Fabrication of nanoporous single-crystal semiconductors with high carrier mobilities
Fabrication of nanoporous single-crystal semiconductors with high carrier mobilities
具有高载流子迁移率的纳米多孔单晶半导体的制造
批准号：
17K18988
负责人：
Miyake Masao
金额：
$4.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-06-30 至 2019-03-31
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ミスト CVD 法による c面 Al2O3 基板への Ni1-XMgXO 薄膜のエピタキシャル成長とバンドギャップ制御
雾气CVD法和带隙控制在c面Al2O3衬底上外延生长Ni1-XMgXO薄膜
雾气CVD法和带隙控制在c面Al2O3衬底上外延生长Ni1-XMgXO薄膜
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[米谷怜, 池之上卓己, 三宅正男, 平藤哲司]
通讯作者：
平藤哲司
Growth and Electrical Properties of Epitaxial ZnO Films Prepared by Chemical Bath Deposition Using a Flow Reactor
使用流动反应器化学浴沉积制备外延 ZnO 薄膜的生长和电性能
使用流动反应器化学浴沉积制备外延 ZnO 薄膜的生长和电性能
DOI：
10.2320/matertrans.m2018173
发表时间：
2018
期刊：
MATERIALS TRANSACTIONS
影响因子：
1.2
作者：
[Miyake Masao, Yamamoto Ken, Ikenoue Takumi, Hirato Tetsuji]
通讯作者：
Hirato Tetsuji
ミスト CVD 法による MoO2 薄膜成長
雾气CVD法生长MoO2薄膜
雾气CVD法生长MoO2薄膜
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[股村雄也, 三宅正男, 池之上卓己, 平藤哲司]
通讯作者：
平藤哲司
ミスト CVD 法による二酸化モリブデンのエピタキシャル成長
雾气CVD法外延生长二氧化钼
雾气CVD法外延生长二氧化钼
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Miyake Masao, Yamamoto Ken, Ikenoue Takumi, Hirato Tetsuji, 股村雄也，池之上卓己，三宅正男，平藤哲司]
通讯作者：
股村雄也，池之上卓己，三宅正男，平藤哲司
ミスト CVD 法を用いた VO2 薄膜のエピタキシャル成長
采用雾气CVD法外延生长VO2薄膜
采用雾气CVD法外延生长VO2薄膜
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[木村信, 池之上卓己, 三宅正男, 平藤哲司]
通讯作者：
平藤哲司
Electrodeposition of refractory metals using ionic liquids in an intermediate temperature range
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批准号：17H03429
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.23万
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财政年份：2017
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负责人：Miyake Masao
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依托单位：
Epitaxial growth of thee-dimensional periodic structure consisting of single crystal (Fostering Joint International Research)
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批准号：15KK0205
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项目类别：Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
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资助金额：$6.74万
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财政年份：2016
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负责人：Miyake Masao
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依托单位：
Epitaxial growth of 3D structured single crystal
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批准号：15K21095
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2015
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负责人：Miyake Masao
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依托单位：
海外基金