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Fabrication of High Dielectric Ultrathin-Film Utilizing Inactivated Si(110) Single Domain Surface and Evaluation of Its Physical Property
钝化Si(110)单畴表面高介电超薄膜的制备及其物性评价
基本信息
- 批准号：26870416
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（9）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
水の解離吸着によるSi(110)-16×2清浄面の表面構造と局所価電子状態の変化
水解离吸附导致Si(110)-16×2洁净表面表面结构和局域价电子态的变化
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Quang Ngoc Phan;Takashi Uebansou;Takaaki Shimohata;Mutsumi Nakahashi;Kazuaki Mawatari and Akira Takahashi;原田 新;渡辺崇人，三戸太郎，大内淑代，野地澄晴;垣内拓大，西浦伸吾，川本淳滋，長岡伸一，間瀬一彦
- 通讯作者：垣内拓大，西浦伸吾，川本淳滋，長岡伸一，間瀬一彦
X線光電子分光法、光電子-オージェ電子分光法による水素吸着Si(110)-16x2シングルドメイン表面の研究
X射线光电子能谱和光电子俄歇电子能谱研究氢吸附的Si(110)-16x2单畴表面
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：垣内拓大;中納佑二;長岡伸一;間瀬一彦
- 通讯作者：間瀬一彦
Si(110）-16x2シングルドメイン表面上に作製したHfおよびHfO2超薄膜の界面を選別した局所価電子状態
在 Si(110)-16x2 单畴表面上制造的 Hf 和 HfO2 超薄膜界面处选择的局部价态
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：垣内拓大;池田恭平;長岡伸一;間瀬一彦
- 通讯作者：間瀬一彦
低速電子回折と光電子分光法によるHf蒸着Si(110)-16x2シングルドメイン表面の研究
慢电子衍射和光电子能谱研究 Hf 沉积的 Si(110)-16x2 单畴表面
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：垣内拓大;桂木拓磨;中納佑二;長岡伸一;間瀬一彦
- 通讯作者：間瀬一彦
Si(110)-16x2シングルドメイン表面上に作製したSiO2超薄膜の膜厚に依存した表面局所価電子状態の変化
Si(110)-16x2单畴表面制备的SiO2超薄膜的表面局域价电子态随膜厚的变化
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：垣内拓大;池田恭平;長岡伸一;間瀬一彦
- 通讯作者：間瀬一彦
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2152514 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
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- 批准号：
RGPIN-2020-05580 - 财政年份：2022
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2218835 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Standard Grant
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$ 2.5万 - 项目类别：
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21H01286 - 财政年份：2021
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$ 2.5万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
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