Growth processes and low-dimensional physical properties on ultrathin high-k materials film fabricated on concave-convex Si surface by spectroscopic observation

光谱观察凹凸硅表面超薄高k材料薄膜的生长过程及低维物理性质

• 批准号: 17K06030
• 负责人: Kakiuchi Takuhiro
• 金额: $ 3.16万
• 依托单位: Ehime University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K06030/
• 关键词: 金属半導体ヘテロ界面; Si半導体; 高誘電体材料; 光電子分光; コインシデンス分光法; シンクロトロン放射光; 酸化反応ダイナミクス; 表面界面反応; 表面化学反応; 超薄膜; 金属酸化物半導体電界効果トランジスタ; 二酸化ハフニウム; シリコン半導体; 表面界面反応追跡; 時間分解光電子分光法; ハフニウムシリサイド; 酸化ダイナミクス; 表面界面; 局所価電子状態; 酸化ハフニウム超薄膜; 光電子-オージェ電子コインシデンス分光法; 光電子分光法; オー

项目成果

Initial oxidation process of ultrathin hafnium film on Si(111) surface studied by Hf 4f, Si 2p, and O 1s core-level spectroscopy

Hf 4f、Si 2p、O 1s 核能谱研究Si(111)表面超薄铪膜的初始氧化过程

• 发表时间: 2019
• 作者: Takuhiro Kakiuchi;Daisuke Koyama;Akitaka Yoshigoe
• 通讯作者: Akitaka Yoshigoe

Helmholz-Zentrum Berlin(ドイツ)

柏林亥姆霍兹中心（德国）