Hybrid integration technique on silicon platform and crystal growth on InP/Si bonding substrate
Hybrid integration technique on silicon platform and crystal growth on InP/Si bonding substrate
硅平台上的混合集成技术和InP/Si键合衬底上的晶体生长
批准号：
18H01503
负责人：
Shimomura Kazuhiko
金额：
$11.15万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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Lasing characteristics of GaInAsP SCH-MQW laser diode on directly-bonded InP/Si substrate
直接键合 InP/Si 衬底上 GaInAsP SCH-MQW 激光二极管的激光特性
直接键合 InP/Si 衬底上 GaInAsP SCH-MQW 激光二极管的激光特性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Ishizaki, K. Uchida, H. Sugiyama, X. Han, N. Hayasaka, M. Aikawa, M. Matsuura, K. Tsushima, T. Shirai, and K. Shimomura]
通讯作者：
and K. Shimomura
直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQWレーザ構造のX線回折評価
直接附着 InP/Si 衬底上 GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW 激光器结构的 X 射线衍射评估
直接附着 InP/Si 衬底上 GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW 激光器结构的 X 射线衍射评估
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[対馬幸樹, 杉山滉一, 内田和希, 韓旭, 相川政輝, 早坂夏樹, 松浦正樹, 石崎隆浩, 白井琢人, 下村和彦]
通讯作者：
下村和彦
直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザにおける電気特性のInPテンプレート膜厚依存性
直接附着的 InP/Si 衬底上 GaInAsP 激光器的电性能与 InP 模板膜厚度的关系
直接附着的 InP/Si 衬底上 GaInAsP 激光器的电性能与 InP 模板膜厚度的关系
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 内田和希，相川政輝，杉山滉一, 早坂夏樹，松浦正樹,矢田拓夢,下村和彦]
通讯作者：
早坂夏樹，松浦正樹,矢田拓夢,下村和彦
Characteristics of multi-quantum-well laser diodes with surface electrode structure directly bonded to InP template on SiO2/Si substrate
SiO2/Si衬底上直接键合InP模板表面电极结构多量子阱激光二极管的特性
SiO2/Si衬底上直接键合InP模板表面电极结构多量子阱激光二极管的特性
DOI：
10.1002/pssa.202000767
发表时间：
2021
期刊：
Physica Status Solidi A
影响因子：
--
作者：
[X. Han, K. Tsushima, T. Shirai, T. Ishizaki, and K. Shimomura]
通讯作者：
and K. Shimomura
選択成長MOVPEによる直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP MQW構造のフォトルミネッセンス特性
通过选择性生长MOVPE直接附着在InP/Si衬底上的GaInAsP/GaInAsP MQW结构的光致发光特性
通过选择性生长MOVPE直接附着在InP/Si衬底上的GaInAsP/GaInAsP MQW结构的光致发光特性
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[澁川航大, 対馬幸樹, 伊藤慎吾, 石崎隆浩, 阿形幸二, 白井琢人, 佐藤元就, 小谷桃子, 韓旭, 下村和彦]
通讯作者：
下村和彦
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