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2D array of Dopant at the hetero interface of IV group semiconductors
IV 族半导体异质界面处的掺杂剂二维阵列
基本信息
- 批准号：17H02777
- 负责人：
- 金额：$ 11.15万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
高速化データ駆動科学としての陽電子回折
正电子衍射作为一门快速数据驱动的科学
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：田中和幸，星健夫;一宮彪彦，望月出海;三木一司; 兵頭俊夫;福島孝治
- 通讯作者：福島孝治
Fluorescence X-ray Holography of Sn from Sn: β-Ga2O3 widegap oxide semiconductor.
Sn：β-Ga2O3 宽禁带氧化物半导体中 Sn 的荧光 X 射线全息术。
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Miki;N. Happo;K. Kimura;K. Sasaki;Y. Tang ;K. Nawata;H. Kitafuji;S. Kitamura;H. Ozaki;K. Hisatsune;R. Yamaguchi;H. Tajiri;S. Yamakoshi;K. Hayashi;A. Kuramata
- 通讯作者：A. Kuramata
Mechanism of initial thermal oxidation on Si(113) surfaces
Si(113)表面初始热氧化机理
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Ogawa;H. Tanaka;S. Ohno;M. Tanaka;K. Miki;S. Ogawa; Y.Takakuwa
- 通讯作者：Y.Takakuwa
X-ray Fluorescence Holography of n type dopant, Sn in β-Ga2O3 widegap oxide semiconductor
β-Ga2O3 宽禁带氧化物半导体中 n 型掺杂剂 Sn 的 X 射线荧光全息术
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Miki;N. Happo;K. Kimura;K. Sasaki;Y. Tang;K. Nawata;Y. Maeda;S. Kitamura;H. Ozaki;K. Hisatsune;R. Yamaguchi;H. Tajiri;S. Yamakoshi;K. Hayashi;A. Kuramata
- 通讯作者：A. Kuramata
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
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- 作者：
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- 资助金额：
$ 11.15万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists