Study for the optical gain and the lasing characteristics of high-Q nanocavity-based silicon Raman laser
Study for the optical gain and the lasing characteristics of high-Q nanocavity-based silicon Raman laser
高Q值纳米腔硅拉曼激光器的光学增益和激光特性研究
批准号：
15H05428
负责人：
Takahashi Yasushi
金额：
$15.72万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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High-Q Nanocavity-Based Raman Laser Fabricated on a (100) SOI Substrate with a 45-Degree-Rotated Top Silicon Layer
在具有 45 度旋转顶部硅层的 (100) SOI 基板上制造的基于高 Q 纳米腔的拉曼激光器
在具有 45 度旋转顶部硅层的 (100) SOI 基板上制造的基于高 Q 纳米腔的拉曼激光器
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
CLEO Pacific Rim (CLEO-PR 2018), OSA Technical Digest
影响因子：
--
作者：
[Yukiko Yamauchi, Makoto Okano, Susumu Noda, Yasushi Takahashi]
通讯作者：
Yasushi Takahashi
【ポスターアワード受賞】ナノ共振器シリコンラマンレーザの励起波長依存性
[海报奖获得者] 纳米腔硅拉曼激光器的激发波长依赖性
[海报奖获得者] 纳米腔硅拉曼激光器的激发波长依赖性
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山下 大喜, 高橋 和, 浅野 卓, 野田 進]
通讯作者：
野田 進
Super-luminescent-diode excitation of photnic crystal devices
光子晶体器件的超发光二极管激发
光子晶体器件的超发光二极管激发
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[R.Shiozaki, and Y.Takahashi]
通讯作者：
and Y.Takahashi
位置選択的ウェットエッチングによる多段SOI基板の作製－インクジェットマスクパターンの導入－
位置选择湿法刻蚀多级SOI衬底的制作-喷墨掩模图案介绍-
位置选择湿法刻蚀多级SOI衬底的制作-喷墨掩模图案介绍-
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[桑原 充輝, 田中 捺美, 高橋 和]
通讯作者：
高橋 和
DOI：
10.1364/oe.25.001769
发表时间：
2017-02-06
期刊：
OPTICS EXPRESS
影响因子：
3.8
作者：
[Asano, Takashi, Ochi, Yoshiaki, Noda, Susumu]
通讯作者：
Noda, Susumu
共 69 条
Study on Raman gain induced by incoherent light in high quality photonic crystal devices
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批准号：18H01479
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.23万
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财政年份：2018
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负责人：Takahashi Yasushi
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依托单位：
Integration of silicon photonic devices operating various wavelength bands
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批准号：15K13326
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2015
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负责人：Takahashi Yasushi
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依托单位：
海外基金