Effects of defects and surface structure on oxide film on non-polar 4H-SiC plane
Effects of defects and surface structure on oxide film on non-polar 4H-SiC plane
非极性4H-SiC面氧化膜缺陷及表面结构的影响
批准号：
17K05049
负责人：
Yukari Ishikawa
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yao, Yongzhao]
通讯作者：
Yongzhao
Observation of dislocations in β-Ga2O3 single-crystal substrates by synchrotron X-ray topography, chemical etching, and transmission electron microscopy
通过同步加速器X射线形貌、化学蚀刻和透射电子显微镜观察β-Ga2O3单晶基板中的位错
通过同步加速器X射线形貌、化学蚀刻和透射电子显微镜观察β-Ga2O3单晶基板中的位错
DOI：
10.35848/1347-4065/ab7dda
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara and Yukari Ishikawa]
通讯作者：
Yoshihiro Sugawara and Yukari Ishikawa
Expansion of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer on A-Plane by Electron Beam Irradiation
电子束辐照4H-SiC外延层A面基面位错扩展
电子束辐照4H-SiC外延层A面基面位错扩展
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.924.151
发表时间：
2018
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
[Masaki Sudo, Yukari Ishikawa, Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, and Masashi Kato]
通讯作者：
and Masashi Kato
HVPE-GaN基板上に形成したビッカース圧痕周囲の転位構造
HVPE-GaN 衬底上形成的维氏压痕周围的位错结构
HVPE-GaN 衬底上形成的维氏压痕周围的位错结构
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[石川 由加里, 菅原 義弘, 横江 大作, 姚 永昭]
通讯作者：
姚 永昭
4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動
电子束辐照下 4H-SiC A 面上基面位错的扩展行为
电子束辐照下 4H-SiC A 面上基面位错的扩展行为
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[石川由加里，須藤正喜，菅原義弘，姚永昭，加藤正史, 三好実人, 江川孝志, 石川由加里，須藤正喜，姚永昭，菅原義弘，加藤正史]
通讯作者：
石川由加里，須藤正喜，姚永昭，菅原義弘，加藤正史
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