Development of a positron annihilation apparatus with sub-mm space resolution for the detection of nm-size open volume
开发具有亚毫米空间分辨率的正电子湮没装置,用于检测纳米尺寸开放体积
基本信息
- 批准号:21K18812
- 负责人:
- 金额:$ 4.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份:2021
- 资助国家:日本
- 起止时间:2021-07-09 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Double-Decker Silsesquioxane-Grafted Polysilsesquioxane Hybrid Films as Thermal Insulation Materials
- DOI:10.1021/acsapm.2c01743
- 发表时间:2022-12
- 期刊:
- 影响因子:5
- 作者:T. Hamada;Sakino Takase;Arata Tanaka;K. Okada;Susumu Mineoi;A. Uedono;J. Ohshita
- 通讯作者:T. Hamada;Sakino Takase;Arata Tanaka;K. Okada;Susumu Mineoi;A. Uedono;J. Ohshita
Effect of conversion on epoxy resin properties: Combined molecular dynamics simulation and experimental study
转化率对环氧树脂性能的影响:结合分子动力学模拟和实验研究
- DOI:10.1016/j.polymer.2022.125041
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:4.6
- 作者:Shoji Naoyuki;Sasaki Kohei;Uedono Akira;Taniguchi Yuichi;Hayashi Keiichi;Matsubara Norie;Kobayashi Tetsuya;Yamashita Takefumi
- 通讯作者:Yamashita Takefumi
Stracture - Thermal Property Relationships of Polysilsesquioxanes for Thermal Insulation Materials
隔热材料用聚倍半硅氧烷的结构-热性能关系
- DOI:10.1021/acsapm.1c01812
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:5
- 作者:Hamada Takashi;Goto Taku;Takase Sakino;Okada Kenta;Uedono Akira;Ohshita Joji
- 通讯作者:Ohshita Joji
Thermal Insulating Property of Silsesquioxane Hybrid Film Induced by Intramolecular Void Spaces
- DOI:10.1021/acsapm.1c00344
- 发表时间:2021-06
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Hamada;Yuki Nakanishi;K. Okada;Satoru Tsukada;A. Uedono;J. Ohshita
- 通讯作者:T. Hamada;Yuki Nakanishi;K. Okada;Satoru Tsukada;A. Uedono;J. Ohshita
Vacancy-type defects in bulk GaN grown by oxide vapor phase epitaxy probed using positron annihilation
使用正电子湮没探测氧化物气相外延生长的块体 GaN 中的空位型缺陷
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2021.126219
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:Akira Uedono;Junichi Takino;Tomoaki Sumi;Yoshio Okayama;Masayuki Imanishi;Shoji Ishibashi;Yusuke Mori
- 通讯作者:Yusuke Mori
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Uedono Akira其他文献
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通过拉曼光谱确定 BaSi2 薄膜中高光响应性的 Ba 与 Si 沉积速率比的简单方法
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- 影响因子:2.3
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- 影响因子:0
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单晶光催化氧化物:载流子复合和太阳能-氢转化
- DOI:
- 发表时间:
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10.35848/1347-4065/ac47aa - 发表时间:
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Si 衬底中等离子体暴露引入的缺陷分布特征
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