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Spin transport enginnering in surface and interface states of semiconductors

Spin transport enginnering in surface and interface states of semiconductors
半导体表面和界面态的自旋输运工程
批准号：
16H06089
负责人：
Ando Yuichiro
金额：
$16.56万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16H06089/
关键词：
半導体スピントロニクス界面表面トポロジカル絶縁体スピン流表面状態スピン輸送

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Strong evidence for d-electron spin transport at room temperature at a LaAlO3/SrTiO3 interface.
DOI： 10.1038/nmat4857
发表时间： 2016-01
期刊： Nature materials
影响因子： 41.2
作者： [R. Ohshima;Y. Ando;K. Matsuzaki;T. Susaki;M. Weiler;S. Klingler;H. Huebl;E. Shikoh;T. Shinjo;S. Goennenwein;M. Shiraishi]
通讯作者： R. Ohshima;Y. Ando;K. Matsuzaki;T. Susaki;M. Weiler;S. Klingler;H. Huebl;E. Shikoh;T. Shinjo;S. Goennenwein;M. Shiraishi
Spin-charge interconversion in topological surface states
拓扑表面态中的自旋电荷相互转换
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Ando and M. Shiraishi]
通讯作者： Y. Ando and M. Shiraishi
Spin-orbit coupling induced by bismuth doping in silicon thin films
硅薄膜中铋掺杂引起的自旋轨道耦合
DOI： 10.1063/1.5046781
发表时间： 2018
期刊： Applied Physics Letters
影响因子： 4
作者： [F. Rortais, S. Lee, R. Ohshima, S. Dushenko, Y. Ando, and M. Shiraishi]
通讯作者： and M. Shiraishi
Spin to charge conversion in graphene and carbon nanotube mats
石墨烯和碳纳米管垫中的自旋到电荷转换
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Yuichiro Ando, Sergey Dushenko, Ei Shigematsu, and Masashi Shiraishi]
通讯作者： and Masashi Shiraishi
共 20 条
    Investigation of spin related phenomena in silicon
    • 批准号：
      19H02197
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.56万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Ando Yuichiro
    • 依托单位：
      Kyoto University
    Thermal generation of charge and spin currents in topological surface states
    • 批准号：
      16K14231
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Ando Yuichiro
    • 依托单位：
      Kyoto University
    Three dimensional manipulation of spin current in silicon
    Realization of spin wave prism by atmic layer control techniques
    海外基金