Semiconductor spincurrentronics
Semiconductor spincurrentronics
半导体自旋电流电子学
批准号：
16H06330
负责人：
Shiraishi Masashi
金额：
$111.82万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-05-31 至 2021-03-31
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Stability of spin XOR gate operation in silicon based lateral spin device with large variations in spin transport parameters
自旋输运参数变化较大的硅基横向自旋器件中自旋异或门操作的稳定性
自旋输运参数变化较大的硅基横向自旋器件中自旋异或门操作的稳定性
DOI：
10.1063/1.5129980
发表时间：
2019
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
[Ryoma Ishihara, Soobeom Lee, Yuichiro Ando, Ryo Ohshima, Minori Goto, Shinji Miwa, Yoshishige Suzuki, Hayato Koike, and Masashi Shiraishi]
通讯作者：
and Masashi Shiraishi
Spin transport and detection in Si and 2DEGs
Si 和 2DEG 中的自旋输运和检测
Si 和 2DEG 中的自旋输运和检测
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Igasaki T, Shibuta A, Sakamoto K, M. Shiraishi]
通讯作者：
M. Shiraishi
原子膜半導体のスピン機能開拓に前進
原子膜半导体自旋函数开发进展
原子膜半导体自旋函数开发进展
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
ワイル強磁性体の新しいスピン機能の発見
外尔铁磁体新自旋特征的发现
外尔铁磁体新自旋特征的发现
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
第36回大阪科学賞受賞
荣获第36届大阪科学奖
荣获第36届大阪科学奖
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 122 条
A quest of a novel Hall effect, topological planar Hall effect
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批准号：17K18755
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$4.16万
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财政年份：2017
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负责人：Shiraishi Masashi
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依托单位：
Study on physics of accumulated spins and pure spin currents in Si
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批准号：25246019
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$30.2万
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财政年份：2013
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负责人：Shiraishi Masashi
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依托单位：
海外基金