Polytype Controlled SiC Single Crystal Grwoth
Polytype Controlled SiC Single Crystal Grwoth
多型控制碳化硅单晶生长
批准号：
18H01891
负责人：
NISHIZAWA Shin-ichi
金额：
$10.82万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.04.018
发表时间：
2019
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[S.Nishizawa,, F.Mercier]
通讯作者：
F.Mercier
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S.Nishizawa,, F.Mercier, Shin-ichi NISHIZAWA and Frédéric Mercier]
通讯作者：
Shin-ichi NISHIZAWA and Frédéric Mercier
DOI：
10.35848/1347-4065/abebc1
发表时间：
2021-03
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Z. Lou;W. Saito;S. Nishizawa]
通讯作者：
Z. Lou;W. Saito;S. Nishizawa
SIMaP/CNRS(フランス)
SIMaP/CNRS（法国）
SIMaP/CNRS（法国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
CNRS(フランス)
法国国家科学研究中心（CNRS）
法国国家科学研究中心（CNRS）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
海外基金