Selective Chemical-Vapor Deposition of Metal Films using Cu-Iodide

点击翻译按钮获取中文摘要

１．真空中で加熱・昇華させたヨウ化銅（I)（CuI）を原料とした銅の選択形成を行う際の銅粒径の増大のための基板前処理の検討、および、金属／誘電体上での選択性を向上させるための前処理と銅形成条件の最適化をおこなった。・銅形成前の基板前処理をRuに対して検討した結果、真空中400℃程度で90分間以上の熱処理を施すことでスパッタ形成したRuの再結晶化が進み、表面平坦性の改善が行なわれることでRu上で分解生成した銅原子およびヨウ素原子の表面泳動が促され、銅の粒径が著しく増加しかつ平坦化された島状成長が実現できることがわかった。また、本実験結果から銅結晶の成長機構をモデル化することができ、Ru上で分解生成した銅原子は島状グレインの側面形成に寄与するのに対して島状グレイン表面で分解生成した銅原子は主にグレインの高さ増加に寄与するが20％程度は側面形成に寄与していることが明らかとなった。また、本方法は金属表面の自由電子を原料の選択吸着に利用することから金属表面の酸化物除去は必須である。そこで、Ru上にプラズマCVDで形成したCuO膜を対象として低圧中でのアルコール処理による還元プロセスを検討し、200℃程度でのメタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどの処理が金属表面の還元に極めて効果的であることを見出した。・銅の選択形成では、銅のLine＆Space上での検討により、前述のアルコール処理と成長中に還元性ガスを添加することにより銅／SiO2間で極めて高い選択性が得られることがわかった。２．ヨウ化ルテニウムを用いたRuの選択形成の検討をおこなった。・市販のヨウ化ルテニウム(RuI3)は過剰のヨウ素を含むために低温真空中での長時間処理が必要であることがわかった。・Pt基板上での実験では300℃以上でPt-Ru合金形成が行なわれ、RuI3からRu生成が可能であることを見出した。