verification of the superconducting symmetry of two-dimensional superconductor under strong electric field

强电场下二维超导体超导对称性验证

• 批准号: 17K05551
• 负责人: ISHIGURO Ryosuke
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Japan Women's University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2021-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K05551/
• 关键词: 電界効果超伝導; MoS2; 界面状態; 二次元半導体; 遷移金属カルコゲナイド; ショットキー障壁; 金属半導体接合; 超伝導; ファンデルワールス界面; 接触抵抗; ショットキーバリア; 界面超伝導; 電気二重層トランジスタ; 金属半導体界面; ファンデルワースル界面; 原子層半導体; 空間反転対称性の破れ; 二次元超伝導; 電気二重層; イオンゲート; 超伝導接合; 界面電子構造; 二硫化モリブデン; 反転対称性の破れ; 遷移金属ダイカルコゲナイト /

项目成果

Investigation of the Vortex States of Sr2RuO4-Ru Eutectic Microplates Using DC-SQUIDs

使用 DC-SQUID 研究 Sr2RuO4-Ru 共晶微板的涡旋态

• DOI: 10.1088/1742-6596/969/1/012040
• 发表时间: 2018
• 期刊: J. Phys.: Conf. Ser.
• 作者: Y. Nago;D. Sakuma;R. Ishiguro;S. Kashiwaya;S. Nomura;K. Kono;Y. Maeno and H. Takayanagi
• 通讯作者: Y. Maeno and H. Takayanagi

Electrical transport between a MoS2-based electric double-layer transistor and normal and superconducting Al

MoS2 基双电层晶体管与普通和超导 Al 之间的电传输

• DOI: 10.1088/1742-6596/969/1/012057
• 发表时间: 2018
• 期刊: Journal of Physics: Conference Series
• 作者: Aikawa Y;Tsumura K;Narita T;Takayanagi H;Ishiguro R
• 通讯作者: Ishiguro R

MoS2を用いた電気二重層トランジスタにおける2種類の界面抵抗

使用MoS2的双电层晶体管中的两种界面电阻

• 发表时间: 2019
• 作者: 浜本あや;安斎愛子;今武美保;相川夕美花;石黒亮輔
• 通讯作者: 石黒亮輔

Magnetic Response of Critical Current in Junctions using Ion-gated MoS2 and Conventional Superconductor.

使用离子门控 MoS2 和传统超导体的结点中临界电流的磁响应。

• 发表时间: 2018
• 作者: Aikawa Y.;Tsumura K.;Narita T.;Takayanagi H.;Ishiguro R.
• 通讯作者: Ishiguro R.

Nb/ZnO電気二重層トランジスタ構造における超伝導近接効果

Nb/ZnO双电层晶体管结构中的超导邻近效应

• 发表时间: 2018
• 作者: 成田智絵;高柳英明;石黒亮輔
• 通讯作者: 石黒亮輔