Controlling spatial distribution of rare-earth elements in III-nitride semiconductors and their magnetic properties

III族氮化物半导体中稀土元素空间分布及其磁性能的控制

• 批准号: 17H02775
• 负责人: Shigehiko HASEGAWA
• 金额: $ 11.15万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H02775/
• 关键词: エピタキシャル成長; 窒化物半導体; 空間分布制御; 結晶構造; 磁気特性; 陽電子消滅法; 原子空孔; 第一原理計算; 低速陽電子ビーム

项目成果

Irradiation-induced vacancy defects and its recovery behavior in 5N-purity tungsten and 3N-purity tantalum

5N 钨和 3N 钽中辐照引起的空位缺陷及其恢复行为

• DOI: 10.1063/1.5135857
• 发表时间: 2019
• 期刊: AIP Conf. Proc.
• 作者: Tanaka M.;Yabuuchi A.;Kinomura A.
• 通讯作者: Kinomura A.

Structural and magnetic properties of Tb-doped GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

等离子体辅助分子束外延生长的 Tb 掺杂 GaN 的结构和磁性能

• 发表时间: 2017
• 作者: R. Yanagidani;S. Hasegawa
• 通讯作者: S. Hasegawa

KUR低速陽電子ビームライン測定系のパラメータ最適化

KUR慢速正电子束线测量系统参数优化

• 发表时间: 2018
• 作者: Tomohiro Endo;Akio Yamamoto;前川雅樹，境誠司，萩原聡，和田健，宮下敦己，河裾厚男，薮内敦，長谷川繁彦;田口遼，葛谷佳広，中島諒，薮内敦，木野村淳
• 通讯作者: 田口遼，葛谷佳広，中島諒，薮内敦，木野村淳

Development Status of the KUR Reactor-Based Slow Positron Beamline: Evaluation of Positron Source Temperature and Beam Intensity

KUR反应堆慢正电子束线发展现状：正电子源温度和束流强度评估

• 发表时间: 2018
• 作者: A. Yabuuchi;R. Naka;T. Yoshiie;Y. Kuzuya;R. Taguchi;A. Kinomura
• 通讯作者: A. Kinomura

PA-MBE 法による GdN/GaN 超格子構造の作製と磁気特性の評価

PA-MBE法制备GdN/GaN超晶格结构及磁性能评价

• 发表时间: 2018
• 作者: 上杉 謙次郎;林 侑介;正直 花奈子;永松 謙太郎;吉田 治正;三宅 秀人;小島拓朗，長谷川繁彦
• 通讯作者: 小島拓朗，長谷川繁彦