Spin transport enginnering in surface and interface states of semiconductors

半导体表面和界面态的自旋输运工程

基本信息

  • 批准号：
    16H06089
  • 负责人：
    Ando Yuichiro
  • 金额：
    $ 16.56万
  • 依托单位：
    Kyoto University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
Strong evidence for d-electron spin transport at room temperature at a LaAlO3/SrTiO3 interface.
  • DOI：
    10.1038/nmat4857
  • 发表时间：
    2016-01
  • 期刊：
    Nature materials
  • 影响因子：
    41.2
  • 作者：
    R. Ohshima;Y. Ando;K. Matsuzaki;T. Susaki;M. Weiler;S. Klingler;H. Huebl;E. Shikoh;T. Shinjo;S. Goennenwein;M. Shiraishi
  • 通讯作者：
    R. Ohshima;Y. Ando;K. Matsuzaki;T. Susaki;M. Weiler;S. Klingler;H. Huebl;E. Shikoh;T. Shinjo;S. Goennenwein;M. Shiraishi
Spin-charge interconversion in topological surface states
拓扑表面态中的自旋电荷相互转换
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Ando and M. Shiraishi
  • 通讯作者：
    Y. Ando and M. Shiraishi
Spin-orbit coupling induced by bismuth doping in silicon thin films
硅薄膜中铋掺杂引起的自旋轨道耦合
  • DOI：
    10.1063/1.5046781
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    F. Rortais;S. Lee;R. Ohshima;S. Dushenko;Y. Ando;and M. Shiraishi
  • 通讯作者：
    and M. Shiraishi
Spin to charge conversion in graphene and carbon nanotube mats
石墨烯和碳纳米管垫中的自旋到电荷转换
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yuichiro Ando;Sergey Dushenko;Ei Shigematsu;and Masashi Shiraishi
  • 通讯作者：
    and Masashi Shiraishi
Bias dependence of spin accumulation voltages in non-degenerate Si spin valves
非简并硅自旋阀中自旋积累电压的偏置依赖性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Lee;F. Rortais;R. Ohshima;Y. Ando;S. Miwa;Y. Suzuki;H. Koike and M. Shiraishi
  • 通讯作者：
    H. Koike and M. Shiraishi
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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Modulation of spin conversion in a 1.5?nm-thick Pd film by ionic gating
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    2020
  • 期刊：
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  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Yoshitake Shin-Ichiro;Ohshima Ryo;Shinjo Teruya;Ando Yuichiro;Shiraishi Masashi
  • 通讯作者：
    Shiraishi Masashi
Nonvolatile Switching of Berry Curvature Dipole in a Topological Crystalline Insulator at Room Temperature
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2023
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nishijima Taiki;Watanabe Takuto;Sekiguchi Hiroaki;Ando Yuichiro;Shigematsu Ei;Ohshima Ryo;Kuroda Shinji;Shiraishi Masashi
  • 通讯作者：
    Shiraishi Masashi
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  • DOI：
    10.1038/s41598-020-67762-4
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Scientific Reports
  • 影响因子：
    4.6
  • 作者：
    Matsuki Kenjiro;Ohshima Ryo;Leiva Livio;Ando Yuichiro;Shinjo Teruya;Tsuchiya Toshiyuki;Shiraishi Masashi
  • 通讯作者：
    Shiraishi Masashi
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  • DOI：
    10.1016/j.ssc.2019.113754
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Solid State Communications
  • 影响因子：
    2.1
  • 作者：
    Yoshii Shugo;Ohshima Ryo;Ando Yuichiro;Shinjo Teruya;Shiraishi Masashi;EiShigematsuRyoOhshimaYuichiroAndoTeruyaShinjoTsunenobuKimotoMasashiShiraishi
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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.journal_name }}
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    {{ item.factor }}
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    {{ item.authors }}
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    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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  • 批准号：
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  • 财政年份：
    2020
  • 资助金额：
    $ 16.56万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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  • 批准号：
    19K15431
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 16.56万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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  • 批准号：
    19K12655
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 16.56万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 16.56万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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  • 批准号：
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  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 16.56万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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通过 Fe3O4/绝缘体的界面控制增强隧道磁阻器件的功能
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    18H01465
  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 16.56万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

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