Growth processes and low-dimensional physical properties on ultrathin high-k materials film fabricated on concave-convex Si surface by spectroscopic observation
Growth processes and low-dimensional physical properties on ultrathin high-k materials film fabricated on concave-convex Si surface by spectroscopic observation
光谱观察凹凸硅表面超薄高k材料薄膜的生长过程及低维物理性质
批准号：
17K06030
负责人：
Kakiuchi Takuhiro
金额：
$3.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Initial oxidation process of ultrathin hafnium film on Si(111) surface studied by Hf 4f, Si 2p, and O 1s core-level spectroscopy
Hf 4f、Si 2p、O 1s 核能谱研究Si(111)表面超薄铪膜的初始氧化过程
Hf 4f、Si 2p、O 1s 核能谱研究Si(111)表面超薄铪膜的初始氧化过程
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takuhiro Kakiuchi, Daisuke Koyama, Akitaka Yoshigoe]
通讯作者：
Akitaka Yoshigoe
Helmholz-Zentrum Berlin(ドイツ)
柏林亥姆霍兹中心（德国）
柏林亥姆霍兹中心（德国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Fabrication of High Dielectric Ultrathin-Film Utilizing Inactivated Si(110) Single Domain Surface and Evaluation of Its Physical Property
-
批准号：26870416
-
项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
-
资助金额：$2.5万
-
财政年份：2014
-
负责人：Kakiuchi Takuhiro
-
依托单位：
海外基金