Development of homogenous dielectrophoretic assembly method and its application to semiconducting carbon nanotube gas sensors
Development of homogenous dielectrophoretic assembly method and its application to semiconducting carbon nanotube gas sensors
批准号:
22K04185
负责人:
稲葉 優文
金额:
$2.66万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2022
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2022-04-01 至 2025-03-31
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英文摘要
ナノ・マイクロサイズの微粒子の操作は、高度なナノ構造の形成、ナノレベルでの反応場の形成、生体分子の観測・計測などの多岐にわたる領域で重要な基礎技術である。誘電泳動力は、誘電率の異なる溶媒と微粒子に不平等電界が印加されるとき、分極の偏りによってクーロン力が働くことにより発生する駆動力である。誘電泳動では、溶媒に分散・懸濁した微粒子を集積するため、希少・高価なサンプルにも適用しやすく、基板に容易に吸着しにくい半導体微粒子であっても電界の条件等を調整することで必要なときに必要な微粒子を選択的に、必要な量だけ集積させることができる。さらに、誘電泳動中のインピーダンスをモニタリングすることでリアルタイムに集積状況を知ることができるメリットがある。しかし、電界は電極のエッジに集中するため、誘電泳動力は電極エッジに集中して発生し、集積された微粒子による誘電泳動力によりそこを起点に集積が進行する。誘電泳動力をより均質に発生させることができれば、様々な微粒子をより均質に集積・操作しリアルタイムで評価するためのプラットフォームを構築可能である。本年度は誘電泳動場を広域に形成するために、ナノパターニングの一つとして短時間の蒸着によるナノアイランドを用いることを考え、これに溶媒中で電界を印加した際、ナノアイランド端部に小さい誘電泳動場が形成されることを、COMSOL Multiphysicsを用いた有限要素シミュレーションで確認した。さらに、実際に作製したナノアイランド上に、微小な粒子が集積するかを確認するため、蛍光ナノダイヤモンドの観察系を構築した。
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CNT-FETのNO2応答にCNTの半導体・金属比率が与える影響
CNT的半导体/金属比例对CNT-FET NO2响应的影响
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[八木 凱斗, 中原 正太, 大町 遼, 稲葉 優文, 中野 道彦, 末廣 純也]
通讯作者:
末廣 純也
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Masafumi Inaba, Michihiko Nakano, Junya Suehiro]
通讯作者:
Junya Suehiro
CNT-FET型ガスセンサ応答のゲート電圧スイープ方向依存性
CNT-FET 气体传感器响应的栅极电压扫描方向依赖性
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[中原 正太, 八木 凱斗, 大町 遼, 稲葉 優文, 中野 道彦, 末廣 純也]
通讯作者:
末廣 純也
Effects of amount and metal/semiconducting ratio of CNT on ambipolar CNT-FET gas sensor response to NO2
CNT数量和金属/半导体比对双极CNT-FET气体传感器NO2响应的影响
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kaito Yagi, Shota Nakahara, Naoki Asano, Haruka Omachi, Masafumi Inaba, Michihiko Nakano, Junya Suehiro]
通讯作者:
Junya Suehiro
誘電泳動集積を用いて作製した両極性CNT-FETガスセンサの電子伝導領域におけるNO2高速応答
使用介电泳集成制造的双极 CNT-FET 气体传感器的电子传导区域中的高速 NO2 响应
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[中原正太, 八木凱斗, 大町遼, 稲葉優文, 中野道彦, 末廣純也]
通讯作者:
末廣純也
共 12 条
Mobility enhancement of two dimensional hole gas on diamond MOSFET
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批准号:17J08746
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$2.58万
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财政年份:2017
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负责人:稲葉 優文
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依托单位:
海外基金