Demonstration of ultrafast resonant tunneling transistor

超快谐振隧道晶体管演示

基本信息

  • 批准号:
    19K21951
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.16万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-06-28 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(52)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Scaling effect on vertical gate-all-around FETs using III-V NW-channels on Si
使用 Si 上的 III-V NW 沟道对垂直环栅 FET 的缩放效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Akinobu Yoshida;Hironori Gamo;Junichi Motohisa;Katsuhiro Tomioka;松尾 匠,佐々木史雄,柳 久雄;Katsuhiro Tomioka and Junichi Motohisa
  • 通讯作者:
    Katsuhiro Tomioka and Junichi Motohisa
(Invited) Integration of III-V Nanowire on Si and Their Device Application
(特邀)III-V族纳米线在Si上的集成及其器件应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Katsuhiro Tomioka;Hironori Gamo;and Junichi Motohisa
  • 通讯作者:
    and Junichi Motohisa
(チュートリアル・招待講演)半導体ナノワイヤの成長とデバイス応用
(教程/特邀报告)半导体纳米线的生长与器件应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    本久 順一;冨岡 克広
  • 通讯作者:
    冨岡 克広
Si上InAs/GaSbコアシェルナノワイヤ選択成長
Si 上选择性生长 InAs/GaSb 核壳纳米线
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    蒲生 浩憲;冨岡 克広
  • 通讯作者:
    冨岡 克広
InAs/InP Core-Shell Nanowire Channel for High-Mobility Vertical Surrounding-Gate Transistors
用于高迁移率垂直环栅晶体管的 InAs/InP 核壳纳米线通道
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Gamo;J. Motohisa;K.Tomioka
  • 通讯作者:
    K.Tomioka
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Tomioka Katsuhiro其他文献

Selective-area growth of pulse-doped InAs nanowires on Si and vertical transistor application
脉冲掺杂 InAs 纳米线在 Si 上的选择性区域生长和垂直晶体管应用
  • DOI:
    10.1016/j.jcrysgro.2018.07.035
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.8
  • 作者:
    Gamo Hironori;Tomioka Katsuhiro
  • 通讯作者:
    Tomioka Katsuhiro
Current injection and luminescence properties of wurtzite InP nanowires with crystal phase transition
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    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Azuma Yuki;Kimura Shun;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Tomioka Katsuhiro
  • 通讯作者:
    Tomioka Katsuhiro
確率外乱下におけるUAVの有限時間整定制御の検討
随机扰动下无人机有限时间稳定控制研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Akamatsu Tomoya;Tomioka Katsuhiro;Motohisa Junichi;星野健太
  • 通讯作者:
    星野健太
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状态空间中两质量谐振系统的鲁棒振动控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Motohisa Junichi;Kameda Hiroki;Sasaki Masahiro;Tomioka Katsuhiro;Emre Sariyildiz
  • 通讯作者:
    Emre Sariyildiz
マイクロリング構造を有するCH3NH3PbBr3/PEO複合体LECの作製
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Gamo Hironori;Tomioka Katsuhiro;椋橋 奈穂,水野 斎,佐々木 史雄,柳 久雄
  • 通讯作者:
    椋橋 奈穂,水野 斎,佐々木 史雄,柳 久雄

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Inverstigation on vertical tunnel FET using Si/III-V heterojunction and their three-dimensional integrated circuit applications
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    2019
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    2024
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    $ 4.16万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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    2024
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  • 批准号:
    24K00920
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    2024
  • 资助金额:
    $ 4.16万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    23K20962
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号:
    2312994
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Standard Grant
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开发超晶格自旋放大传输以提高半导体光学自旋器件的性能
  • 批准号:
    23KJ0027
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体超格子構造を有する高性能平面型熱電変換デバイスの実現
半导体超晶格结构高性能平面热电转换器件的实现
  • 批准号:
    22KJ0939
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
窒化物超格子フォノニック結晶による室温熱輸送制御
使用氮化物超晶格声子晶体进行室温热传输控制
  • 批准号:
    23H01359
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 4.16万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了