Metal oxide memristors: Switching phenomena in van der Waals nanostructures
金属氧化物忆阻器:范德华纳米结构中的开关现象
基本信息
- 批准号:DE150100909
- 负责人:
- 金额:$ 24.84万
- 依托单位:
- 依托单位国家:澳大利亚
- 项目类别:Discovery Early Career Researcher Award
- 财政年份:2015
- 资助国家:澳大利亚
- 起止时间:2015-01-01 至 2020-07-23
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
This project aims to integrate two recently researched phenomena: memristors (resistive memory) and planar materials. It aims to adopt atomically thin, planar materials for memristors enabling the realisation of high performance resistive memory devices. The physical and environmental effects that govern the memristive properties, which are of utmost importance in understanding resistive memory nature, will be investigated. While generating breakthrough knowledge, the key outcomes of this project will lay the foundation for a novel class of memory devices based on planar van der Waals nanostructures. Such a breakthrough will contribute to the realisation of sustainable memristor technology.
本项目旨在整合两个最近研究的现象:忆阻器(电阻存储器)和平面材料。它旨在采用原子级薄的平面材料用于忆阻器,从而实现高性能电阻存储器件。物理和环境的影响,管理的忆阻特性,这是最重要的了解电阻存储器的性质,将进行调查。在产生突破性知识的同时,该项目的关键成果将为基于平面货车德瓦尔斯纳米结构的新型存储器件奠定基础。这一突破将有助于实现可持续的忆阻器技术。
项目成果
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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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