Electronic phase tuning in organic two-dimensional hole-gas system and organic quantum electronics

有机二维空穴气体系统中的电子相位调谐和有机量子电子学

基本信息

  • 批准号:
    22H04959
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 122.22万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
  • 财政年份:
    2022
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2022-04-27 至 2027-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

シリコンに代表される無機半導体は、原子が強い共有結合で結びついて電子の伝導経路を構成しているが、有機半導体は、中の分子を結びつけているのは結合力が1桁小さいファンデルワールス力で、電子の伝導は隣り合った分子の外側に広がった軌道のわずかな重なりに依存している。有機半導体が無機半導体と比べ10倍柔らかいことで応力に対する特異な電子物性の変化を引き起こす現象について、電気伝導変化の源となる分子配置の変化が応力と一対一対応する単結晶有機半導体を用い、巨大な圧力応答や歪効果が生ずることを見出した。有機半導体の「柔らかい」格子構造は電子系とも強く結合しており、電子格子相互作用によってわずか3%の格子変形に対して70%もの移動度の上昇を引き起こす巨大歪効果があり、結晶格子の二次元構造を大幅に変調できるチューナビリティを最大限に活かして、二次元歪を入力に電子状態を制御することを可能にした。アルキルジナフトベンゾジチオフェン(Cn-DNBDT)などアルキル鎖を有するパイ共役分子において、極めて優れた周期性を有する結晶薄膜を容易に二次元大面積に成長させる技術を実現し、「ソフトでクリーンな電子系」において分子間に広がったコヒーレントな非局在電子状態を形成することを明らかにした。二次元単結晶のトランジスタの移動度は10 cm2/Vsを超え、さらにイオンゲルの電気二重層を用いて極低温で金属絶縁体転移することも見出した。Cn-DNBDTは “量子井戸分子”の特徴を有するため、ユニット間の結合ポイントが原子スケールで平坦な界面を構成する二次元結晶化により、量子井戸にクリーンな電子系を閉じ込めた二次元系を実現し金属化に成功した。特に、量子井戸分子結晶に分子あたり1/4個を超えるキャリアをドープすることに成功し、強い電子相関効果を見出した上、歪みを加えた場合に大幅なキャリア移動度の増大を実現した。
The electronic device represents the airless half-machine, the atomic force is combined, the electronic guidance path is combined, the organic half-body, the medium-sized molecule, and the molecular device are combined. 1. The small device is used to operate the machine. The mobile semi-mobile phone is 10 times more flexible than the mobile phone. The physical properties of the electronics are changed, and the molecular configuration of the source is changed. The power of the machine is more than 10%. The mechanical semi-mechanical "flexible device" lattice makes the combination of mechanical and electrical devices, and the interaction between computers and lattices. the movement of 70% of the lattices leads to significant errors, the results of the lattice structure are very large, and the two-dimensional structure of the structure lattice leads to the maximum limit of the operating cycle. The two-dimensional power system is in the state of control that may cause problems. In order to improve the quality of the two-dimensional growth of the thin film, it is necessary to improve the performance of the two-dimensional growth process of the thin film, which is very important for the growth of the two-dimensional growth of the thin film, it is very important for the growth of the two-dimensional structure of the thin film, which is very important for the growth of two-dimensional growth technology. In the case of the electrical engineering system, there is a high level of environmental pollution in the computer system, which is not in the electronic state. The two-dimensional mechanical properties show that the mobility is 10 cm2/Vs high, the thermal stability and thermal stability are very low temperature, the double cycle of the electronic double cycle is operated by the extremely low temperature metal alloy, and the mechanical properties of the double cycle are obtained by means of metal transfer test. The Cn-DNBDT "quantum well molecule" is characterized by the combination of the electron beam and the electron atom, the flat interface of the electron atom, the crystallization of the two-dimensional structure, and the successful metallization of the two-dimensional system of the electron system. Special and quantum well molecular analysis molecular analysis 1There are four supercritical temperature monitoring devices, which have been successfully tested, and the results of the electronic phase analysis have been improved, and a large number of errors have been detected.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Multi-Band Charge Transport in Bent-Shaped p-Type Organic Semiconductors
弯曲 p 型有机半导体中的多能带电荷传输
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yu Craig P.;Kumagai Shohei;Kushida Tomokatsu;Mitani Masato;Mitsui Chikahiko;Ishii Hiroyuki;Takeya Jun;Okamoto Toshihiro
  • 通讯作者:
    Okamoto Toshihiro
分子間にひろがった巨大電子系の創製
创建在分子之间传播的巨型电子系统
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岡本 敏宏;黒澤 忠法;山下 侑;熊谷 翔平;渡邉 峻一郎;竹谷 純一;岡本敏宏(受賞講演);岡本敏宏
  • 通讯作者:
    岡本敏宏
化学ドーピングされた有機半導体単結晶を用いた高精度な歪みセンサの開発
利用化学掺杂有机半导体单晶开发高精度应变传感器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山下 侑; 宇佐美 由久; 野沢 汎; 田嶋 陽子; 渡邉 峻一郎; 竹谷 純一
  • 通讯作者:
    竹谷 純一
アルコキシ側鎖を有する高性能かつ大気安定な&pi共役導電性ポリマー
具有烷氧基侧链的高性能大气稳定&pi共轭导电聚合物
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    ユー クレイグ;黒澤 忠法;山下 侑;熊谷 翔平;渡邉 峻一郎;竹谷 純一;岡本 敏宏
  • 通讯作者:
    岡本 敏宏
Single-Molecule Observation of Redox Reactions Enabled by Rigid and Isolated Tripodal Molecules
  • DOI:
    10.1021/acs.jpcc.2c07362
  • 发表时间:
    2022-12-15
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    Kobayashi,Yuzu;Yokota,Yasuyuki;Kim,Yousoo
  • 通讯作者:
    Kim,Yousoo
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竹谷 純一其他文献

