Self-formation of InGaN quantum dots on SiO2/Si substrates by nano-droplet growth
Self-formation of InGaN quantum dots on SiO2/Si substrates by nano-droplet growth
通过纳米液滴生长在 SiO2/Si 衬底上自形成 InGaN 量子点
批准号：
17K06342
负责人：
Yamaguchi Koichi
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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電気通信大学 山口浩一研究室
电气通信大学山口浩一实验室
电气通信大学山口浩一实验室
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Molecular Beam Epitaxy
分子束外延
分子束外延
DOI：
10.1016/b978-0-12-387839-7.00007-5
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Batool Z]
通讯作者：
Batool Z
分子線堆積法によるSiOx/半導体基板上へのInAs量子ドットの自己形成(2)
通过分子束沉积在 SiOx/半导体基底上自形成 InAs 量子点 (2)
通过分子束沉积在 SiOx/半导体基底上自形成 InAs 量子点 (2)
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[馬飼野彰宜, 坂本克好，曽我部東馬，山口浩一]
通讯作者：
坂本克好，曽我部東馬，山口浩一
Molecular Beam Deposition of High-Density InAs Quantum Dots on SiOx Films
SiOx 薄膜上高密度 InAs 量子点的分子束沉积
SiOx 薄膜上高密度 InAs 量子点的分子束沉积
DOI：
10.7567/1347-4065/ab0def
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[A. Makaino, Y. Tanaka and K. Yamaguchi]
通讯作者：
Y. Tanaka and K. Yamaguchi
Enhancement of Photoluminescence of InAs Quantum Dots grown on SiOx Films by Molecular Beam Deposition
分子束沉积增强 SiOx 薄膜上生长的 InAs 量子点的光致发光
分子束沉积增强 SiOx 薄膜上生长的 InAs 量子点的光致发光
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Tanaka, K. Sasaki, A. Makaino and K. Yamaguchi]
通讯作者：
A. Makaino and K. Yamaguchi
共 12 条
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