2D array of Dopant at the hetero interface of IV group semiconductors
2D array of Dopant at the hetero interface of IV group semiconductors
IV 族半导体异质界面处的掺杂剂二维阵列
批准号：
17H02777
负责人：
Kazushi Miki
金额：
$11.15万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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高速化データ駆動科学としての陽電子回折
正电子衍射作为一门快速数据驱动的科学
正电子衍射作为一门快速数据驱动的科学
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田中和幸，星健夫, 一宮彪彦，望月出海, 三木一司, 兵頭俊夫, 福島孝治]
通讯作者：
福島孝治
Fluorescence X-ray Holography of Sn from Sn: β-Ga2O3 widegap oxide semiconductor.
Sn：β-Ga2O3 宽禁带氧化物半导体中 Sn 的荧光 X 射线全息术。
Sn：β-Ga2O3 宽禁带氧化物半导体中 Sn 的荧光 X 射线全息术。
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Miki, N. Happo, K. Kimura, K. Sasaki, Y. Tang , K. Nawata, H. Kitafuji, S. Kitamura, H. Ozaki, K. Hisatsune, R. Yamaguchi, H. Tajiri, S. Yamakoshi, K. Hayashi, A. Kuramata]
通讯作者：
A. Kuramata
Mechanism of initial thermal oxidation on Si(113) surfaces
Si(113)表面初始热氧化机理
Si(113)表面初始热氧化机理
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. Ogawa, H. Tanaka, S. Ohno, M. Tanaka, K. Miki, S. Ogawa, Y.Takakuwa]
通讯作者：
Y.Takakuwa
X-ray Fluorescence Holography of n type dopant, Sn in β-Ga2O3 widegap oxide semiconductor
β-Ga2O3 宽禁带氧化物半导体中 n 型掺杂剂 Sn 的 X 射线荧光全息术
β-Ga2O3 宽禁带氧化物半导体中 n 型掺杂剂 Sn 的 X 射线荧光全息术
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Miki, N. Happo, K. Kimura, K. Sasaki, Y. Tang, K. Nawata, Y. Maeda, S. Kitamura, H. Ozaki, K. Hisatsune, R. Yamaguchi, H. Tajiri, S. Yamakoshi, K. Hayashi, A. Kuramata]
通讯作者：
A. Kuramata
Alignment-Induced Mobility Enhancement and Small Device-to-Device Variation of Polymer-Based Organic Field-Effect Transistors with Highly Hydrophobic Nano-Grooved Gate Dielectric Surfaces
具有高度疏水性纳米沟槽栅极介电表面的聚合物基有机场效应晶体管的对准诱导迁移率增强和器件间差异小
具有高度疏水性纳米沟槽栅极介电表面的聚合物基有机场效应晶体管的对准诱导迁移率增强和器件间差异小
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[ブルガレビッチ キリル, 坂本謙二, 三成剛生, 安田剛, 三木一司, 竹内正之]
通讯作者：
竹内正之
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