K23031 - 财政年份:2024
- 资助金额:
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24K07582 - 财政年份:2024
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