層状遷移金属化合物を母体としたソフト化学生成物質における電子輸送特性の精密測定

基于层状过渡金属化合物的软化工产品电子传输性能的精确测量

基本信息

项目摘要

層状遷移金属化合物を母体として常温常圧に近いソフトな条件においてイオンや分子を付加あるいは挿入する手法は、自由度の高い物質設計の手法であるが、mm級の均質な単結晶を得にくいために、精密な輸送特性が困難である。そこで、本研究では微小な結晶でも精密な電子輸送特性が測定できるよう、絶縁性基板上に微小電極を形成した"電子伝導測定チップ"を作製し、その上に結晶を貼り合わせることにより伝導度を測定する手法を開発してきた。研究を進めるに従って、本手法が層状遷移金属化合物のみならず、微小な有機半導体単結晶などにも適用できる汎用性を有することが明らかになってきた。即ち、弱いvan der Waals力による層間方向の結合が層の面内に比べて極端に弱い結晶においては、非常に平坦な表面が自然に得られやすいため、静電的に基板に貼り合わせる際に金などの電極との良好な電気的接合が可能になる。加えて、結晶とは反対側の基板に金属面を構成することによって、電界効果トランジスタ構造を構成し、層状結晶の伝導度をゲート電界によって変調できることも示された。終了年度である今年度は以下の2項目の実験研究を行い、次項目の成果発表を行った。1)厚さ1μmの薄片状結晶を用い、上下の両面に電界効果トランジスタ構造を構成した。このダブルゲート構造を作製し、薄片状結晶の表面ではなく、中心部にも電荷導入することが可能であることを示した。電界効果は一般には表面ドープの手法であると考えられていたが、この構造を用いれば、バルク中にキャリアをドープすることも可能であることが示された。2)電子伝導だけでなく、微小単結晶測定用の"熱伝導測定チップ"の開発も行った。チップを構成する材料は、電気伝導測定の場合には絶縁体によって絶縁すれば十分であるが、熱伝導測定チップにおいては、熱的にも絶縁する必要がある。本研究では、1μmの酸化シリコンメンブレーン上に微小な温度センサーとヒーターをMEMS技術によって構成することによって、これを可能にした。
Layer migration of metal compounds in the matrix at room temperature and pressure near the appropriate conditions, molecular addition, integration, degree of freedom and high material design methods, mm level homogeneous single crystal, precision transport characteristics are difficult to obtain. In this study, we developed a method for measuring the electron conductivity of tiny crystals by forming tiny electrodes on insulating substrates. In order to improve the properties of the layered transition metal compounds, the present method has been used for the preparation of organic semiconductor crystals. That is, the bonding between layers in the direction of weak van der Waals forces is more likely to occur in the in-plane than in the extreme case of weak crystals, very flat surfaces, natural bonding, electrostatic bonding, and good electrical bonding between electrodes. The metal surface of the substrate on the opposite side of the crystal is composed of a layer of crystal and a layer of conductive material. At the end of the year, the following 2 projects were carried out in the middle of the year, and the results of the sub-projects were carried out. 1)1μm thick flaky crystal structure composed of upper and lower surfaces The structure of the crystal is made up of a thin layer of crystal, and the charge is introduced into the surface of the crystal. The electric field results from the general surface of the earth, the structure of the earth, and the structure of the earth. 2)Development of "thermal conductivity measurement" for electron conductivity measurement and microcrystal measurement The material composition, electrical conductivity measurement, thermal conductivity measurement are necessary. In this study, 1μm of the acid solution is used to form a micro-temperature sensor.

项目成果

期刊论文数量(13)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Hall effect in organic single-crystal field-effect transistors
有机单晶场效应晶体管中的霍尔效应
Effects of polarized organosilane self-assembled monolayers on organic single-crystal transistors
极化有机硅烷自组装单分子层对有机单晶晶体管的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S.Goto;Y.Y.Yamaguchi;J.Takeya et al.;K.Yamada et al.;T.Takenobu et al.;H.Shimotani et al.;J.Takeya et al.;K.Yamada et al.;Y.Iwasa et al.;T.Takahashi et al.;J.Takeya et al.;J.Takeya et al.
  • 通讯作者:
    J.Takeya et al.
Electrolyte-gated charge accumulation in organic single crystals
  • DOI:
    10.1063/1.2387884
  • 发表时间:
    2006-11
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    H. Shimotani;H. Asanuma;J. Takeya;Y. Iwasa
  • 通讯作者:
    H. Shimotani;H. Asanuma;J. Takeya;Y. Iwasa
Organic single crystal transistors : Interface modification with SAMs and double gate structure
有机单晶晶体管:用SAM和双栅结构进行界面修饰
Hall Effect of Quasi-Hole Gas in Organic Single-Crystal Transistors
  • DOI:
    10.1143/jjap.44.l1393
  • 发表时间:
    2005-11
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    J. Takeya;K. Tsukagoshi;Y. Aoyagi;T. Takenobu;Y. Iwasa
  • 通讯作者:
    J. Takeya;K. Tsukagoshi;Y. Aoyagi;T. Takenobu;Y. Iwasa
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

