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H_2輸送法におけるII-VI化合物半導体結晶成長における不純物効果と成長機構の研究

H_2输运法生长II-VI族化合物半导体晶体的杂质效应及生长机理研究

基本信息

批准号：
62604556
负责人：
今井哲二
金额：
$ 0.77万
依托单位：
Shizuoka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1987
资助国家：
日本
起止时间：
1987 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

H_2輸送法を用いてGaP, GaAs基板上へのZnS及びZnSeヘテロエピタキシャル成長における不純物効果を調べた結果, 以下に述べるいくつかの知見を得た.1.GaP(111)A, B基板上へのZnS成長において, Inを添加した場合には, (111)A基板上では成長速度は増大し, (111)B基板上では減少することを見出した. また, 沃素を添加した場合には, Inの場合とは定性的にまったく逆の現象が見出された. このことは, 正または負のイオンになり易い不純物の気相中への添加により, イオン性の大きなII-VI結晶の(111)面での成長が助長されたり, 抑制されたりしていることを示唆している.2.GaP(100)基板上へのZnS成長においては, 沃素消費量が増加するにつれて成長温度領域は低温側に移動し, 沃素消費量0.044g/hの時には, 約200度成長温度が低下する. また, 成長速度の最大値も増加し, 沃素の添加による平衡蒸気圧の高い沃化亜鉛濃度の増加が成長温度の低温化をもたらす.3.使用基板面方位依存性については, (111)A, B面の場合には, 上記のような顕著な成長領域の低温化は見られず, 極性のもたない(100)面での成長が主として熱力学的平衡により律速されているのに対して, 極性を持つ(111)A, B面での成長では, 表面反応律速が支配的であり, , 不純物の吸着, 取り込み等の大小が成長速度に強く関与していることが示唆された.4.X線回折による格子定数の変化よりGaP上にZnSがコヒーレント成長することが示唆された. さらにInおよび沃素のドーピングにより結晶性および表面モホロジーが大幅に改善された.以上の諸成果をふまえ, 今後, 高濃度沃素ドーピングにより, ZnS, ZnSe成長における成長層格子定数や結晶性への影響を検討すると共に, 沃素ドーピングによるZnSeについて成長温度の低温化の検討およびZnS, ZnSe成長層の電気的特性の評価などを行う.

The GaP is used in the GaAs transport method. The growth rate of the ZnS on the ZnSe substrate is much faster than that on the In substrate. 1.GaP (111A) A, B substrates have a high growth rate, and the growth rate of the substrate is very high. (111) on the B substrate, there is a lot of noise on the B substrate. In addition, Wasu adds a combination of data, and the In is in line with a qualitative analysis of the reverse image. In order to improve the growth of II-VI, the growth of ZnS on the substrate of gap (100) substrate is greatly improved. Vasol consumption temperature increase temperature temperature field temperature shift, Vasol consumption 0.044g/h time, about 200 degrees Celsius temperature temperature. Temperature, growth rate, maximum temperature, temperature and temperature. 3. Using the substrate surface azimuth-dependent mechanical performance, (111) An and B surfaces are closed, the upper layers are responsible for the growth of low-temperature temperatures in the field of growth, and the balance of mechanical properties for the growth of (100) surfaces is fast, fast and fast. , do not absorb the material, take the same size of the growth rate and the size of the growth rate. 4. X-line reversal of the size of the grid to determine the size of the GaP, the growth rate of the growth rate is significant. The results show that there is a significant improvement in the crystal properties of the surface of the In. The above results are very good. After that, the high-temperature Wausu thermal stability, ZnS, ZnSe growth will grow into a long-term lattice, the crystal structure will be stable, the crystal structure will be affected, the temperature will grow, the temperature will grow, the low temperature temperature will change, and the ZnSe will become the characteristic of the long-term electrical equipment, such as ZnS and ZnSe.