Development of a positron annihilation apparatus with sub-mm space resolution for the detection of nm-size open volume

开发具有亚毫米空间分辨率的正电子湮没装置，用于检测纳米尺寸开放体积

基本信息

  • 批准号：
    21K18812
  • 负责人：
    Uedono Akira
  • 金额：
    $ 4.08万
  • 依托单位：
    University of Tsukuba
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份：
    2021
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2021-07-09 至 2023-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
Double-Decker Silsesquioxane-Grafted Polysilsesquioxane Hybrid Films as Thermal Insulation Materials
  • DOI：
    10.1021/acsapm.2c01743
  • 发表时间：
    2022-12
  • 期刊：
    ACS Applied Polymer Materials
  • 影响因子：
    5
  • 作者：
    T. Hamada;Sakino Takase;Arata Tanaka;K. Okada;Susumu Mineoi;A. Uedono;J. Ohshita
  • 通讯作者：
    T. Hamada;Sakino Takase;Arata Tanaka;K. Okada;Susumu Mineoi;A. Uedono;J. Ohshita
Effect of conversion on epoxy resin properties: Combined molecular dynamics simulation and experimental study
转化率对环氧树脂性能的影响：结合分子动力学模拟和实验研究
  • DOI：
    10.1016/j.polymer.2022.125041
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Polymer
  • 影响因子：
    4.6
  • 作者：
    Shoji Naoyuki;Sasaki Kohei;Uedono Akira;Taniguchi Yuichi;Hayashi Keiichi;Matsubara Norie;Kobayashi Tetsuya;Yamashita Takefumi
  • 通讯作者：
    Yamashita Takefumi
Stracture - Thermal Property Relationships of Polysilsesquioxanes for Thermal Insulation Materials
隔热材料用聚倍半硅氧烷的结构-热性能关系
  • DOI：
    10.1021/acsapm.1c01812
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    ACS Applied Polymer Materials
  • 影响因子：
    5
  • 作者：
    Hamada Takashi;Goto Taku;Takase Sakino;Okada Kenta;Uedono Akira;Ohshita Joji
  • 通讯作者：
    Ohshita Joji
Thermal Insulating Property of Silsesquioxane Hybrid Film Induced by Intramolecular Void Spaces
  • DOI：
    10.1021/acsapm.1c00344
  • 发表时间：
    2021-06
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Hamada;Yuki Nakanishi;K. Okada;Satoru Tsukada;A. Uedono;J. Ohshita
  • 通讯作者：
    T. Hamada;Yuki Nakanishi;K. Okada;Satoru Tsukada;A. Uedono;J. Ohshita
Vacancy-type defects in bulk GaN grown by oxide vapor phase epitaxy probed using positron annihilation
使用正电子湮没探测氧化物气相外延生长的块体 GaN 中的空位型缺陷
  • DOI：
    10.1016/j.jcrysgro.2021.126219
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Journal of Crystal Growth
  • 影响因子：
    1.8
  • 作者：
    Akira Uedono;Junichi Takino;Tomoaki Sumi;Yoshio Okayama;Masayuki Imanishi;Shoji Ishibashi;Yusuke Mori
  • 通讯作者：
    Yusuke Mori
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  • 作者：
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Uedono Akira其他文献

Simple way of finding Ba to Si deposition rate ratios for high photoresponsivity in BaSi2 films by Raman spectroscopy
通过拉曼光谱确定 BaSi2 薄膜中高光响应性的 Ba 与 Si 沉积速率比的简单方法
  • DOI：
    10.7567/1882-0786/ab14b9
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Applied Physics Express
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Yamashita Yudai;Takahara Yuuki;Sato Takuma;Toko Kaoru;Uedono Akira;Suemasu Takashi
  • 通讯作者：
    Suemasu Takashi
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Uedono Akira;Tanaka Ryo;Takashima Shinya;Ueno Katsunori;Edo Masaharu;Shima Kohei;Kojima Kazunobu;Chichibu Shigefusa F.;Ishibashi Shoji;Tomi Ohtsuki;石田 暢之
  • 通讯作者：
    石田 暢之
Single Crystal Photocatalytic Oxides: Carrier Recombination and Solar-to-hydrogen Conversion
单晶光催化氧化物：载流子复合和太阳能-氢转化
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Okumura Hironori;Jinno Riena;Uedono Akira;Imura Masataka;Masashi Kato
  • 通讯作者：
    Masashi Kato
Impurity diffusion in ion implanted AlN layers on sapphire substrates by thermal annealing
通过热退火在蓝宝石衬底上离子注入 AlN 层中进行杂质扩散
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/ac47aa
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Okumura Hironori;Watanabe Yasuhiro;Shibata Tomohiko;Yoshizawa Kohei;Uedono Akira;Tokunaga Hiroki;Koseki Shuuichi;Arimura Tadanobu;Suihkonen Sami;Palacios Tom?s
  • 通讯作者：
    Palacios Tom?s
Characterization of the distribution of defects introduced by plasma exposure in Si substrate
Si 衬底中等离子体暴露引入的缺陷分布特征
  • DOI：
    10.1116/1.5048027
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Journal of Vacuum Science & Technology A
  • 影响因子：
    2.9
  • 作者：
    Sato Yoshihiro;Shibata Satoshi;Uedono Akira;Urabe Keiichiro;Eriguchi Koji
  • 通讯作者：
    Eriguchi Koji

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    $ 4.08万
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  • 批准号：
    19H02742
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 4.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号：
    19K04997
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 4.08万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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