ワイドギャップ半導体センサーとサブミクロンASICによる耐放射線計測システム開発

使用宽间隙半导体传感器和亚微米ASIC开发抗辐射测量系统

• 批准号: 22K03657
• 负责人: 藤田 陽一
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: High Energy Accelerator Research Organization
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2022
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2022-04-01 至 2025-03-31
• 项目状态: 未结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22K03657/
• 关键词: 半導体センサー; 放射線検出器; ダイヤモンド; SiC; ASIC; COMET実験

本年度の研究実績として、予定通りワイドギャップ半導体の耐放射線センサーとしての有効性を明らかにするため、１）SiC の基本特性および耐放射線性の評価を行った。その結果、シリコンと比較して小さいリーク電流であること、中性子線照射でリークに変化が見られないことが確認できた。加えて、前方ミューオン検出器のプロトタイプ製作に向けた開発に着手した。具体的には以下の２点となる。２）センサー読み出し用 ASIC の試作を行った。構成は 8ch Amplifier - Shaper - Discriminator + 8-bit ADC であり、内部に PLL を実装する。ADC のサンプリングレートは 10MS/s ないし 12.5MS/s である。その結果、基本動作の確認ができた。３）前方ミューオン検出器のプロトタイプ製作に着手した。ビームチャンバーの直径は 250mm であり、プロトタイプは高さ 220mm の８角形の形状で試作した。プロトタイプは 5mm 角サイズの SiC 256 個を２次元アレイに実装するための薄い 100um 厚のセンサー基板とセンサー読み出しの ASIC 基板からなり、両者の製作を行った。センサー基板はセンサーを実装するビームのあたる中心部と読み出し ASIC 基板の接続用の周辺部に分かれているが、前方ミューオン検出器後段への検出器へ与える影響を最小限にするべく物質量を小さくする必要があり、基板の厚さを 100um で製作している。このため基板のハンドリングを含めて強度が十分であるかなどについては今後評価が必要となる。

This year's research results are expected to be evaluated through the evaluation of the radiation resistance of semiconductors and the effectiveness of SiC. The result is that the current is different from the light. Add to this list the following information: The following is a list of two points. 2) Try out ASIC 8-ch Amplifier-Shaper- Discriminator + 8-bit ADC, Internal PLL ADC のサンプリングレートは 10MS/s ないし 12.5MS/s である。Results, basic actions and confirmations. 3) Start the production of the front detector. The diameter is 250mm, the height is 220mm and the shape is 8 angles. SiC 256 pieces with 5mm angle, thin 100um thick, ASIC substrate with 5 mm angle, SiC 256 pieces with 2 mm angle, ASIC substrate with 5 mm angle, SiC 256 pieces, ASIC substrate with 5 mm angle, ASIC substrate, ASIC substrate, ASIC substrate, The center part of the substrate is located at the bottom of the substrate, and the periphery part of the substrate is located at the bottom of the substrate. The detector and the detector at the rear of the detector are located at the bottom of the substrate. The thickness of the substrate is 100um. This is the first time I've ever seen a person who's been in a relationship with someone who's been in a relationship with someone else.

项目成果

COMET 実験におけるミューオンビームモニター用 SiC 半導体検出器の開発 III

COMET实验III中μ介子束监测SiC半导体探测器的研制

• 发表时间: 2023
• 作者: Sumi K;Iijima T;Inami K;Sue Y;Yotsuzuka M;Ego H;Otani M;Saito N;Mibe T;Yoshida M;Kondo Y;Moriya K;Takeuchi Y;Nakazawa Y;Yasuda H;藤田陽一
• 通讯作者: 藤田陽一