Demonstration of ultrafast resonant tunneling transistor
Demonstration of ultrafast resonant tunneling transistor
批准号:
19K21951
负责人:
Tomioka Katsuhiro
金额:
$4.16万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-06-28 至 2022-03-31
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Scaling effect on vertical gate-all-around FETs using III-V NW-channels on Si
使用 Si 上的 III-V NW 沟道对垂直环栅 FET 的缩放效应
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
IEEE SNW 2021 Tech. Dig.
影响因子:
--
作者:
[Akinobu Yoshida, Hironori Gamo, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka, 松尾 匠,佐々木史雄,柳 久雄, Katsuhiro Tomioka and Junichi Motohisa]
通讯作者:
Katsuhiro Tomioka and Junichi Motohisa
Si上InAs/GaSbコアシェルナノワイヤ選択成長
Si 上选择性生长 InAs/GaSb 核壳纳米线
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[蒲生 浩憲, 冨岡 克広]
通讯作者:
冨岡 克広
InAs/InP Core-Shell Nanowire Channel for High-Mobility Vertical Surrounding-Gate Transistors
用于高迁移率垂直环栅晶体管的 InAs/InP 核壳纳米线通道
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[H. Gamo, J. Motohisa, K.Tomioka]
通讯作者:
K.Tomioka
(Invited) Integration of III-V Nanowire on Si and Their Device Application
(特邀)III-V族纳米线在Si上的集成及其器件应用
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Katsuhiro Tomioka, Hironori Gamo, and Junichi Motohisa]
通讯作者:
and Junichi Motohisa
(チュートリアル・招待講演)半導体ナノワイヤの成長とデバイス応用
(教程/特邀报告)半导体纳米线的生长与器件应用
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[本久 順一, 冨岡 克広]
通讯作者:
冨岡 克広
共 47 条
Inverstigation on vertical tunnel FET using Si/III-V heterojunction and their three-dimensional integrated circuit applications
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批准号:19H02184
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.32万
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财政年份:2019
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负责人:Tomioka Katsuhiro
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依托单位:
Research on tunnel FET using IV/III-V heterojunction toward circuit application
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批准号:16H06080
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额:$15.97万
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财政年份:2016
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负责人:Tomioka Katsuhiro
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依托单位:
国内基金
海外基金
锑基III-V族化合物孪晶超格子纳米线的液相控制制备及相关电学性质研究
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批准号:21901004
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:25.0万元
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批准年份:2019
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负责人:钱银银
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依托单位:
超格子微粒的红外和微波性能研究
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批准号:19204001
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:4.5万元
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批准年份:1992
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负责人:李义兵
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依托单位: