Integration of silicon photonic devices operating various wavelength bands
Integration of silicon photonic devices operating various wavelength bands
集成运行各种波长带的硅光子器件
批准号：
15K13326
负责人：
Takahashi Yasushi
金额：
$2.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
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1310/1550nm帯で動作するシリコンラマンレーザーの1チップ集積
单芯片集成 1310/1550nm 波段硅拉曼激光器
单芯片集成 1310/1550nm 波段硅拉曼激光器
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[桑原 充輝, 高橋 和, 野田 進]
通讯作者：
野田 進
A Sub-microwatt Threshold Raman Silicon Laser Using a High-Q Nanocavity
使用高 Q 纳米腔的亚微瓦阈值拉曼硅激光器
使用高 Q 纳米腔的亚微瓦阈值拉曼硅激光器
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Daiki Yamashita, Yasushi Takahashi, Takashi Asano, and Susumu Noda]
通讯作者：
and Susumu Noda
大阪府立大学 高橋研究室
大阪府立大学高桥实验室
大阪府立大学高桥实验室
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Q 値200 万を有するL3 型フォトニック結晶共振器
Q值200万的L3型光子晶体谐振器
Q值200万的L3型光子晶体谐振器
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[芦田 紘平, 岡野 誠, 大塚 実, 関 三好, 横山 信幸, 越野 圭二, 森 雅彦, 高橋 和, 前野権一，高橋和，野田進]
通讯作者：
前野権一，高橋和，野田進
ウェットエッチングを用いたSOI基板のサブナノメートル精度薄膜化
使用湿法蚀刻对 SOI 衬底进行亚纳米级精密减薄
使用湿法蚀刻对 SOI 衬底进行亚纳米级精密减薄
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[桑原 充輝, 高橋 和, 野田 進]
通讯作者：
野田 進
共 21 条
Study on Raman gain induced by incoherent light in high quality photonic crystal devices
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批准号：18H01479
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.23万
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财政年份：2018
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负责人：Takahashi Yasushi
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依托单位：
Study for the optical gain and the lasing characteristics of high-Q nanocavity-based silicon Raman laser
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批准号：15H05428
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额：$15.72万
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财政年份：2015
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负责人：Takahashi Yasushi
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依托单位：
海外基金