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Development of spin injection technology through energy-band symmetry matching in semiconductor-based spin devices

通过半导体自旋器件中的能带对称匹配开发自旋注入技术

基本信息

批准号：
21K18719
负责人：
Yamada Michihiro
金额：
$ 4.16万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
起止时间：
2021-07-09 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Significant effect of interfacial spin moments in ferromagnet-semiconductor heterojunctions on spin transport in a semiconductor

DOI：
10.1103/physrevb.105.195308
发表时间：
2022-05
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
T. Naito;R. Nishimura;M. Yamada;A. Masago;Y. Shiratsuchi;Y. Wagatsuma;K. Sawano;R. Nakatani;T. Oguchi;K. Hamaya
通讯作者：
T. Naito;R. Nishimura;M. Yamada;A. Masago;Y. Shiratsuchi;Y. Wagatsuma;K. Sawano;R. Nakatani;T. Oguchi;K. Hamaya

Room temperature spin signals improved by low-temperature annealing in Co2MnSi/Fe/Ge lateral spin-valve devices

Co2MnSi/Fe/Ge 横向自旋阀器件中的低温退火改善了室温自旋信号

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yamada Michihiro;Sumi Kazuaki;Naito Takahiro;Sawano Kentarou;Hamaya Kohei
通讯作者：
Hamaya Kohei

Influence of non-magnetic layers at Co2FeAl0.5Si0.5/Ge interface on spin injection/detection efficiency

Co2FeAl0.5Si0.5/Ge界面非磁性层对自旋注入/检测效率的影响

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Rintaro Nishimura;Takahiro Naito;Michihiro Yamada;Akira Masago;Yu Shiratsuchi;Ryoichi Nakatani;Kentarou Sawano;Tamio Oguchi;Kohei Hamaya
通讯作者：
Kohei Hamaya

Two-terminal magnetoresistance ratio in Co-based Heusler alloy/germanium lateral spin-valve devices

钴基霍斯勒合金/锗横向自旋阀器件两端磁阻比

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Yamada;K. Sumi;T. Naito;K. Sawano;and K. Hamaya
通讯作者：
and K. Hamaya

Temperature dependence of two-terminal local magnetoresistance in Co-based Heusler alloy/Ge lateral spin-valve devices

钴基霍斯勒合金/Ge横向自旋阀器件两端局域磁阻的温度依赖性

DOI：
10.1109/tmag.2022.3145393
发表时间：
2022
期刊：
IEEE Transactions on Magnetics
影响因子：
2.1
作者：
Yamada Michihiro;Naito Takahiro;Sumi Kazuaki;Sawano Kentarou;Hamaya Kohei
通讯作者：
Hamaya Kohei

DOI：
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作者：
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Yamada Michihiro其他文献

Local Magnetoresistance at Room Temperature in Si<100> Devices

Si<100> 器件中室温下的局部磁阻

DOI：
10.1109/tmag.2018.2849753
发表时间：
2018
期刊：
IEEE Transactions on Magnetics
影响因子：
2.1
作者：
Ishikawa Mizue;Tsukahara Makoto;Yamada Michihiro;Saito Yoshiaki;Hamaya Kohei
通讯作者：
Hamaya Kohei

A drastic increase in critical thickness for strained SiGe by growth on mesa-patterned Ge-on-Si

通过在台面图案的硅基硅上生长，应变硅锗的临界厚度急剧增加

DOI：
10.35848/1882-0786/abd4c5
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Okada Kazuya;Yamada Michihiro;Hamaya Kohei;Sawano Kentarou
通讯作者：
Sawano Kentarou

線虫C.elegansの成虫と子孫との相互作用におけるネマトシンの制御機構の解析 Analysis of a nematocin-dependent soial interaction between adult and larvae C. elegans

线虫成虫和幼虫之间依赖线虫素的社会相互作用分析

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yamada Michihiro;Kuroda Fumiaki;Tsukahara Makoto;Yamada Shinya;Fukushima Tetsuya;Sawano Kentarou;Oguchi Tamio;Hamaya Kohei;桜井　瞭
通讯作者：
桜井　瞭

固相反応により作製したハロゲン化鉛系ペロブスカイトの光学特性

固相反应制备卤化铅钙钛矿的光学性能

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yamada Michihiro;Kuroda Fumiaki;Tsukahara Makoto;Yamada Shinya;Fukushima Tetsuya;Sawano Kentarou;Oguchi Tamio;Hamaya Kohei;江良正直
通讯作者：
江良正直

(Invited) Strain Engineering of Si/Ge Heterostructures on Ge-on-Si Platform

（特邀）Ge-on-Si平台上Si/Ge异质结构的应变工程

DOI：
10.1149/09805.0267ecst
发表时间：
2020
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Sawano Kentarou;Youya Wagatsuma;Alam Md. M;Omata Kaisei;Niikura Kenta;Shibata Shougo;Hoshi Yusuke;Yamada Michihiro;Hamaya Kohei
通讯作者：
Hamaya Kohei