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Single-step fabrication of untra narrow through silicon via for 3-dimensional integration of electronic devices
用于电子器件 3 维集成的超窄硅通孔的一步制造
基本信息
- 批准号：25709075
- 负责人：
- 金额：$ 16.22万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Solubility measurement of Cu(tmhd)2 and Mn(pmcp)2 in supercritical CO2/H2 mixture for supercritical fluid deposition
用于超临界流体沉积的超临界 CO2/H2 混合物中 Cu(tmhd)2 和 Mn(pmcp)2 的溶解度测量
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takeshi Momose;Aiko Kondo;Hideo Yamada;Junji Ohara;Yasuhiro;Kitamura;Hirohisa Uchida;Yukihiro Shimogaki;and Masakazu Sugiyama
- 通讯作者：and Masakazu Sugiyama
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Momose Takeshi其他文献
Influence of Pretreatment on Adhesion Quality of Supercritical-fluid-deposited Cu Film on Si
预处理对硅基超临界流体沉积铜膜附着质量的影响
- DOI：
10.18494/sam.2019.2316 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.2
- 作者：
Usami Naoto;Ota Etsuko;Momose Takeshi;Higo Akio;Mita Yoshio - 通讯作者：
Mita Yoshio
Suitability of metallic materials for constructing metal-coated dielectric terahertz waveguides
金属材料构建金属涂层介电太赫兹波导的适用性
- DOI：
10.1063/5.0075639 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：
Huang Yuyuan;Konishi Kuniaki;Deura Momoko;Shimoyama Yusuke;Yumoto Junji;Kuwata-Gonokami Makoto;Shimogaki Yukihiro;Momose Takeshi - 通讯作者：
Momose Takeshi
酸素欠陥導入層を用いた抵抗変化メモリにおける界面反応過程の評価
使用氧缺陷引入层评估电阻变化存储器中的界面反应过程
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Usami Naoto;Ota Etsuko;Higo Akio;Momose Takeshi;Mita Yoshio;中川 良祐，福地 厚，有田 正志，高橋 庸夫 - 通讯作者：
中川 良祐，福地 厚，有田 正志，高橋 庸夫
Continuity assessment for supercritical-fluids-deposited (SCFD) Cu film as electroplating seed layer
超临界流体沉积 (SCFD) 铜膜作为电镀种子层的连续性评估
- DOI：
10.1109/icmts.2019.8730945 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Usami Naoto;Ota Etsuko;Higo Akio;Momose Takeshi;Mita Yoshio - 通讯作者：
Mita Yoshio
Supercritical fluid deposition for conformal Cu film formation on sub-millimeter-scale structures used to fabricate terahertz waveguides
超临界流体沉积在用于制造太赫兹波导的亚毫米级结构上形成共形铜膜
- DOI：
10.35848/1882-0786/ac737b - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：
Huang Yuyuan;Deura Momoko;Shimoyama Yusuke;Shimogaki Yukihiro;Momose Takeshi - 通讯作者：
Momose Takeshi
Momose Takeshi的其他文献
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{{ truncateString('Momose Takeshi', 18)}}的其他基金
Fabrication of ordered bulk hetero junction photovoltaics using supercritical fluid
使用超临界流体制造有序体异质结光伏电池
- 批准号：
16H06127 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 16.22万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Fabrication of multi-component oxide using supercritical fluid deposition for ferroelectric random access memory
使用超临界流体沉积制造铁电随机存取存储器的多组分氧化物
- 批准号：
26600040 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 16.22万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
大気圧プラズマCVD法によるシリカ膜のサブナノ細孔構造制御と超薄膜製膜技術の確立
常压等离子体CVD法二氧化硅膜亚纳米孔结构控制及超薄膜形成技术的建立
- 批准号：
23K23119 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 16.22万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高密度プラズマ支援製膜によるナノ構造制御次世代酸化物半導体薄膜低温形成法の創成
利用高密度等离子体辅助沉积创建具有纳米结构控制的下一代氧化物半导体薄膜低温形成方法
- 批准号：
23K21051 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 16.22万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高密度かつ低応力水素化アモルファスカーボン薄膜の高速製膜
高密度、低应力氢化非晶碳薄膜的高速沉积
- 批准号：
24KJ1810 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 16.22万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Molecular-Net技術によるSiOx超薄膜のワンステップ製膜
利用分子网技术一步法制备超薄 SiOx 薄膜
- 批准号：
24K17544 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 16.22万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
粉体熱処理製膜法の水素侵入防止特性および応力集中部の強度特性の解明
粉末热处理成膜方法的应力集中部位的氢侵入防止性及强度特性的阐明
- 批准号：
24K07246 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 16.22万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
コアシェル型オルガノシリカナノファイバーの創製と一次元構造を利用した超薄膜製膜
利用一维结构制备核壳型有机二氧化硅纳米纤维并形成超薄膜
- 批准号：
22K18922 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 16.22万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
高密度プラズマ支援製膜によるナノ構造制御次世代酸化物半導体薄膜低温形成法の創成
利用高密度等离子体辅助沉积创建具有纳米结构控制的下一代氧化物半导体薄膜低温形成方法
- 批准号：
21H01671 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 16.22万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
あらゆる真空装置をゲッターポンプに変える小型製膜装置の開発と膜内排気機構の解明
开发可将真空装置变成吸气泵的小型成膜装置，并阐明内部膜排气机构
- 批准号：
21K04891 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 16.22万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
プラズマCVDを用いた低応力・高密度カーボンナノコンポジット膜の高速製膜法の創成
使用等离子体CVD创建低应力、高密度碳纳米复合材料薄膜的高速薄膜生产方法
- 批准号：
20J13122 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 16.22万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
低温製膜されたIGZO薄膜の酸素欠陥制御によるフレキシブル機能デバイスの開発
通过控制低温沉积的IGZO薄膜中的氧缺陷开发柔性功能器件
- 批准号：
20K15371 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 16.22万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists