Study on Raman gain induced by incoherent light in high quality photonic crystal devices
Study on Raman gain induced by incoherent light in high quality photonic crystal devices
高质量光子晶体器件中非相干光引起的拉曼增益研究
批准号：
18H01479
负责人：
Takahashi Yasushi
金额：
$11.23万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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静電気照射がナノ共振器シリコンラマンレーザに与える影響（Ⅱ）
静电辐照对纳米腔硅拉曼激光器的影响（二）
静电辐照对纳米腔硅拉曼激光器的影响（二）
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[保田 賢志, 浅野 卓, 野田 進, 高橋 和]
通讯作者：
高橋 和
1.2 μm帯におけるナノ共振器シリコンラマンレーザの実現に向けた検討
1.2μm波段纳米腔硅拉曼激光器的实现研究
1.2μm波段纳米腔硅拉曼激光器的实现研究
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岡田 博子, 田中 捺美, 浅野 卓, 野田 進, 高橋 和]
通讯作者：
高橋 和
Decrease of the Threshold for Raman Silicon Nanocavity Laser by Increasing Q factors
通过增加 Q 因子降低拉曼硅纳米腔激光器的阈值
通过增加 Q 因子降低拉曼硅纳米腔激光器的阈值
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[川勝 太郎, 浅野 卓, 野田 進, 高橋 和, 安田 孝正，岡野 誠，大塚 実，関 三好，横山 信幸，高橋 和, Yasushi Takahashi, Takamasa Yasuda and Yasushi Takahashi, Taro Kawakatsu and Yasushi Takahashi]
通讯作者：
Taro Kawakatsu and Yasushi Takahashi
ナノ共振器シリコンラマンレーザの励起効率の改善
提高纳米腔硅拉曼激光器的激发效率
提高纳米腔硅拉曼激光器的激发效率
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[川勝太郎, 高橋和]
通讯作者：
高橋和
Development of Photonic Crystal High-Q Nanocavity Devices
光子晶体高Q纳米腔器件的开发
光子晶体高Q纳米腔器件的开发
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田中 捺美, 高橋 和, Yasushi Takahashi]
通讯作者：
Yasushi Takahashi
共 83 条
Integration of silicon photonic devices operating various wavelength bands
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批准号：15K13326
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2015
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负责人：Takahashi Yasushi
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依托单位：
Study for the optical gain and the lasing characteristics of high-Q nanocavity-based silicon Raman laser
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批准号：15H05428
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$15.72万
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财政年份：2015
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负责人：Takahashi Yasushi
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依托单位：