イオン注入法でのドーパント注入によるダイヤモンド半導体の電気伝導制御の確立
使用离子注入法通过掺杂剂注入建立金刚石半导体的电导控制
基本信息
- 批准号:23K13369
- 负责人:
- 金额:$ 3万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
関 裕平其他文献
関 裕平的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似海外基金
パワー半導体デバイスの寿命と性能を最大限活かせる駆動回路設計手法の確立
建立最大化功率半导体器件寿命和性能的驱动电路设计方法
- 批准号:
23K13313 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
非平衡プラズマ結晶成長技術による超高耐圧窒化アルミニウム系半導体電子素子の創製
利用非平衡等离子体晶体生长技术制造超高压氮化铝半导体电子器件
- 批准号:
23H01864 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
実動作中のワイドギャップ半導体パワーデバイスにおける転位の動的な挙動の観察
宽禁带半导体功率器件实际运行过程中位错动态行为的观察
- 批准号:
23K17356 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
炭化珪素半導体MOS界面科学と界面設計指針の再構築
重构碳化硅半导体MOS接口科学及接口设计指南
- 批准号:
21K18170 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
ビーム実験による次世代半導体Ga2O3のプラズマエッチング表面反応機構の解明
通过束流实验阐明下一代半导体Ga2O3的等离子刻蚀表面反应机理
- 批准号:
21K03522 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
次世代半導体ゲート絶縁膜用の高誘電率材料における欠陥構造と絶縁破壊機構の解明
阐明下一代半导体栅极绝缘膜高介电常数材料中的缺陷结构和介电击穿机制
- 批准号:
13J03090 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
炭化珪素半導体の高電界物性の解明と超高耐圧パワーデバイスへの応用
碳化硅半导体高场物理特性解析及其在超高压功率器件中的应用
- 批准号:
13J06049 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
窒化物半導体の異種接合界面制御とトランジスタ応用
氮化物半导体和晶体管应用的异质结界面控制
- 批准号:
11J02074 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
超高耐圧ロバスト素子を目指した炭化珪素半導体の欠陥制御に関する研究
针对超高压鲁棒器件的碳化硅半导体缺陷控制研究
- 批准号:
21246051 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 3万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)