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Fabrication of High Dielectric Ultrathin-Film Utilizing Inactivated Si(110) Single Domain Surface and Evaluation of Its Physical Property

Fabrication of High Dielectric Ultrathin-Film Utilizing Inactivated Si(110) Single Domain Surface and Evaluation of Its Physical Property
钝化Si(110)单畴表面高介电超薄膜的制备及其物性评价
批准号：
26870416
负责人：
Kakiuchi Takuhiro
金额：
$2.5万
依托单位：
Ehime University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26870416/
关键词：
薄膜表面物性界面物性光電子分光コインシデンス分光半導体高誘電体MOS-FET高誘電体材料局所価電子状態Si(110)シングルドメイン超薄膜表面界面表面界面物性酸化ハフニウム光電子分光法

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水の解離吸着によるSi(110)-16×2清浄面の表面構造と局所価電子状態の変化
水解离吸附导致Si(110)-16×2洁净表面表面结构和局域价电子态的变化
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Quang Ngoc Phan, Takashi Uebansou, Takaaki Shimohata, Mutsumi Nakahashi, Kazuaki Mawatari and Akira Takahashi, 原田　新, 渡辺崇人，三戸太郎，大内淑代，野地澄晴, 垣内拓大，西浦伸吾，川本淳滋，長岡伸一，間瀬一彦]
通讯作者： 垣内拓大，西浦伸吾，川本淳滋，長岡伸一，間瀬一彦
X線光電子分光法、光電子-オージェ電子分光法による水素吸着Si(110)-16x2シングルドメイン表面の研究
X射线光电子能谱和光电子俄歇电子能谱研究氢吸附的Si(110)-16x2单畴表面
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [垣内拓大, 中納佑二, 長岡伸一, 間瀬一彦]
通讯作者： 間瀬一彦
Si(110）-16x2シングルドメイン表面上に作製したHfおよびHfO2超薄膜の界面を選別した局所価電子状態
在 Si(110)-16x2 单畴表面上制造的 Hf 和 HfO2 超薄膜界面处选择的局部价态
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [垣内拓大, 池田恭平, 長岡伸一, 間瀬一彦]
通讯作者： 間瀬一彦
低速電子回折と光電子分光法によるHf蒸着Si(110)-16x2シングルドメイン表面の研究
慢电子衍射和光电子能谱研究 Hf 沉积的 Si(110)-16x2 单畴表面
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [垣内拓大, 桂木拓磨, 中納佑二, 長岡伸一, 間瀬一彦]
通讯作者： 間瀬一彦
共 9 条
    Growth processes and low-dimensional physical properties on ultrathin high-k materials film fabricated on concave-convex Si surface by spectroscopic observation
    • 批准号：
      17K06030
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.16万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Kakiuchi Takuhiro
    • 依托单位：
      Ehime University
    国内基金
    海外基金
    拓扑绝缘体新材料以及表面物性的第一性原理研究
    • 批准号：
      11374033
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      76.0万元
    • 批准年份：
      2013
    • 负责人：
      冯万祥
    • 依托单位：
      北京理工大学
    任意曲面物体表面物性及深度轮廓的激光光热检测技术研究
    • 批准号：
      60877063
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      32.0万元
    • 批准年份：
      2008
    • 负责人：
      王钦华
    • 依托单位：
      苏州大学
    贮氢电极材料的结构及表面物性对电极寿命影响的研究
    • 批准号：
      58770054
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      4.5万元
    • 批准年份：
      1987
    • 负责人：
      王启东
    • 依托单位：
      浙江大学