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Highly efficient chemical mechanical polishing method for SiC substrates using enhanced slurry containing bubbles of plasma gas

Highly efficient chemical mechanical polishing method for SiC substrates using enhanced slurry containing bubbles of plasma gas
使用含等离子气体气泡的增强浆料对 SiC 衬底进行高效化学机械抛光方法
批准号：
17K06094
负责人：
UNEDA Michio
金额：
$3.0万
依托单位：
Kanazawa Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K06094/
关键词：
SiC基板プラズマガスナノバブルCMP高能率表面改質超精密加工研磨・CMP

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オゾンガス内包ナノバブル添加スラリーによるSiC基板の高能率研磨加工法の研究
含臭氧纳米气泡浆料SiC衬底高效抛光方法研究
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Hironori HIBINO, Takamasa HORIKAWA, Takayuki KOBAYASHI, and Makoto YAMAGUCHI, 藤井皐司，畝田道雄]
通讯作者： 藤井皐司，畝田道雄
Development Study on Ultra Precision Lapping Technique of Large Sized Workpiece by Oscillation Controlled Method
  • 批准号：
    20760090
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额：
    $2.25万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    UNEDA Michio
  • 依托单位：
    Kanazawa Institute of Technology
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