Three dimensional manipulation of spin current in silicon

硅中自旋流的三维操控

基本信息

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(11)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Quantitative Investigation of Spin-drift Velocity in Highly-doped n-type Si
高掺杂n型硅中自旋漂移速度的定量研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Kameno;Y. Ando;T. Shinjo;H. Koike;T. Sasaki;T. Oikawa;T. Suzuki and M. Shiraishi
  • 通讯作者:
    T. Suzuki and M. Shiraishi
Room-temperature operation of Si spin MOSFET with high on/off spin signal ratio
  • DOI:
    10.7567/apex.8.113004
  • 发表时间:
    2015-11-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Tahara, Takayuki;Koike, Hayato;Shiraishi, Masashi
  • 通讯作者:
    Shiraishi, Masashi
Spin Transport in Nondegenerate Si with a Spin MOSFET Structure at Room Temperature
  • DOI:
    10.1103/physrevapplied.2.034005
  • 发表时间:
    2014-09-10
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Sasaki, Tomoyuki;Ando, Yuichiro;Shiraishi, Masashi
  • 通讯作者:
    Shiraishi, Masashi
Local magnetoresistance in Fe/MgO/Si lateral spin valve at room temperature
  • DOI:
    10.1063/1.4863818
  • 发表时间:
    2014-02-03
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Sasaki, Tomoyuki;Suzuki, Toshio;Shiraishi, Masashi
  • 通讯作者:
    Shiraishi, Masashi
Large spin accumulation signal in a lateral spin valve with nondegenerate Si channel
非简并硅通道横向自旋阀中的大自旋累积信号
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Ando;H. Koike;T. Tahara;M. Kameno;T. Sasaki;Y. Suzuki;and M. Shiraishi
  • 通讯作者:
    and M. Shiraishi
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Ando Yuichiro其他文献

Thermally Generated Spin Signals in a Nondegenerate Silicon Spin Valve
非简并硅自旋阀中热产生的自旋信号
  • DOI:
    10.1103/physrevapplied.9.054002
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Yamashita Naoto;Ando Yuichiro;Koike Hayato;Miwa Shinji;Suzuki Yoshishige;Shiraishi Masashi
  • 通讯作者:
    Shiraishi Masashi
Modulation of spin conversion in a 1.5?nm-thick Pd film by ionic gating
通过离子门控调节 1.5 nm 厚 Pd 薄膜中的自旋转换
  • DOI:
    10.1063/5.0015200
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Yoshitake Shin-Ichiro;Ohshima Ryo;Shinjo Teruya;Ando Yuichiro;Shiraishi Masashi
  • 通讯作者:
    Shiraishi Masashi
Nonvolatile Switching of Berry Curvature Dipole in a Topological Crystalline Insulator at Room Temperature
室温拓扑晶体绝缘体中贝里曲率偶极子的非易失性切换
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nishijima Taiki;Watanabe Takuto;Sekiguchi Hiroaki;Ando Yuichiro;Shigematsu Ei;Ohshima Ryo;Kuroda Shinji;Shiraishi Masashi
  • 通讯作者:
    Shiraishi Masashi
Spin transport in a lateral spin valve with a suspended Cu channel
具有悬浮铜通道的横向自旋阀中的自旋传输
  • DOI:
    10.1038/s41598-020-67762-4
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Matsuki Kenjiro;Ohshima Ryo;Leiva Livio;Ando Yuichiro;Shinjo Teruya;Tsuchiya Toshiyuki;Shiraishi Masashi
  • 通讯作者:
    Shiraishi Masashi
Spin transport in n-type 3C Si-C observed in a lateral spin-pumping device
在横向自旋泵浦装置中观察到的 n 型 3C Si-C 中的自旋输运
  • DOI:
    10.1016/j.ssc.2019.113754
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.1
  • 作者:
    Yoshii Shugo;Ohshima Ryo;Ando Yuichiro;Shinjo Teruya;Shiraishi Masashi;EiShigematsuRyoOhshimaYuichiroAndoTeruyaShinjoTsunenobuKimotoMasashiShiraishi
  • 通讯作者:
    EiShigematsuRyoOhshimaYuichiroAndoTeruyaShinjoTsunenobuKimotoMasashiShiraishi

Ando Yuichiro的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Ando Yuichiro', 18)}}的其他基金

Investigation of spin related phenomena in silicon
硅中自旋相关现象的研究
  • 批准号:
    19H02197
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Spin transport enginnering in surface and interface states of semiconductors
半导体表面和界面态的自旋输运工程
  • 批准号:
    16H06089
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Thermal generation of charge and spin currents in topological surface states
拓扑表面态中电荷和自旋电流的热生成
  • 批准号:
    16K14231
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Realization of spin wave prism by atmic layer control techniques
利用原子层控制技术实现自旋波棱镜
  • 批准号:
    25630148
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

相似海外基金

リチウムイオン電池における層状シリコン負極の反応制御およびその反応機構の解明
锂离子电池层状硅负极反应控制及反应机理阐明
  • 批准号:
    23K21150
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ワイドギャップシリコン新材料:シリコン同素体Si46はエピタキシャル成長するか?
新型宽禁带硅材料:硅同素异形体Si46可以外延生长吗?
  • 批准号:
    24K07584
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
シリコンMOS構造を基盤とした電子流体エレクトロニクス創生
基于硅MOS结构的电子流体电子器件的创建
  • 批准号:
    24H00312
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
次世代高エネルギー重イオン衝突実験に向けた先進的シリコン検出器開発
开发用于下一代高能重离子碰撞实验的先进硅探测器
  • 批准号:
    24K00663
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
フレキシブルテラヘルツデバイスに向けたシリコン有効媒質材料の基盤研究
柔性太赫兹器件硅有效介质材料基础研究
  • 批准号:
    24K00933
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
シリコン塑性変形技術を用いた高角度分解能で軽量な次世代X線望遠鏡の開発
利用硅塑性变形技术开发下一代高角分辨率轻型X射线望远镜
  • 批准号:
    24K17090
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究
使用多晶硅衬底的III族氮化物半导体平面发光器件的开发研究
  • 批准号:
    24K07603
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
多孔質炭素へのシリコンおよび熱分解炭素被覆によるリチウムイオン電池負極材料の合成
多孔碳上硅与热解碳包覆合成锂离子电池负极材料
  • 批准号:
    24K08589
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高圧相変態が拓くシリコン―ゲルマニウム合金の結晶多型と新奇物性解明
阐明高压相变开发的硅锗合金的晶体多态性和新的物理性能
  • 批准号:
    23K26405
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
単結晶シリコンの多条微細V溝構造をかみ合わせた直動ステージ
单晶硅互锁多排微V型槽结构线性平台
  • 批准号:
    24K07255
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了