Development of a positron annihilation apparatus with sub-mm space resolution for the detection of nm-size open volume

开发具有亚毫米空间分辨率的正电子湮没装置,用于检测纳米尺寸开放体积

基本信息

  • 批准号:
    21K18812
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2021-07-09 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Double-Decker Silsesquioxane-Grafted Polysilsesquioxane Hybrid Films as Thermal Insulation Materials
  • DOI:
    10.1021/acsapm.2c01743
  • 发表时间:
    2022-12
  • 期刊:
  • 影响因子:
    5
  • 作者:
    T. Hamada;Sakino Takase;Arata Tanaka;K. Okada;Susumu Mineoi;A. Uedono;J. Ohshita
  • 通讯作者:
    T. Hamada;Sakino Takase;Arata Tanaka;K. Okada;Susumu Mineoi;A. Uedono;J. Ohshita
Effect of conversion on epoxy resin properties: Combined molecular dynamics simulation and experimental study
转化率对环氧树脂性能的影响:结合分子动力学模拟和实验研究
  • DOI:
    10.1016/j.polymer.2022.125041
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Shoji Naoyuki;Sasaki Kohei;Uedono Akira;Taniguchi Yuichi;Hayashi Keiichi;Matsubara Norie;Kobayashi Tetsuya;Yamashita Takefumi
  • 通讯作者:
    Yamashita Takefumi
Stracture - Thermal Property Relationships of Polysilsesquioxanes for Thermal Insulation Materials
隔热材料用聚倍半硅氧烷的结构-热性能关系
  • DOI:
    10.1021/acsapm.1c01812
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    5
  • 作者:
    Hamada Takashi;Goto Taku;Takase Sakino;Okada Kenta;Uedono Akira;Ohshita Joji
  • 通讯作者:
    Ohshita Joji
Thermal Insulating Property of Silsesquioxane Hybrid Film Induced by Intramolecular Void Spaces
  • DOI:
    10.1021/acsapm.1c00344
  • 发表时间:
    2021-06
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Hamada;Yuki Nakanishi;K. Okada;Satoru Tsukada;A. Uedono;J. Ohshita
  • 通讯作者:
    T. Hamada;Yuki Nakanishi;K. Okada;Satoru Tsukada;A. Uedono;J. Ohshita
Vacancy-type defects in bulk GaN grown by oxide vapor phase epitaxy probed using positron annihilation
使用正电子湮没探测氧化物气相外延生长的块体 GaN 中的空位型缺陷
  • DOI:
    10.1016/j.jcrysgro.2021.126219
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.8
  • 作者:
    Akira Uedono;Junichi Takino;Tomoaki Sumi;Yoshio Okayama;Masayuki Imanishi;Shoji Ishibashi;Yusuke Mori
  • 通讯作者:
    Yusuke Mori
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Uedono Akira其他文献

Simple way of finding Ba to Si deposition rate ratios for high photoresponsivity in BaSi2 films by Raman spectroscopy
通过拉曼光谱确定 BaSi2 薄膜中高光响应性的 Ba 与 Si 沉积速率比的简单方法
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  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Yamashita Yudai;Takahara Yuuki;Sato Takuma;Toko Kaoru;Uedono Akira;Suemasu Takashi
  • 通讯作者:
    Suemasu Takashi
ケルビンプローブフォース顕微鏡によるオペランド電位計測技術
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Uedono Akira;Tanaka Ryo;Takashima Shinya;Ueno Katsunori;Edo Masaharu;Shima Kohei;Kojima Kazunobu;Chichibu Shigefusa F.;Ishibashi Shoji;Tomi Ohtsuki;石田 暢之
  • 通讯作者:
    石田 暢之
Single Crystal Photocatalytic Oxides: Carrier Recombination and Solar-to-hydrogen Conversion
单晶光催化氧化物:载流子复合和太阳能-氢转化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Okumura Hironori;Jinno Riena;Uedono Akira;Imura Masataka;Masashi Kato
  • 通讯作者:
    Masashi Kato
Impurity diffusion in ion implanted AlN layers on sapphire substrates by thermal annealing
通过热退火在蓝宝石衬底上离子注入 AlN 层中进行杂质扩散
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ac47aa
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Okumura Hironori;Watanabe Yasuhiro;Shibata Tomohiko;Yoshizawa Kohei;Uedono Akira;Tokunaga Hiroki;Koseki Shuuichi;Arimura Tadanobu;Suihkonen Sami;Palacios Tom?s
  • 通讯作者:
    Palacios Tom?s
Characterization of the distribution of defects introduced by plasma exposure in Si substrate
Si 衬底中等离子体暴露引入的缺陷分布特征
  • DOI:
    10.1116/1.5048027
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.9
  • 作者:
    Sato Yoshihiro;Shibata Satoshi;Uedono Akira;Urabe Keiichiro;Eriguchi Koji
  • 通讯作者:
    Eriguchi Koji

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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    2007
  • 资助金额:
    $ 4.08万
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    $ 4.08万
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  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
陽電子消滅励起分子イオン化質量分析法
正电子湮灭激发分子电离质谱法
  • 批准号:
    16655027
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
陽電子消滅法の高分子材料への応用
正电子湮没法在高分子材料中的应用
  • 批准号:
    02F02764
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

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