Inverstigation on vertical tunnel FET using Si/III-V heterojunction and their three-dimensional integrated circuit applications

Si/III-V异质结垂直隧道场效应管及其三维集成电路应用研究

基本信息

批准号：
19H02184
负责人：
Tomioka Katsuhiro
金额：
$ 11.32万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（62）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

（チュートリアル・招待講演）半導体ナノワイヤの成長とデバイス応用

（教程/特邀报告）半导体纳米线的生长与器件应用

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
本久順一;冨岡克広
通讯作者：
冨岡克広

Si上のInAs/GaSbコアシェルナノワイヤ縦型サラウンディングゲートトランジスタの試作

Si 上 InAs/GaSb 核壳纳米线垂直环绕栅晶体管原型

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
蒲生浩憲;本久順一;冨岡克広
通讯作者：
冨岡克広

熱アニールによるInP/InAsPヘテロ構造ナノワイヤのサイズ制御と発光ダイオード応用

通过热退火和发光二极管应用控制 InP/InAsP 异质结构纳米线的尺寸

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
赤松知弥;佐々木正尋;冨岡克広;本久順一
通讯作者：
本久順一

Si上InAs/GaSbコアシェルナノワイヤ選択成長

Si 上选择性生长 InAs/GaSb 核壳纳米线

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
蒲生浩憲;冨岡克広
通讯作者：
冨岡克広

(Invited) Integration of III-V Nanowire on Si and Their Device Application

（特邀）III-V族纳米线在Si上的集成及其器件应用

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Katsuhiro Tomioka;Hironori Gamo;and Junichi Motohisa
通讯作者：
and Junichi Motohisa

DOI：
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Tomioka Katsuhiro其他文献

Selective-area growth of pulse-doped InAs nanowires on Si and vertical transistor application

脉冲掺杂 InAs 纳米线在 Si 上的选择性区域生长和垂直晶体管应用

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2018.07.035
发表时间：
2018
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
Gamo Hironori;Tomioka Katsuhiro
通讯作者：
Tomioka Katsuhiro

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晶相转变纤锌矿InP纳米线的电流注入和发光特性

DOI：
10.35848/1347-4065/aca985
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Azuma Yuki;Kimura Shun;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Tomioka Katsuhiro
通讯作者：
Tomioka Katsuhiro

Robust Vibration Control of Two-Mass Resonant Systems in State Space

状态空间中两质量谐振系统的鲁棒振动控制

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Motohisa Junichi;Kameda Hiroki;Sasaki Masahiro;Tomioka Katsuhiro;Emre Sariyildiz
通讯作者：
Emre Sariyildiz

確率外乱下におけるUAVの有限時間整定制御の検討

随机扰动下无人机有限时间稳定控制研究

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Akamatsu Tomoya;Tomioka Katsuhiro;Motohisa Junichi;星野健太
通讯作者：
星野健太

マイクロリング構造を有するCH3NH3PbBr3/PEO複合体LECの作製

微环结构CH3NH3PbBr3/PEO复合LEC的制备

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Gamo Hironori;Tomioka Katsuhiro;椋橋奈穂，水野斎，佐々木史雄，柳久雄
通讯作者：
椋橋奈穂，水野斎，佐々木史雄，柳久雄

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DOI：
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作者：
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Demonstration of ultrafast resonant tunneling transistor

超快谐振隧道晶体管演示

批准号：
19K21951
财政年份：
2019
资助金额：
$ 11.32万
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Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

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IV/III-V异质结隧道FET面向电路应用的研究

批准号：
16H06080
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资助金额：
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Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

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基于了解 2D 异质界面特性的 2D 隧道 FET

批准号：
19H00755
财政年份：
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资助金额：
$ 11.32万
项目类别：
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強誘電体ゲート絶縁膜を用いた低消費電力で高移動度な超高性能薄膜トランジスタの研究

利用铁电栅极绝缘膜的低功耗高迁移率超高性能薄膜晶体管的研究

批准号：
18J14689
财政年份：
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资助金额：
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Grant-in-Aid for JSPS Fellows