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Fabrication of multi-component oxide using supercritical fluid deposition for ferroelectric random access memory

使用超临界流体沉积制造铁电随机存取存储器的多组分氧化物

基本信息

批准号：
26600040
负责人：
Momose Takeshi
金额：
$ 2.58万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26600040/
关键词：
強誘電体薄膜 3次元メモリ超臨界流体製膜

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（11）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Experimental Approach to Estimate Diffusivity of Metal Organics in Supercritical CO2 at High Temperatures

估算高温超临界二氧化碳中金属有机物扩散率的实验方法

DOI：
10.1016/j.supflu.2016.05.048
发表时间：
2017
期刊：
The Journal of Supercritical Fluids
影响因子：
0
作者：
チョウ　ユウ;下山　裕介;百瀬　健;霜垣　幸浩
通讯作者：
霜垣　幸浩

超臨界流体堆積法を用いた強誘電体メモリ用Bi4Ti3O12の均一製膜

超临界流体沉积法均匀成膜铁电存储器Bi4Ti3O12

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
北浦諒一;高橋麻里;Priyank Mohan;Derrick Mott;前之園信也;チョウ　ユウ，百瀬　健，霜垣　幸浩
通讯作者：
チョウ　ユウ，百瀬　健，霜垣　幸浩

Supercritical Fluid Deposition of Conformal Oxide Films: 3-Dimentionally-Stacked RuO2/TiO2/RuO2 Structures for MIM Capacitors

共形氧化膜的超临界流体沉积：MIM 电容器的三维堆叠 RuO2/TiO2/RuO2 结构

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
チョウ　ユウ;下山　裕介;百瀬　健;霜垣　幸浩
通讯作者：
霜垣　幸浩

コンフォーマルな超臨界流体堆積におけるCO2圧力の影響

CO2 压力对保形超临界流体沉积的影响

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Mari Takahashi;Koichi Higashimine;Priyank Mohan;Derrick Mott;and Shinya Maenosono;チョウユウ，百瀬健，下山裕介，霜垣幸浩;前之園信也;チョウユウ，百瀬健，下山裕介，霜垣幸浩
通讯作者：
チョウユウ，百瀬健，下山裕介，霜垣幸浩

超臨界流体堆積法を用いた量論組成Bi4Ti3O12製膜

使用超临界流体沉积方法形成化学计量 Bi4Ti3O12 薄膜

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yu Zhao;Kyubong Jung;Takeshi Momose;Yukihiro Shimogaki;前之園信也;チョウ　ユウ，鄭珪捧，百瀬　健，霜垣　幸浩
通讯作者：
チョウ　ユウ，鄭珪捧，百瀬　健，霜垣　幸浩

DOI：
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作者：
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Momose Takeshi其他文献

Influence of Pretreatment on Adhesion Quality of Supercritical-fluid-deposited Cu Film on Si

预处理对硅基超临界流体沉积铜膜附着质量的影响

DOI：
10.18494/sam.2019.2316
发表时间：
2019
期刊：
Sensors and Materials
影响因子：
1.2
作者：
Usami Naoto;Ota Etsuko;Momose Takeshi;Higo Akio;Mita Yoshio
通讯作者：
Mita Yoshio

Suitability of metallic materials for constructing metal-coated dielectric terahertz waveguides

金属材料构建金属涂层介电太赫兹波导的适用性

DOI：
10.1063/5.0075639
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Huang Yuyuan;Konishi Kuniaki;Deura Momoko;Shimoyama Yusuke;Yumoto Junji;Kuwata-Gonokami Makoto;Shimogaki Yukihiro;Momose Takeshi
通讯作者：
Momose Takeshi

酸素欠陥導入層を用いた抵抗変化メモリにおける界面反応過程の評価

使用氧缺陷引入层评估电阻变化存储器中的界面反应过程

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Usami Naoto;Ota Etsuko;Higo Akio;Momose Takeshi;Mita Yoshio;中川良祐，福地厚，有田正志，高橋庸夫
通讯作者：
中川良祐，福地厚，有田正志，高橋庸夫

Continuity assessment for supercritical-fluids-deposited (SCFD) Cu film as electroplating seed layer

超临界流体沉积 (SCFD) 铜膜作为电镀种子层的连续性评估

DOI：
10.1109/icmts.2019.8730945
发表时间：
2019
期刊：
2019 IEEE Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS 2019), 18-21 Mar, Kita-Kyushu, Japan
影响因子：
0
作者：
Usami Naoto;Ota Etsuko;Higo Akio;Momose Takeshi;Mita Yoshio
通讯作者：
Mita Yoshio

Supercritical fluid deposition for conformal Cu film formation on sub-millimeter-scale structures used to fabricate terahertz waveguides

超临界流体沉积在用于制造太赫兹波导的亚毫米级结构上形成共形铜膜

DOI：
10.35848/1882-0786/ac737b
发表时间：
2022
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Huang Yuyuan;Deura Momoko;Shimoyama Yusuke;Shimogaki Yukihiro;Momose Takeshi
通讯作者：
Momose Takeshi