次世代高精度ハイブリッド接合を見据えた絶縁接合界面創成

创建绝缘接合界面，着眼于下一代高精度混合接合

• 批准号: 21KK0255
• 负责人: 多喜川 良
• 金额: $ 9.9万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (A))
• 财政年份: 2022
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2022 至 2024
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21KK0255/
• 关键词: 絶縁接合界面; ハイブリッドボンディング; ハイブリッド接合

本研究では、次世代の超高密度3次元積層デバイス具現化のための重要な製造技術の一つとなるハイブリッドボンディング技術を見据えて、絶縁性接合界面の形成を可能とする半導体ウエハ同士の低温接合技術の開発を推進する。初年度となる本年度は、まず国内で本プロジェクトの渡航先研究機関であるベルギーのInteruniversity Microelectronics Centre (IMEC)／Katholieke Universiteit Leuven (KUL)の研究者から半導体接合及びその関連周辺技術に関する知見のご提供と渡航後スムーズな研究推進ができるように利用設備群等の整備に関する打ち合わせをWEB会議及びメールにより行った。具体的には、半導体ウエハ上への薄膜成膜プロセスや低温接合を可能とする活性化プロセスについての知見をご提供いただくとともに、平滑なハイブリッド面を形成するための化学機械研磨(CMP)法についても諸条件の議論を行った。また、ウエハ接合体の接合強度の評価手法として有力な手法の一つとなるブレード試験法に関して、試験雰囲気（ブレード挿入時の雰囲気）制御の重要性について議論を行った。加えて、ハイブリッドボンディング及び関連周辺技術の最新動向や文献調査による先行研究の整理等の予備的な検討も行った。これらを通じ、プロジェクトスタートの見込みがあらかた立ったため、次年度のベルギーへの渡航計画を進めた。

This study is aimed to explore the possibility of forming an insulating bonding interface and to advance the development of low-temperature bonding technology for semiconductor applications. In the first year and this year, researchers at the Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC)/Katholieke Universiteit Leuven (KUL), a domestic aviation research institute, will provide insights on semiconductor bonding and related peripheral technologies and advance post-aviation research, and will conduct WEB meetings and meetings related to the preparation of equipment groups. The specific conditions for the formation of thin films on semiconductor substrates and the possibility of low-temperature bonding are discussed. Methods for evaluating the joint strength of the joint are discussed in detail in relation to the importance of the test method for controlling the joint strength. The latest trends in literature survey, advance research and preparation of related technologies are also discussed. The next year's plan is to make progress.