機械学習による有機半導体の構造研究IV
利用机器学习进行有机半导体的结构研究 IV
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    新津 直幸;沢辺 千鶴;三谷 真人;石井 宏幸;小林 伸彦;後藤 仁志;広瀬 賢二;小畑 繁昭;中山 尚史;渡邉 峻一郎;岡本 敏宏;竹谷 純一
  • 通讯作者:
    竹谷 純一
転写法により作製した高性能極薄有機単結晶トランジスタ
转移法制备高性能超薄有机单晶晶体管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    牧田 龍幸;熊谷 翔平;佐々木 真理;岡本 敏宏;渡邉 峻一郎;竹谷 純一
  • 通讯作者:
    竹谷 純一
大面積塗布型デバイスへの応用を指向した高移動度N字型有機半導体の誘導化と構造物性相関
用于大面积涂层器件的高迁移率N型有机半导体的衍生化和结构-性能关联
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    三谷 真人;三津井 親彦;山村 祥史;山岸 正和;佐藤 寛泰;山野 昭人;橋爪 大輔;石井 宏幸;竹谷 純一;岡本 敏宏
  • 通讯作者:
    岡本 敏宏
結晶性導電性高分子における立体障害の影響と伝導特性
结晶导电聚合物的空间位阻和导电性能的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    河野 真弥;山下 侑;糟谷 直孝;三木江 翼;尾坂 格;瀧宮 和男;竹谷 純一;渡邉 峻一郎
  • 通讯作者:
    渡邉 峻一郎
高速有機トランジスタを用いたダイオードの高速整流特性
使用高速有机晶体管的二极管的高速整流特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    宇野 真由美;金岡祐介;竹谷 純一
  • 通讯作者:
    竹谷 純一

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  • DOI:
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  • 发表时间:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
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Electronic phase control of two-dimensional hole gas in organic semiconductors
有机半导体中二维空穴气体的电子相位控制
  • 批准号:
    22H00291
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 122.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
単結晶有機半導体中電子伝導の巨大応力歪効果とデバイス応用
单晶有机半导体介质电子传导中的巨应力应变效应及器件应用
  • 批准号:
    17H01053
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 122.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
印刷できるLSI用有機単結晶半導体トランジスタの物理モデル開発
LSI用可印刷有机单晶半导体晶体管物理模型的开发
  • 批准号:
    14F04777
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 122.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
有機半導体単結晶電界効果トランジスタの低温キャリア伝導度測定
有机半导体单晶场效应晶体管的低温载流子电导率测量
  • 批准号:
    18028029
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 122.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
層状遷移金属化合物を母体としたソフト化学生成物質における電子輸送特性の精密測定
基于层状过渡金属化合物的软化工产品电子传输性能的精确测量
  • 批准号:
    16740214
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 122.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

相似海外基金

輻射場と物質の量子論的制御による極限量子エレクトロニクス
使用辐射场和物质的量子理论控制的极端量子电子学
  • 批准号:
    05352018
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 122.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
超伝導量子エレクトロニクスの総合的研究
超导量子电子学综合研究
  • 批准号:
    57123002
  • 财政年份:
    1982
  • 资助金额:
    $ 122.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
超伝導量子エレクトロニクスの総合的研究
超导量子电子学综合研究
  • 批准号:
    56103004
  • 财政年份:
    1981
  • 资助金额:
    $ 122.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
超広帯域, 高感度SQUIDの開発と固体物性用超伝導量子エレクトロニクスの研究
超宽带、高灵敏度SQUID开发及固态超导量子电子学研究
  • 批准号:
    56203004
  • 财政年份:
    1981
  • 资助金额:
    $ 122.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
超広帯域, 高感度SQUIDの開発と固体物性用超伝導量子エレクトロニクスの研究
超宽带、高灵敏度SQUID开发及固态超导量子电子学研究
  • 批准号:
    X00040----520705
  • 财政年份:
    1980
  • 资助金额:
    $ 122.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
超伝導量子エレクトロニクスの総合的研究
超导量子电子学综合研究
  • 批准号:
    X00040----510705
  • 财政年份:
    1980
  • 资助金额:
    $ 122.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
超広帯域高感度SQUIDの開発と固体物性用超伝導量子エレクトロニクスの研究
超宽带高灵敏度SQUID研制及固态超导量子电子学研究
  • 批准号:
    X00040----421605
  • 财政年份:
    1979
  • 资助金额:
    $ 122.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
量子エレクトロニクスの応用と基礎
量子电子学的应用和基础
  • 批准号:
    X43060------0208
  • 财政年份:
    1968
  • 资助金额:
    $ 122.22万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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知道了