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Development pf Practical Technology for High-Tc, Less-Anisotropic and Rare-Earth Less Multi-Layer type (Cu, C)-Superconducting Films
高温、低各向异性、少稀土多层型（铜、碳）超导薄膜实用技术开发
基本信息
- 批准号：17K06355
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electronic Structure of Surface and Interface of Epitaxial Cu(In,Ga)Se2-Based Structure
外延Cu(In,Ga)Se2基结构表面和界面的电子结构
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hoa T. Dao;Hisao Makino;Norio TERADA
- 通讯作者：Norio TERADA
Cu2Zn(Sn,Ge)Se4表面およびCdS/Cu2Zn(Sn,Ge)Se4ヘテロ界面の電子状態評価
Cu2Zn(Sn,Ge)Se4表面和CdS/Cu2Zn(Sn,Ge)Se4异质界面的电子态评估
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takeda Itsuki;Makino Hisao;寺田 教男;Makino Hisao;寺田 教男
- 通讯作者：寺田 教男
Characterization of surface and heterointerface of Cu2ZnSn1-xGexSe4 for the solar cell applications
用于太阳能电池应用的 Cu2ZnSn1-xGexSe4 的表面和异质界面表征
- DOI：10.1002/pssr.201900708
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Katsuhiko Saito,Yusei Matsuo;Akihiro Tomota;Tatsuki Hamada;Yuken Oishi;Tooru Tanaka,and Qixin Guo;青木 裕介;青木 裕介;青木裕介;西尾勇輝， 阪本竜也， 青木裕介;西尾勇輝・坂本竜也・青木裕介;青木裕介;青木裕介;青木裕介;青木裕介;Tatsuya Sakamoto，Yusuke Aoki;Kazuya Hayashi, Yusuke Aoki;Norio TERADA
- 通讯作者：Norio TERADA
ケルビンプローブ顕微鏡によるCIGSSe層内粒界の電子構造評価
使用开尔文探针显微镜评估 CIGSSe 层晶界的电子结构
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：久保 臣悟;澤田 剛;川村 末洋;島村 拓也;岩本 悠矢;谷川 昴平;加藤 拓也;杉本 広紀;石塚 尚吾;柴田 肇;松原 浩司;仁木 栄;寺田 教男
- 通讯作者：寺田 教男
Band Alignment of CdS/Cu_2ZnSnSe_4 Heterointerface and Solar Cell Performances
CdS/Cu_2ZnSnSe_4异质界面的能带排列与太阳能电池性能
- DOI：10.1557/adv.2017.315
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Nagai;Shinho Kim;H. Tampo;K. Kim;H. Shibata;Shin’ichi Takaki;Kenta Kawasaki;Suehiro Kawamura;T. Shimamura;K. Matsubara;S. Niki;N. Terada
- 通讯作者：N. Terada
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Development of Practical Technology for Ic-Enhancement in (Cu, C)-system Rare-Earth Less Superconducting Thin Films
(Cu,C)系少稀土超导薄膜IC增强实用技术的开发
- 批准号：
26420275 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
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Development of High Performances and Novel Functions in Low-Growth Temperature (Cu, C) Superconducting Film by Controlling Multi-layer Structure
通过控制多层结构开发低生长温度（Cu，C）超导薄膜的高性能和新功能
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13650016 - 财政年份：2001
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17J03077 - 财政年份：2017
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$ 3.08万 - 项目类别：
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99J81803 - 财政年份：2000
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$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
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X00040----220320 - 财政年份：1977
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$ 3.08万 - 项目类别：
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光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
- 批准号：
X00040----121121 - 财政年份：1976
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$ 3.08万 - 项目类别：
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光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
- 批准号：
X00040----021815 - 财政年份：1975
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research