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Development of novel amorphous oxide semiconductor with high electron mobility through anion substitution
通过阴离子取代开发具有高电子迁移率的新型非晶氧化物半导体
基本信息
- 批准号：18H02054
- 负责人：
- 金额：$ 10.4万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
W:SnO2薄膜における高移動度の起源
W:SnO2 薄膜高迁移率的起源
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：福本 通孝;廣瀬 靖;中尾 祥一郎;木村 耕治;林 好一;杉澤 悠紀;関場 大一郎;長谷川 哲也
- 通讯作者：長谷川 哲也
Thermoelectric Properties of Amorphous ZnOxNy Thin Films Fabricated at Room Temperature
室温非晶ZnOxNy薄膜的热电性能
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yasushi Hirose;Masato Tsuchii;Kei Shigematsu;Yohei Kakefuda;Takao Mori;and Tetsuya Hasegawa;西海 信之,孫 鶴,城石 英伸,松嶋 雄太,Philipp Stadler,吉田 司;Yasushi Hirose
- 通讯作者：Yasushi Hirose
非晶質酸窒化亜鉛(a-ZnON)薄膜の熱電特性
非晶氮氧化锌（a-ZnON）薄膜的热电性能
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：廣瀬 靖;土井 雅人;重松 圭;掛札 洋平;森 孝雄;長谷川 哲也
- 通讯作者：長谷川 哲也
Development of thin film transistor using an amorphous mixed-anion semiconductor a-ZnOS
使用非晶混合阴离子半导体a-ZnOS的薄膜晶体管的开发
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Zhen Chen;Yasushi Hirose;Tetsuya Hasegawa
- 通讯作者：Tetsuya Hasegawa
窒化物厚膜をターゲットに用いたパルスレーザー堆積法によるZn3N2エピタキシャル薄膜の作製
以氮化物厚膜为靶材脉冲激光沉积制备Zn3N2外延薄膜
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：土井 雅人;朱 雨庭;中尾 祥一郎;廣瀬 靖;杉澤 悠紀;菊田 純一;関場 大一郎;長谷川 哲也
- 通讯作者：長谷川 哲也
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HIROSE Yasushi其他文献
Crystal structure and electronic property modification of layered calcium ruthenium oxyfluoride thin films
层状氟氧化钙钌薄膜的晶体结构及电子性能修饰
- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
CHIKAMATSU Akira;FUKUMA Shota;KATAYAMA Tsukasa;MARUYAMA Takahiro;YANAGISAWA Keiichi;KIMOTO Koji;KITAMURA Miho;HORIBA Koji;KUMIGASHIRA Hiroshi;HIROSE Yasushi;HASEGAWA Tetsuya - 通讯作者：
HASEGAWA Tetsuya
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$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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含有异常高价离子的复杂阴离子化合物的开发和电荷转移的控制
- 批准号：
23K13814 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
複合アニオン水素化物の探索空間拡張とヒドリド導電機能の開拓
扩大复杂阴离子氢化物的搜索空间并开发氢化物导电功能
- 批准号：
22K14755 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
アノード酸化にもとづいた複合アニオン化合物作製技術の創生
基于阳极氧化的复合阴离子复合生产技术的创建
- 批准号：
22K05272 - 财政年份：2022
- 资助金额：
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复合阴离子氧化物热电转换材料 - 通过降低导热系数提高性能并阐明机理 -
- 批准号：
22H01766 - 财政年份：2022
- 资助金额：
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基于价带控制的新型光功能复合阴离子材料的制备
- 批准号：
19J23280 - 财政年份：2019
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$ 10.4万 - 项目类别：
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複合アニオン透光性セラミックスを用いた放射線計測用蛍光体の開発
使用复合阴离子半透明陶瓷开发用于辐射测量的荧光体
- 批准号：
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