New ultrahigh hardness material realized by octahedral coordinated SiN and partial ordering of atomic arrangement
New ultrahigh hardness material realized by octahedral coordinated SiN and partial ordering of atomic arrangement
由八面体配位SiN和原子排列偏序实现的新型超高硬度材料
批准号：
17K18979
负责人：
Suzuki Tsuneo
金额：
$4.16万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-06-30 至 2019-03-31
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B1-(Cr,Ga)N薄膜におけるGaNの固溶限評価
B1-(Cr,Ga)N薄膜中GaN固溶度极限的评估
B1-(Cr,Ga)N薄膜中GaN固溶度极限的评估
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[水野遊星, 鈴木常生, 中山忠親, 末松久幸]
通讯作者：
末松久幸
Solubility limit of B1-GaN to B1-(Cr,Ga)N thin films
B1-GaN 到 B1-(Cr,Ga)N 薄膜的溶解度极限
B1-GaN 到 B1-(Cr,Ga)N 薄膜的溶解度极限
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Mizuno, H. Suematsu, T. Nakayama, and T. Suzuki]
通讯作者：
and T. Suzuki
GaNの添加によるCrNの硬度改善とその強化機構
添加GaN提高CrN硬度及其强化机制
添加GaN提高CrN硬度及其强化机制
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[水野遊星, 鈴木常生, 中山忠親, 末松久幸]
通讯作者：
末松久幸
Nb含有量変化によるエピタキシャル(Cr,Nb)N薄膜の電気抵抗率の温度依存性
Nb 含量变化导致外延 (Cr,Nb)N 薄膜电阻率的温度依赖性
Nb 含量变化导致外延 (Cr,Nb)N 薄膜电阻率的温度依赖性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[関根崇, 水野遊星, 中山忠親, 末松久幸, 鈴木常生]
通讯作者：
鈴木常生
Preparation of B1-(Cr,Ga)N thin films by pulsed laser deposition
脉冲激光沉积法制备B1-(Cr,Ga)N薄膜
脉冲激光沉积法制备B1-(Cr,Ga)N薄膜
DOI：
10.7567/jjap.57.02cb01
发表时间：
2018
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Yusei Mizuno, Tadachika Nakayama, Hisayuki Suematsu and Tsuneo Suzuki]
通讯作者：
Hisayuki Suematsu and Tsuneo Suzuki
共 12 条
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