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Inverstigation on vertical tunnel FET using Si/III-V heterojunction and their three-dimensional integrated circuit applications

Inverstigation on vertical tunnel FET using Si/III-V heterojunction and their three-dimensional integrated circuit applications
Si/III-V异质结垂直隧道场效应管及其三维集成电路应用研究
批准号：
19H02184
负责人：
Tomioka Katsuhiro
金额：
$11.32万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H02184/
关键词：
ナノワイヤトランジスタトンネルFETFETIII-V電気・電子材料半導体デバイス結晶成長省エネルギーナノ材料薄膜・量子構造ナノワイヤ材料

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DOI： --
发表时间： 2021
期刊： IEEE SNW 2021 Tech. Dig.
影响因子： --
作者： [Akinobu Yoshida, Hironori Gamo, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka, 松尾 匠，佐々木史雄，柳 久雄, Katsuhiro Tomioka and Junichi Motohisa]
通讯作者： Katsuhiro Tomioka and Junichi Motohisa
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DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： 冨岡 克広
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通讯作者： K.Tomioka
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（特邀）III-V族纳米线在Si上的集成及其器件应用
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [Katsuhiro Tomioka, Hironori Gamo, and Junichi Motohisa]
通讯作者： and Junichi Motohisa
共 56 条
    Demonstration of ultrafast resonant tunneling transistor
    • 批准号：
      19K21951
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.16万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Tomioka Katsuhiro
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    Research on tunnel FET using IV/III-V heterojunction toward circuit application
    • 批准号：
      16H06080
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $15.97万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Tomioka Katsuhiro
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    海外基金