刷新
{{item.name}}会员
Inverstigation on vertical tunnel FET using Si/III-V heterojunction and their three-dimensional integrated circuit applications
Si/III-V异质结垂直隧道场效应管及其三维集成电路应用研究
基本信息
- 批准号：19H02184
- 负责人：
- 金额：$ 11.32万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（62）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Scaling effect on vertical gate-all-around FETs using III-V NW-channels on Si
使用 Si 上的 III-V NW 沟道对垂直环栅 FET 的缩放效应
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Akinobu Yoshida;Hironori Gamo;Junichi Motohisa;Katsuhiro Tomioka;松尾 匠，佐々木史雄，柳 久雄;Katsuhiro Tomioka and Junichi Motohisa
- 通讯作者：Katsuhiro Tomioka and Junichi Motohisa
InAs/InP Core-Shell Nanowire Channel for High-Mobility Vertical Surrounding-Gate Transistors
用于高迁移率垂直环栅晶体管的 InAs/InP 核壳纳米线通道
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Gamo;J. Motohisa;K.Tomioka
- 通讯作者：K.Tomioka
(Invited) Integration of III-V Nanowire on Si and Their Device Application
（特邀）III-V族纳米线在Si上的集成及其器件应用
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Katsuhiro Tomioka;Hironori Gamo;and Junichi Motohisa
- 通讯作者：and Junichi Motohisa
（チュートリアル・招待講演）半導体ナノワイヤの成長とデバイス応用
（教程/特邀报告）半导体纳米线的生长与器件应用
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：本久 順一;冨岡 克広
- 通讯作者：冨岡 克広
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Tomioka Katsuhiro其他文献
Selective-area growth of pulse-doped InAs nanowires on Si and vertical transistor application
脉冲掺杂 InAs 纳米线在 Si 上的选择性区域生长和垂直晶体管应用
- DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2018.07.035 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：
Gamo Hironori;Tomioka Katsuhiro - 通讯作者：
Tomioka Katsuhiro
Current injection and luminescence properties of wurtzite InP nanowires with crystal phase transition
晶相转变纤锌矿InP纳米线的电流注入和发光特性
- DOI：
10.35848/1347-4065/aca985 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Azuma Yuki;Kimura Shun;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Tomioka Katsuhiro - 通讯作者：
Tomioka Katsuhiro
確率外乱下におけるUAVの有限時間整定制御の検討
随机扰动下无人机有限时间稳定控制研究
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Akamatsu Tomoya;Tomioka Katsuhiro;Motohisa Junichi;星野健太 - 通讯作者：
星野健太
Robust Vibration Control of Two-Mass Resonant Systems in State Space
状态空间中两质量谐振系统的鲁棒振动控制
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Motohisa Junichi;Kameda Hiroki;Sasaki Masahiro;Tomioka Katsuhiro;Emre Sariyildiz - 通讯作者：
Emre Sariyildiz
マイクロリング構造を有するCH3NH3PbBr3/PEO複合体LECの作製
微环结构CH3NH3PbBr3/PEO复合LEC的制备
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Gamo Hironori;Tomioka Katsuhiro;椋橋 奈穂，水野 斎，佐々木 史雄，柳 久雄 - 通讯作者：
椋橋 奈穂，水野 斎，佐々木 史雄，柳 久雄
Tomioka Katsuhiro的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Tomioka Katsuhiro', 18)}}的其他基金
Demonstration of ultrafast resonant tunneling transistor
超快谐振隧道晶体管演示
- 批准号：
19K21951 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Research on tunnel FET using IV/III-V heterojunction toward circuit application
IV/III-V异质结隧道FET面向电路应用的研究
- 批准号：
16H06080 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
相似海外基金
SnSの欠陥化学の探究と薄膜トランジスタへの展開
SnS缺陷化学探索及其在薄膜晶体管中的应用
- 批准号：
23K23431 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
真空光トランジスタの創成と超高周波電磁波発生
真空光电晶体管的制作和超高频电磁波的产生
- 批准号：
24H00319 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
シリコンスピン電界効果トランジスタの高性能化を実現する低界面粗さ構造の創製
创建低界面粗糙度结构，提高硅自旋场效应晶体管的性能
- 批准号：
24K17326 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
強誘電・反強誘電体トランジスタを用いたリアルタイム学習ハードウェアの基盤構築
使用铁电和反铁电晶体管为实时学习硬件奠定基础
- 批准号：
23K20951 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高効率かつ高信頼性の縦型GaN接合型電界効果トランジスタの実現
高效可靠垂直GaN结型场效应晶体管的实现
- 批准号：
24KJ1270 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
不純物ドープ有機半導体結晶材料の大規模探索と有機トランジスタ応用
杂质掺杂有机半导体晶体材料及有机晶体管应用的大规模探索
- 批准号：
23K23199 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相補型高速パワーインバータのためのpチャネルダイヤモンド電界効果トランジスタ
用于互补高速功率逆变器的 P 沟道金刚石场效应晶体管
- 批准号：
23K26167 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
絶縁窒化アルミニウムのp型伝導機構発現の解明とpチャネル電界効果トランジスタ応用
绝缘氮化铝p型导电机理的阐明及其在p沟道场效应晶体管中的应用
- 批准号：
24K17305 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
高感度電子スピン共鳴法の開発とこれを用いたナノMOSトランジスタのRTN欠陥解析
开发高灵敏度电子自旋共振方法并利用该方法分析nanoMOS晶体管中的RTN缺陷
- 批准号：
24K00942 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
人工レセプタを修飾した有機トランジスタ型ウェアラブル化学センサによるヒト血糖分析
使用人工受体修饰的有机晶体管可穿戴化学传感器进行人体血糖分析
- 批准号：
24KJ0954 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.32万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows