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Development of Practical Technology for Ic-Enhancement in (Cu, C)-system Rare-Earth Less Superconducting Thin Films
(Cu,C)系少稀土超导薄膜IC增强实用技术的开发
基本信息
- 批准号：26420275
- 负责人：
- 金额：$ 3.24万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（19）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
ホイスラー合金Mn2CoAlの物性
Heusler合金Mn2CoAl物理性能
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Norio Terada;Hideki Morita;Kosuke Chochi;Sho Yoshimoto;Masahiro Mitsunaga,Shogo Ishizuka;Hajime Shibata;Akimasa Yamada;Koji Matsubara and Shigeru Niki;寺田 教男;寺田 教男;寺田 教男;寺田 教男;寺田 教男
- 通讯作者：寺田 教男
Substitution Effects in the Antiferromagnetic Heusler Compound Ru2CrSi
反铁磁赫斯勒化合物 Ru2CrSi 中的取代效应
- DOI：10.7566/jpscp.3.014024
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Hiroi;T. Higashiuchi;T. Ogawa;I. Shigeta;M. Ito;H. Manaka;and N. Terada
- 通讯作者：and N. Terada
Characterization of Electronic Structure of Oxysulfide Buffers and Band Alignmentat Buffer/Absorber Interfaces in CIGS-based Solar Cells
CIGS 太阳能电池中硫氧化物缓冲剂电子结构的表征以及缓冲剂/吸收剂界面的能带对准
- DOI：10.7567/jjap.53.05fw09
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Norio Terada;Hideki Morita;Kosuke Chochi;Sho Yoshimoto;Masahiro Mitsunaga,Shogo Ishizuka;Hajime Shibata;Akimasa Yamada;Koji Matsubara and Shigeru Niki
- 通讯作者：Koji Matsubara and Shigeru Niki
Characterization of electronic structure of CZTSSe absorber layer and CdS/CZTSSe interfaces by PES/IPES
通过 PES/IPES 表征 CZTSSe 吸收层和 CdS/CZTSSe 界面的电子结构
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：平原 英明;田中 晃;山本 修;荒 隆裕;寺田 教男;HEN Pisithkun，平原 英明，田中 晃，山本 修，荒 隆裕;寺田 教男
- 通讯作者：寺田 教男
Electronic structure of CZTSe surface and CdS/CZTSe heterointerface
CZTSe表面和CdS/CZTSe异质界面的电子结构
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：寺田 教男;寺田 教男
- 通讯作者：寺田 教男
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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Development pf Practical Technology for High-Tc, Less-Anisotropic and Rare-Earth Less Multi-Layer type (Cu, C)-Superconducting Films
高温、低各向异性、少稀土多层型（铜、碳）超导薄膜实用技术开发
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17K06355 - 财政年份：2017
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13650016 - 财政年份：2001
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26870115 - 财政年份：2014
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99J81803 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
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光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
- 批准号：
X00040----220320 - 财政年份：1977
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
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光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
- 批准号：
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- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
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光による化合物半導体の表面・界面物性の研究
利用光研究化合物半导体的表面和界面性质
- 批准号：
X00040----021815 - 财政年份：1975
- 资助金额：
$ 3.24万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research