竹谷 純一其他文献

結晶性導電性高分子における立体障害の影響と伝導特性
结晶导电聚合物的空间位阻和导电性能的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    河野 真弥;山下 侑;糟谷 直孝;三木江 翼;尾坂 格;瀧宮 和男;竹谷 純一;渡邉 峻一郎
  • 通讯作者:
    渡邉 峻一郎
機械学習による有機半導体の構造研究IV
利用机器学习进行有机半导体的结构研究 IV
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    新津 直幸;沢辺 千鶴;三谷 真人;石井 宏幸;小林 伸彦;後藤 仁志;広瀬 賢二;小畑 繁昭;中山 尚史;渡邉 峻一郎;岡本 敏宏;竹谷 純一
  • 通讯作者:
    竹谷 純一
転写法により作製した高性能極薄有機単結晶トランジスタ
转移法制备高性能超薄有机单晶晶体管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    牧田 龍幸;熊谷 翔平;佐々木 真理;岡本 敏宏;渡邉 峻一郎;竹谷 純一
  • 通讯作者:
    竹谷 純一
大面積塗布型デバイスへの応用を指向した高移動度N字型有機半導体の誘導化と構造物性相関
用于大面积涂层器件的高迁移率N型有机半导体的衍生化和结构-性能关联
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    三谷 真人;三津井 親彦;山村 祥史;山岸 正和;佐藤 寛泰;山野 昭人;橋爪 大輔;石井 宏幸;竹谷 純一;岡本 敏宏
  • 通讯作者:
    岡本 敏宏
二次元有機半導体単結晶への高密度キャリア誘起と絶縁体金属転移
二维有机半导体单晶中的高密度载流子感应和绝缘体-金属转变
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山中 大輔;糟谷 直孝;岡本 敏宏;渡邉 峻一郎;竹谷 純一
  • 通讯作者:
    竹谷 純一

竹谷 純一的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('竹谷 純一', 18)}}的其他基金

Electronic phase tuning in organic two-dimensional hole-gas system and organic quantum electronics
有机二维空穴气体系统中的电子相位调谐和有机量子电子学
  • 批准号:
    22H04959
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Electronic phase control of two-dimensional hole gas in organic semiconductors
有机半导体中二维空穴气体的电子相位控制
  • 批准号:
    22H00291
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
単結晶有機半導体中電子伝導の巨大応力歪効果とデバイス応用
单晶有机半导体介质电子传导中的巨应力应变效应及器件应用
  • 批准号:
    17H01053
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
印刷できるLSI用有機単結晶半導体トランジスタの物理モデル開発
LSI用可印刷有机单晶半导体晶体管物理模型的开发
  • 批准号:
    14F04777
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
有機半導体単結晶電界効果トランジスタの低温キャリア伝導度測定
有机半导体单晶场效应晶体管的低温载流子电导率测量
  • 批准号:
    18028029
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

相似海外基金

シリコンスピン電界効果トランジスタの高性能化を実現する低界面粗さ構造の創製
创建低界面粗糙度结构,提高硅自旋场效应晶体管的性能
  • 批准号:
    24K17326
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
高効率かつ高信頼性の縦型GaN接合型電界効果トランジスタの実現
高效可靠垂直GaN结型场效应晶体管的实现
  • 批准号:
    24KJ1270
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
絶縁窒化アルミニウムのp型伝導機構発現の解明とpチャネル電界効果トランジスタ応用
绝缘氮化铝p型导电机理的阐明及其在p沟道场效应晶体管中的应用
  • 批准号:
    24K17305
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
相補型高速パワーインバータのためのpチャネルダイヤモンド電界効果トランジスタ
用于互补高速功率逆变器的 P 沟道金刚石场效应晶体管
  • 批准号:
    23K26167
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
p型酸化物半導体を用いた酸化物トンネル電界効果型トランジスタの開発
使用p型氧化物半导体的氧化物隧道场效应晶体管的开发
  • 批准号:
    24K08254
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
有機金属構造体を賦与した有機電界効果トランジスタ型ガスセンサの開発
具有有机金属结构的有机场效应晶体管型气体传感器的研制
  • 批准号:
    23KJ0785
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相補型高速パワーインバータのためのpチャネルダイヤモンド電界効果トランジスタ
用于互补高速功率逆变器的 P 沟道金刚石场效应晶体管
  • 批准号:
    23H01473
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
電界効果で切り開く圧力下トポロジカル物性研究
利用电场效应研究压力下的拓扑特性
  • 批准号:
    23K03931
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
炭化珪素接合型電界効果トランジスタによる相補型論理とアナログ回路の高温動作実証
使用碳化硅结场效应晶体管演示互补逻辑和模拟电路的高温运行
  • 批准号:
    22KJ2013
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
電界効果によりキャリア蓄積した有機薄膜の電子状態とデバイス特性との相関解明
阐明因电场效应而积累载流子的有机薄膜的电子状态与器件特性之间的相关性
  • 批准号:
    22K04923
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 2.3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了