Effects of defects and surface structure on oxide film on non-polar 4H-SiC plane

非极性4H-SiC面氧化膜缺陷及表面结构的影响

基本信息

  • 批准号:
    17K05049
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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Observation and classification of defects in gallium oxide
氧化镓缺陷的观察和分类
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yao;Yongzhao
  • 通讯作者:
    Yongzhao
Observation of dislocations in β-Ga2O3 single-crystal substrates by synchrotron X-ray topography, chemical etching, and transmission electron microscopy
通过同步加速器X射线形貌、化学蚀刻和透射电子显微镜观察β-Ga2O3单晶基板中的位错
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ab7dda
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Yongzhao Yao;Yoshihiro Sugawara and Yukari Ishikawa
  • 通讯作者:
    Yoshihiro Sugawara and Yukari Ishikawa
Expansion of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer on A-Plane by Electron Beam Irradiation
电子束辐照4H-SiC外延层A面基面位错扩展
  • DOI:
    10.4028/www.scientific.net/msf.924.151
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masaki Sudo;Yukari Ishikawa;Yongzhao Yao;Yoshihiro Sugawara;and Masashi Kato
  • 通讯作者:
    and Masashi Kato
HVPE-GaN基板上に形成したビッカース圧痕周囲の転位構造
HVPE-GaN 衬底上形成的维氏压痕周围的位错结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    石川 由加里;菅原 義弘;横江 大作;姚 永昭
  • 通讯作者:
    姚 永昭
4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動
电子束辐照下 4H-SiC A 面上基面位错的扩展行为
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    石川由加里,須藤正喜,菅原義弘,姚永昭,加藤正史;三好実人;江川孝志;石川由加里,須藤正喜,姚永昭,菅原義弘,加藤正史
  • 通讯作者:
    石川由加里,須藤正喜,姚永昭,菅原義弘,加藤正史
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Yukari Ishikawa其他文献

Linear relationship between dislocation pattern size induced by Vickers indentation and imprint width on (0001) GaN
维氏压痕引起的位错图案尺寸与 (0001) GaN 上的压印宽度之间的线性关系
  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
    Kazuyuki Tadatomo
Crystallinity Evaluation and Dislocation Observation for an Aluminum Nitride Single-Crystal Substrate on a Wafer Scale
  • DOI:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
    Yongzhao Yao;Yoshihiro Sugawara;Yukari Ishikawa;Narihito Okada;Kazuyuki Tadatomo
  • 通讯作者:
    Kazuyuki Tadatomo
深絞り加工におけるブランク形状と分割可変ブランクホルダー力の同時最適化
拉深加工中毛坯形状与分变压边力的同步优化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yukari Ishikawa;Yong-Zhao Yao;Yoshihiro Sugawara;Koji Sato;Yoshihiro Okamoto,Noritaka Hayashi;Benjamin Dierre;Kentaro Watanabe;and Takashi Sekiguchi;河本基一郎,宮坂卓嗣,山道顕,野田拓也,北山哲士,小山浩季,山崎光悦
  • 通讯作者:
    河本基一郎,宮坂卓嗣,山道顕,野田拓也,北山哲士,小山浩季,山崎光悦
Investigation of the Origin of the Leakage of P-N Diodes on a Free-Standing GaN Substrate Using the 3DAP and LACBED Methods
使用 3DAP 和 LACBED 方法研究独立式 GaN 衬底上 P-N 二极管漏电的根源
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shigeyoshi Usami;Yoshihiro Sugawara;Yong-Zhao Yao;Yukari Ishikawa;Norihito Mayama;Kazuya Toda;Yuto Ando;Atsushi Tanaka;Kentaro Nagamatsu;Manato Deki;Maki Kushimoto;Shugo Nitta;Yoshio Honda;Hiroshi Amano
  • 通讯作者:
    Hiroshi Amano
Influence of Annealing on the 1.5 μm Light Emission of Er-doped ZnO Thin Films and its Crystal Quality
  • DOI:
    10.1557/jmr.2005.0323
  • 发表时间:
    2005-09-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.900
  • 作者:
    Yukari Ishikawa;Mitsuhiro Okamoto;Shigeru Tanaka;Dai Nezaki;N. Shibata
  • 通讯作者:
    N. Shibata

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  • 财政年份:
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  • 资助金额:
    $ 2.75万
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