異種材料集積化に向けた活性化透明極薄膜による大気中室温接合への挑戦
異種材料集積化に向けた活性化透明極薄膜による大気中室温接合への挑戦
批准号:
21K18729
负责人:
多喜川 良
金额:
$3.99万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份:
2021
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2021-07-09 至 2024-03-31
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英文摘要
本研究では、将来の低コストかつ低温プロセスの異種材料集積技術の創出を見据えて、従来のはんだ接合や金属バンプ接合とは異なる活性化透明薄膜を利用した新しい大気下における低温接合技術の可能性探索を目的としている。昨年度に引き続き、大気下における活性化透明薄膜の形成に向けた基礎的な検討及び文献調査等を行った。また、物品等の納期の遅れ等の問題からこれまで検討していた接合実験系の装置機構の作製に時間を要すると判断し、活性化された接合用サンプル(チップサイズ)の平滑な表面同士を直接コンタクト可能とする簡易的な接合装置機構の構築に取り組んだ。これまで得られた活性化薄膜の表面形状(表面粗さ等)・形成条件等に関する知見をベースに、大気下における低温接合及びポストアニールの影響について評価・検討を行った。接合体チップの接合強度評価には、ダイシェア試験を利用した。結果として、現状では十分な接合強度が得られなかった。そこで、高真空下における薄膜同士の低温接合実験も併せて行い、接合強度、薄膜特性(結晶性等)と接合強度の相関性及び接合界面状態の把握を進めた。これらの結果と比較・検討を行うことで、接合界面形成のための多くの新たな知見が得られた。次年度はこれをベースに、大気及び真空下における低温での接合実験を引き続き進める予定である。結果の比較・検討から大気下での接合界面形成のための知見を深め、将来の大気低温接合技術の開発に向けた一助としたい。
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Surface activated bonding of Au thin microbumps using ultra-violet treatment
使用紫外线处理的金薄微凸块的表面活化键合
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Toshiki Maeakawa, Kaname Watanabe, Hirofumi Nogami, Yuichiro Kurokawa, Yusuke Tahara, and Ryo Takigawa,]
通讯作者:
and Ryo Takigawa,
表面活性化室温接合法によるInP-on-Insulatorウエハの作製
采用表面激活室温键合方法制造 InP-on-Insulator 晶圆
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Fitzky Gabriel, Nakajima Makoto, Koike Yohei, Leitenstorfer Alfred, Kurihara Takayuki, Y. Mizugaki, 章 固非, 村上 誠悟, 渡辺 要, 多喜川 良]
通讯作者:
章 固非, 村上 誠悟, 渡辺 要, 多喜川 良
室温接合法により形成されたLiNbO3/Si接合界面の原子スケール解析
室温键合方法形成的LiNbO3/Si键界面的原子尺度分析
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Agulto Verdad C., Iwamoto Toshiyuki, Kitahara Hideaki, Toya Kazuhiro, Mag-usara Valynn Katrine, Imanishi Masayuki, Mori Yusuke, Yoshimura Masashi, Nakajima Makoto, 村上 誠悟, 渡辺 要, 多喜川 良]
通讯作者:
村上 誠悟, 渡辺 要, 多喜川 良
Fabrication of LiTaO3/SiC hybrid wafer using surface activated bonding method
采用表面活化键合方法制造 LiTaO3/SiC 混合晶片
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Seigo Murakami, Ryo Takigawa]
通讯作者:
Ryo Takigawa
リン化インジウム/シリコンカーバイド常温接合界面の評価
磷化铟/碳化硅室温键合界面评价
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Iba Ayato, Domier Calvin W., Ikeda Makoto, Mase Atsushi, Nakajima Makoto, Pham Anh-Vu, Luhmann Neville C., 渡辺 要, 範云翰, 前川 敏輝, 多喜川 良]
通讯作者:
渡辺 要, 範云翰, 前川 敏輝, 多喜川 良
共 8 条
低温ナノ接合界面における光電子機能創成と革新的ヘテロ集積デバイス技術基盤への展開
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批准号:24H00318
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$29.87万
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财政年份:2024
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负责人:多喜川 良
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依托单位:
次世代高精度ハイブリッド接合を見据えた絶縁接合界面創成
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批准号:21KK0255
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项目类别:Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (A))
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资助金额:$9.9万
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财政年份:2022
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负责人:多喜川 良
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依托单位: