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Development pf Practical Technology for High-Tc, Less-Anisotropic and Rare-Earth Less Multi-Layer type (Cu, C)-Superconducting Films
高温、低各向异性、少稀土多层型（铜、碳）超导薄膜实用技术开发
基本信息
- 批准号：17K06355
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electronic structure of surface and interface of Cu(In, Ga)(S, Se)2-based structure
Cu(In, Ga)(S, Se)2基结构表面和界面的电子结构
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Dao Hoa T.;Makino Hisao;寺田 教男;Hisao Makino;Norio TERADA
- 通讯作者：Norio TERADA
Electronic structure of CdS/Cu2ZnGeSe4 (CZGSe) heterointerface
CdS/Cu2ZnGeSe4 (CZGSe)异质界面的电子结构
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Dao Thi Hoa;Hisao Makino;Norio TERADA
- 通讯作者：Norio TERADA
Cu2Zn(Sn,Ge)Se4表面およびCdS/Cu2Zn(Sn,Ge)Se4ヘテロ界面の電子状態評価
Cu2Zn(Sn,Ge)Se4表面和CdS/Cu2Zn(Sn,Ge)Se4异质界面的电子态评估
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takeda Itsuki;Makino Hisao;寺田 教男;Makino Hisao;寺田 教男
- 通讯作者：寺田 教男
Electronic Structure of Surface and Interface of Epitaxial Cu(In,Ga)Se2-Based Structure
外延Cu(In,Ga)Se2基结构表面和界面的电子结构
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hoa T. Dao;Hisao Makino;Norio TERADA
- 通讯作者：Norio TERADA
Characterization of surface and heterointerface of Cu2ZnSn1-xGexSe4 for the solar cell applications
用于太阳能电池应用的 Cu2ZnSn1-xGexSe4 的表面和异质界面表征
- DOI：10.1002/pssr.201900708
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Katsuhiko Saito,Yusei Matsuo;Akihiro Tomota;Tatsuki Hamada;Yuken Oishi;Tooru Tanaka,and Qixin Guo;青木 裕介;青木 裕介;青木裕介;西尾勇輝， 阪本竜也， 青木裕介;西尾勇輝・坂本竜也・青木裕介;青木裕介;青木裕介;青木裕介;青木裕介;Tatsuya Sakamoto，Yusuke Aoki;Kazuya Hayashi, Yusuke Aoki;Norio TERADA
- 通讯作者：Norio TERADA
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Development of Practical Technology for Ic-Enhancement in (Cu, C)-system Rare-Earth Less Superconducting Thin Films
(Cu,C)系少稀土超导薄膜IC增强实用技术的开发
- 批准号：
26420275 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of High Performances and Novel Functions in Low-Growth Temperature (Cu, C) Superconducting Film by Controlling Multi-layer Structure
通过控制多层结构开发低生长温度（Cu，C）超导薄膜的高性能和新功能
- 批准号：
20560305 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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通过工程界面势垒的微观控制改进三明治型高温超导约瑟夫森结的性能
- 批准号：
16560278 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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高温与低温超导层间强超导耦合的界面控制研究
- 批准号：
13650016 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似国自然基金
半金属铁磁体的表面及界面的物性研究
- 批准号：10664005
- 批准年份：2006
- 资助金额：25.0 万元
- 项目类别：地区科学基金项目
相似海外基金
Enhancing the superconducting critical temperature by single layer films
通过单层薄膜提高超导临界温度
- 批准号：
16K13832 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Design of photo-controllable superconductive nanoparticles
光控超导纳米颗粒的设计
- 批准号：
16H04195 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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通过分析外延过渡金属氧化物的电子相图开发电活性材料
- 批准号：
15H03881 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of Practical Technology for Ic-Enhancement in (Cu, C)-system Rare-Earth Less Superconducting Thin Films
(Cu,C)系少稀土超导薄膜IC增强实用技术的开发
- 批准号：
26420275 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of High Temperature and Rare-Earth Less Superconducting Thin Films by Controlling (Cu, C)-based Artificial Multi-layer Structure
控制(Cu,C)基人工多层结构开发高温少稀土超导薄膜
- 批准号：
23360139 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)