一軸性ひずみ下での精密磁場侵入長測定を通じたエキゾチック超伝導状態の研究

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該当年度は精密磁場侵入長測定装置を用いた実験を中心として (1)トポロジカル超伝導体候補物質SrxBi2Se3 および　(2)金属有機構造体[Cu3C6S6]nについての研究を進展させた。以下にそれぞれの詳細を記す。(1)SrxBi2Se3について、前年度は電子線照射による不純物導入に対する応答から超伝導ギャップ対称性の決定を行ったが、該当年度では輸送特性測定から不純物散乱の効果を他の超伝導体と定性的に比較し、論ずることを目的とした研究を行った。その結果、SrxBi2Se3はこれまでの非従来型超伝導体に比べて不純物に対して安定的に振る舞うことが明らかとなった。また不純物散乱強度に対する転移温度Tcの抑制率に試料依存性があることも明らかとなった。これは系を特徴づけるパラメータの違いによって抑制率に差が生じうるとする理論モデルと整合する。(2)金属有機構造体(MOF)で初めての超伝導体[Cu3C6S6]nは、Tc ~0.25 Kという転移温度の低さから研究が進展していない。該当年度は、この物質の基礎物性および超伝導特性の評価を行った。磁場侵入長測定からは非従来型の超伝導ギャップ構造を示唆する温度依存性が得られる。上部臨界磁場Hc2の異方性測定から得られるは異方性比Γは鉄系超伝導体で報告される値に近く、[Cu3C6S6]nが擬二次元的な電子構造を取る可能性を示唆する。これらの事実を踏まえた上で、光学測定から評価したキャリア密度とTcの関係（Uemura plot）に注目すると、[Cu3C6S6]nが他の非従来型超伝導体と同じく強相関超伝導体であることを示唆する。