刷新
{{item.name}}会员
Polytype Controlled SiC Single Crystal Grwoth
多型控制碳化硅单晶生长
基本信息
- 批准号：18H01891
- 负责人：
- 金额：$ 10.82万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Effect of nitrogen and aluminium on silicon carbide polytype stability
氮和铝对碳化硅多型体稳定性的影响
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2019.04.018
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：S.Nishizawa,;F.Mercier
- 通讯作者：F.Mercier
Effect of Nitrogen / Aluminum on Silicon Carbide Poly-type Stability
氮/铝对碳化硅多型稳定性的影响
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S.Nishizawa,;F.Mercier;Shin-ichi NISHIZAWA and Frédéric Mercier
- 通讯作者：Shin-ichi NISHIZAWA and Frédéric Mercier
Investigation of acceptable breakdown voltage variation for parallel-connected SiC MOSFETs during unclamped inductive switching test
- DOI：10.35848/1347-4065/abebc1
- 发表时间：2021-03
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Z. Lou;W. Saito;S. Nishizawa
- 通讯作者：Z. Lou;W. Saito;S. Nishizawa
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
NISHIZAWA Shin-ichi其他文献
NISHIZAWA Shin-ichi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
微小重力環境下での結晶成長過程における不純物効果の理論的解明
微重力环境下晶体生长过程中杂质效应的理论阐明
- 批准号：
20K05347 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
不純物効果による結晶成長速度の自発的振動の数理モデル構築
杂质效应引起的晶体生长速率自发振荡数学模型的构建
- 批准号：
18K04961 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
U.S.-France Cooperative Research: Crystal Growth and Spectroscopy of Impurity Substituted Spin-Peierls Materials
美法合作研究：杂质取代自旋佩尔斯材料的晶体生长和光谱学
- 批准号：
0089575 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Standard Grant
U.S.-France Cooperative Research: Crystal Growth and Spectroscopy of Impurity Substituted Spin-Peierls Materials
美法合作研究：杂质取代自旋佩尔斯材料的晶体生长和光谱学
- 批准号：
0196501 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Standard Grant
高濃度不純物添加CZ-Si結晶成長における成長界面の転位挙動解析の研究
高掺杂直拉硅晶体生长过程中生长界面位错行为分析研究
- 批准号：
01J06535 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
微量不純物による結晶成長速度の低下-速度 モデルの提案とその実験的検討-
由于微量杂质导致晶体生长速率降低 - 速率模型的提议及其实验研究 -
- 批准号：
07650911 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
Crystal Growth and Impurity Segregation in Silicon-GermaniumAlloys
硅锗合金中的晶体生长和杂质偏析
- 批准号：
8915333 - 财政年份：1990
- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Continuing Grant
H_2輸送法におけるII-VI化合物半導体結晶成長における不純物効果と成長機構の研究
H_2输运法生长II-VI族化合物半导体晶体的杂质效应及生长机理研究
- 批准号：
62604556 - 财政年份：1987
- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Large and Single Crystal Growth of Ternary Compound Semiconductors
三元化合物半导体的大单晶生长
- 批准号：
61550226 - 财政年份：1986
- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
層状半導体の結晶成長と不純物制御に関する研究
层状半导体晶体生长及杂质控制研究
- 批准号：
X00040----820418 - 财政年份：1973
- 资助金额：
$ 10.82万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research