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Fabrication of ordered bulk hetero junction photovoltaics using supercritical fluid

使用超临界流体制造有序体异质结光伏电池

基本信息

批准号：
16H06127
负责人：
Momose Takeshi
金额：
$ 15.81万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Crystalline ultra-thin tetracene film formation by temperature-driven supercritical fluid deposition

通过温度驱动超临界流体沉积形成结晶超薄并四苯薄膜

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
1.Yanshao Lee;Momoko Deura;Yusuke Shimoyama;Yukihiro Shimogaki;and Takeshi Momose
通讯作者：
and Takeshi Momose

Tetracene thin film formation for organic photovoltaics by temperature-driven supercritical fluid deposition

通过温度驱动超临界流体沉积形成有机光伏并四苯薄膜

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Enomoto;M. Abe;T. Miki;M. Seki;黎彦劭，出浦桃子，下山裕介，霜垣幸浩，百瀬健
通讯作者：
黎彦劭，出浦桃子，下山裕介，霜垣幸浩，百瀬健

Ultra-thin continuous crystalline tetracene film formation by temperature-driven supercritical fluid deposition

温度驱动超临界流体沉积形成超薄连续结晶并四苯薄膜

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Seki;Y. Yashima;T. Kiryu;T. Miki;S. Tanaka;K. Kanayama;レイゲンショウ,出浦桃子,下山裕介,霜垣幸浩,百瀬健
通讯作者：
レイゲンショウ,出浦桃子,下山裕介,霜垣幸浩,百瀬健

超臨界流体の温度勾配を利用したテトラセン製膜技術の構築

超临界流体温度梯度并四苯薄膜生产技术构建

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Gu Yu;Matsuda Keitaro;Nakayama Akira;Tamura Masazumi;Nakagawa Yoshinao;Tomishige Keiichi;三木恒久;木下圭，下山裕介，霜垣幸浩，百瀬健
通讯作者：
木下圭，下山裕介，霜垣幸浩，百瀬健

DOI：
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作者：
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Momose Takeshi其他文献

Influence of Pretreatment on Adhesion Quality of Supercritical-fluid-deposited Cu Film on Si

预处理对硅基超临界流体沉积铜膜附着质量的影响

DOI：
10.18494/sam.2019.2316
发表时间：
2019
期刊：
Sensors and Materials
影响因子：
1.2
作者：
Usami Naoto;Ota Etsuko;Momose Takeshi;Higo Akio;Mita Yoshio
通讯作者：
Mita Yoshio

Suitability of metallic materials for constructing metal-coated dielectric terahertz waveguides

金属材料构建金属涂层介电太赫兹波导的适用性

DOI：
10.1063/5.0075639
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Huang Yuyuan;Konishi Kuniaki;Deura Momoko;Shimoyama Yusuke;Yumoto Junji;Kuwata-Gonokami Makoto;Shimogaki Yukihiro;Momose Takeshi
通讯作者：
Momose Takeshi

酸素欠陥導入層を用いた抵抗変化メモリにおける界面反応過程の評価

使用氧缺陷引入层评估电阻变化存储器中的界面反应过程

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Usami Naoto;Ota Etsuko;Higo Akio;Momose Takeshi;Mita Yoshio;中川良祐，福地厚，有田正志，高橋庸夫
通讯作者：
中川良祐，福地厚，有田正志，高橋庸夫

Continuity assessment for supercritical-fluids-deposited (SCFD) Cu film as electroplating seed layer

超临界流体沉积 (SCFD) 铜膜作为电镀种子层的连续性评估

DOI：
10.1109/icmts.2019.8730945
发表时间：
2019
期刊：
2019 IEEE Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS 2019), 18-21 Mar, Kita-Kyushu, Japan
影响因子：
0
作者：
Usami Naoto;Ota Etsuko;Higo Akio;Momose Takeshi;Mita Yoshio
通讯作者：
Mita Yoshio

Supercritical fluid deposition for conformal Cu film formation on sub-millimeter-scale structures used to fabricate terahertz waveguides

超临界流体沉积在用于制造太赫兹波导的亚毫米级结构上形成共形铜膜

DOI：
10.35848/1882-0786/ac737b
发表时间：
2022
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Huang Yuyuan;Deura Momoko;Shimoyama Yusuke;Shimogaki Yukihiro;Momose Takeshi
通讯作者：
Momose Takeshi