Effects of defects and surface structure on oxide film on non-polar 4H-SiC plane
非极性4H-SiC面氧化膜缺陷及表面结构的影响
基本信息
- 批准号:17K05049
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Observation and classification of defects in gallium oxide
氧化镓缺陷的观察和分类
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yao;Yongzhao
- 通讯作者:Yongzhao
Observation of dislocations in β-Ga2O3 single-crystal substrates by synchrotron X-ray topography, chemical etching, and transmission electron microscopy
通过同步加速器X射线形貌、化学蚀刻和透射电子显微镜观察β-Ga2O3单晶基板中的位错
- DOI:10.35848/1347-4065/ab7dda
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Yongzhao Yao;Yoshihiro Sugawara and Yukari Ishikawa
- 通讯作者:Yoshihiro Sugawara and Yukari Ishikawa
Expansion of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer on A-Plane by Electron Beam Irradiation
电子束辐照4H-SiC外延层A面基面位错扩展
- DOI:10.4028/www.scientific.net/msf.924.151
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Masaki Sudo;Yukari Ishikawa;Yongzhao Yao;Yoshihiro Sugawara;and Masashi Kato
- 通讯作者:and Masashi Kato
HVPE-GaN基板上に形成したビッカース圧痕周囲の転位構造
HVPE-GaN 衬底上形成的维氏压痕周围的位错结构
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:石川 由加里;菅原 義弘;横江 大作;姚 永昭
- 通讯作者:姚 永昭
4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動
电子束辐照下 4H-SiC A 面上基面位错的扩展行为
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:石川由加里,須藤正喜,菅原義弘,姚永昭,加藤正史;三好実人;江川孝志;石川由加里,須藤正喜,姚永昭,菅原義弘,加藤正史
- 通讯作者:石川由加里,須藤正喜,姚永昭,菅原義弘,加藤正史
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Yukari Ishikawa其他文献
Linear relationship between dislocation pattern size induced by Vickers indentation and imprint width on (0001) GaN
维氏压痕引起的位错图案尺寸与 (0001) GaN 上的压印宽度之间的线性关系
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- 影响因子:0
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深絞り加工におけるブランク形状と分割可変ブランクホルダー力の同時最適化
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- DOI:
- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
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Investigation of the Origin of the Leakage of P-N Diodes on a Free-Standing GaN Substrate Using the 3DAP and LACBED Methods
使用 3DAP 和 LACBED 方法研究独立式 GaN 衬底上 P-N 二极管漏电的根源
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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- 作者:
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N. Shibata
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