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Research on tunnel FET using IV/III-V heterojunction toward circuit application

Research on tunnel FET using IV/III-V heterojunction toward circuit application
IV/III-V异质结隧道FET面向电路应用的研究
批准号:
16H06080
负责人:
Tomioka Katsuhiro
金额:
$15.97万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31

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Heterogeneous Integration of InGaAs Nanowires on Si(111) for Si Photonics
用于硅光子学的 Si(111) 上 InGaAs 纳米线的异质集成
DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
作者: [K. Chiba, K. Tomioka, F. Ishizaka, A. Yoshida, J. Motohisa]
通讯作者: J. Motohisa
Si基板上InGaAsナノワイヤアレイフォトダイオードに関する研究
Si衬底上InGaAs纳米线阵列光电二极管的研究
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [千葉 康平, 吉田 旭伸, 冨岡 克広, 本久 順一]
通讯作者: 本久 順一
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通过选择性区域生长在Ge(111)衬底上异质集成垂直InGaAs纳米线
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [A. Yoshida, Y. Minami, K. Tomioka, J. Motohisa]
通讯作者: J. Motohisa
Integration of InGaAs nanowires on Si(111) for optical devices
用于光学器件的 Si(111) 上 InGaAs 纳米线的集成
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
作者: [K. Chiba, K. Tomioka, A. Yoshida, J. Motohisa]
通讯作者: J. Motohisa
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    Inverstigation on vertical tunnel FET using Si/III-V heterojunction and their three-dimensional integrated circuit applications
    • 批准号:
      19H02184
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $11.32万
    • 财政年份:
      2019
    • 负责人:
      Tomioka Katsuhiro
    • 依托单位:
    Demonstration of ultrafast resonant tunneling transistor
    • 批准号:
      19K21951
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额:
      $4.16万
    • 财政年份:
      2019
    • 负责人:
      Tomioka Katsuhiro
    • 依托单位:
    海外基金