Creation and development of superconducting computing technology for post-Moore era

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本年度は、３つの研究項目が強固に連携して新技術を創出すべく、単一磁束量子（SFQ）回路を用いた全体アーキテクチャの基本概念を精査し、以下のように各項目での研究開発を進めた。【研究項目1】極低温超伝導-磁性ハイブリッドメモリでは、圧電体上での高品質な超伝導薄膜を作製するための検討を進め、圧電体の歪みで超伝導転移温度が変化する現象を観測し始めている。また、その超伝導薄膜上に希薄磁性薄膜を作製する技術を開発し、磁性ジョセフソン素子の作製も進んでいる。極低温超伝導-光変換では、低温非平衡プラズマを駆使した新材料ZAIONの高品質結晶とヘテロ界面実現に向けた検討を行い、原子レベルで急峻なZION/ZnOヘテロ界面の形成ならびにZION膜のシュードモルフィック成長を実現した（4元系材料のZIONにおいて世界初の観察例）。極低温アプロキシメートSFQ素子では、SFQ回路で生じるエラーのモデリングを進めた。また、これらの成果を俯瞰し、汎用アーキテクチャの実現に向けた機能ならびに非機能要件の洗い出しを行った。【研究項目2】時空間情報表現と新演算方式では、SFQ回路で構成した各論理ゲートにおけるセットアップ／ホールドタイムの違いを考慮した動作方式の検討を進めた。極低温時空間プロセッサではアーキテクチャ探索のための評価環境整備を行った。冷凍機マルチステージ・メモリアーキテクチャでは、超伝導量子コンピューティングへとスコープを拡大し、冷凍機ステージで搭載すべき機能を検討した。2段階モデリングフレームワークとシミュレータ開発に関しては、研究項目1と連携し、SFQ回路で生じるエラーを反映した高レベル評価法を設計した。【研究項目3】ランタイムバイアス電圧/動作周波数制御技術に関する研究では、SFQ回路のエラーを許容した際にバイアス電圧の変更や高温動作による電力性能効率改善効果を見積もった。