Development of novel amorphous oxide semiconductor with high electron mobility through anion substitution
Development of novel amorphous oxide semiconductor with high electron mobility through anion substitution
通过阴离子取代开发具有高电子迁移率的新型非晶氧化物半导体
批准号：
18H02054
负责人：
HIROSE Yasushi
金额：
$10.4万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
W:SnO2薄膜における高移動度の起源
W:SnO2 薄膜高迁移率的起源
W:SnO2 薄膜高迁移率的起源
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[福本 通孝, 廣瀬 靖, 中尾 祥一郎, 木村 耕治, 林 好一, 杉澤 悠紀, 関場 大一郎, 長谷川 哲也]
通讯作者：
長谷川 哲也
Thermoelectric Properties of Amorphous ZnOxNy Thin Films Fabricated at Room Temperature
室温非晶ZnOxNy薄膜的热电性能
室温非晶ZnOxNy薄膜的热电性能
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yasushi Hirose, Masato Tsuchii, Kei Shigematsu, Yohei Kakefuda, Takao Mori, and Tetsuya Hasegawa, 西海 信之,孫 鶴,城石 英伸,松嶋 雄太,Philipp Stadler,吉田 司, Yasushi Hirose]
通讯作者：
Yasushi Hirose
非晶質酸窒化亜鉛(a-ZnON)薄膜の熱電特性
非晶氮氧化锌（a-ZnON）薄膜的热电性能
非晶氮氧化锌（a-ZnON）薄膜的热电性能
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[廣瀬 靖, 土井 雅人, 重松 圭, 掛札 洋平, 森 孝雄, 長谷川 哲也]
通讯作者：
長谷川 哲也
Development of thin film transistor using an amorphous mixed-anion semiconductor a-ZnOS
使用非晶混合阴离子半导体a-ZnOS的薄膜晶体管的开发
使用非晶混合阴离子半导体a-ZnOS的薄膜晶体管的开发
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Zhen Chen, Yasushi Hirose, Tetsuya Hasegawa]
通讯作者：
Tetsuya Hasegawa
窒化物厚膜をターゲットに用いたパルスレーザー堆積法によるZn3N2エピタキシャル薄膜の作製
以氮化物厚膜为靶材脉冲激光沉积制备Zn3N2外延薄膜
以氮化物厚膜为靶材脉冲激光沉积制备Zn3N2外延薄膜
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[土井 雅人, 朱 雨庭, 中尾 祥一郎, 廣瀬 靖, 杉澤 悠紀, 菊田 純一, 関場 大一郎, 長谷川 哲也]
通讯作者：
長谷川 哲也
共 9 条
Synthesis of ferroelectric perovskite oxynitride with perfect trans-anion order and its application for photovoltaic energy conversion
-
批准号：19K22227
-
项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
-
资助金额：$4.16万
-
财政年份：2019
-
负责人：HIROSE Yasushi
-
依托单位：
Investigateion of electronic functions of transition metal oxynitrides
-
批准号：24760005
-
项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
-
资助金额：$2.91万
-
财政年份：2012
-
负责人：HIROSE Yasushi
-
依托单位：
海外基金