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New ultrahigh hardness material realized by octahedral coordinated SiN and partial ordering of atomic arrangement
由八面体配位SiN和原子排列偏序实现的新型超高硬度材料
基本信息
- 批准号：17K18979
- 负责人：
- 金额：$ 4.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-06-30 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
B1-(Cr,Ga)N薄膜におけるGaNの固溶限評価
B1-(Cr,Ga)N薄膜中GaN固溶度极限的评估
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：水野遊星;鈴木常生;中山忠親;末松久幸
- 通讯作者：末松久幸
Solubility limit of B1-GaN to B1-(Cr,Ga)N thin films
B1-GaN 到 B1-(Cr,Ga)N 薄膜的溶解度极限
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Mizuno;H. Suematsu;T. Nakayama;and T. Suzuki
- 通讯作者：and T. Suzuki
Nb含有量変化によるエピタキシャル(Cr,Nb)N薄膜の電気抵抗率の温度依存性
Nb 含量变化导致外延 (Cr,Nb)N 薄膜电阻率的温度依赖性
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：関根崇;水野遊星;中山忠親;末松久幸;鈴木常生
- 通讯作者：鈴木常生
Preparation of B1-(Cr,Ga)N thin films by pulsed laser deposition
脉冲激光沉积法制备B1-(Cr,Ga)N薄膜
- DOI：10.7567/jjap.57.02cb01
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Yusei Mizuno;Tadachika Nakayama;Hisayuki Suematsu and Tsuneo Suzuki
- 通讯作者：Hisayuki Suematsu and Tsuneo Suzuki
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