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Single-step fabrication of untra narrow through silicon via for 3-dimensional integration of electronic devices

Single-step fabrication of untra narrow through silicon via for 3-dimensional integration of electronic devices
用于电子器件 3 维集成的超窄硅通孔的一步制造
批准号：
25709075
负责人：
Momose Takeshi
金额：
$16.22万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25709075/
关键词：
超臨界流体製膜3次元実装Cu超臨界

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Solubility measurement of Cu(tmhd)2 and Mn(pmcp)2 in supercritical CO2/H2 mixture for supercritical fluid deposition
用于超临界流体沉积的超临界 CO2/H2 混合物中 Cu(tmhd)2 和 Mn(pmcp)2 的溶解度测量
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [Takeshi Momose, Aiko Kondo, Hideo Yamada, Junji Ohara, Yasuhiro, Kitamura, Hirohisa Uchida, Yukihiro Shimogaki, and Masakazu Sugiyama]
通讯作者： and Masakazu Sugiyama
Fabrication of ordered bulk hetero junction photovoltaics using supercritical fluid
  • 批准号：
    16H06127
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $15.81万
  • 财政年份：
    2016
  • 负责人：
    Momose Takeshi
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
Fabrication of multi-component oxide using supercritical fluid deposition for ferroelectric random access memory
  • 批准号：
    26600040
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.58万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    Momose Takeshi
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
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